一种差分二极管MOS电流采样电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种差分二极管MOS电流采样电路，其包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R3和运放IC1A；MOS管Q1的栅极连接导通信号VG，漏极连接负载的负极，源极接地；二极管D1的负极连接MOS管Q1的漏极，正极连接第一恒流源的输出端；二极管D2的负极连接MOS管Q1的源极，正极连接第二恒流源的输出端。二极管D1和D2型号相同并且封装在一起，为小寄生电容、高反向耐压的肖特基二极管。当二极管温度升高时，二极管D1正极电压和二极管D2正极电压同时下降，他们的差值不变，这个差值通过差分单端运放IC1A转换成对地单端电压，从而获得准确的采样值。确的采样值。确的采样值。

【技术实现步骤摘要】
一种差分二极管MOS电流采样电路


[0001]本技术涉及模拟电路，尤其是涉及一种精度高、误差小的差分二极管MOS电流采样电路。

技术介绍

[0002]最基本的采样电路如图1所示，Rs为电流采样电阻，当MOS管导通后，Id电流以线性上升，当IS（采样电流）上升到给定值后关闭MOS，这就是常规的电流控制技术。随着功率装置高效化、小型化，MOS开关技术中的电流采样技术成为了瓶颈，MOS管的通态电阻Rdon刚好就是电阻特性，就可以利用这点来实现IS采样，从而出现图2中的电路。但是此电路中，当Rdon非常小的时候，二极管由于PN结电压随温度影响和离散性影响，会严重影响Rdon的测量。

技术实现思路

[0003]本技术主要是解决现有技术所存在的等的技术问题二极管自身压降变化影响测量结果的问题，提供一种可以消除二极管的影响，得到高精度、小误差测量结果的差分二极管MOS电流采样电路。
[0004]本技术针对上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种差分二极管MOS电流采样电路，包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R1、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种差分二极管MOS电流采样电路，其特征在于，包括MOS管Q1、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和运放IC1A，二极管D1和二极管D2的型号相同，所述MOS管Q1的栅极连接驱动信号VG，MOS管Q1的漏极连接负载的负极，MOS管的源极接地，二极管D1的负极连接MOS管Q1的漏极，二极管D1的正极连接第一恒流源的输出端，二极管D2的负极连接MOS管Q1的源极，二极管D2的正极连接第二恒流源的输出端，运放IC1A的反相输入端通过电阻R2连接二极管D1的正极，运放IC1A的同相输入端通过电阻R3连接二极管D2的正极，电阻R1跨接在运放IC1A的反相输入端和输出端之间，电阻R4的第一端连接运放IC1A的同相输入端，电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗泽伟，赖允能，
申请(专利权)人：杭州瑞阳微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：