显示面板及显示面板的制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法。显示面板包括衬底、遮光层以及薄膜晶体管器件层，该薄膜晶体管器件层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，且第一薄膜晶体管的有源层包括多晶硅半导体层，第二薄膜晶体管的有源层包括多晶硅层和金属氧化物半导体层，两有源层设置在同一膜层上，且第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极或漏极通过过孔与对应的有源层电连接。从而有效的简化了显示面板的制备工艺，并提高显示面板的综合性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示面板的制备方法


[0001]本专利技术涉及显示面板的制造
，具体涉及一种显示面板。

技术介绍

[0002]随着柔性显示屏技术的发展，人们对显示面板及装置的质量以及性能均提出了更高的要求。
[0003]有机发光二极管(Organic light
‑
emitting diode，OLED)器件因其较传统的液晶显示器(Liquid crystal display，LCD)相比具有重量轻巧，广视角，发光效率高等优点，而被众多领域所使用。有机发光二极管器件包括阵列基板，阵列基板内设置多个薄膜晶体管器件，薄膜晶体管器件性能的好坏将直接影响到整个发光器件的性能。在制备形成阵列基板时，通常采用低温多晶氧化物(low temperature poly
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crystalline
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Si oxide，LTPO)工艺以及氧化铟镓锌(indium galliumzinc oxide，IGZO)工艺进行制备，但是现有技术中在采用上述制备工艺进行制备时，不能很好的将上述制备工艺进行兼容，并且制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底；遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上；以及，薄膜晶体管器件层，所述薄膜晶体管器件层设置在所述遮光层之上，所述薄膜晶体管器件层包括有源层、栅极以及源/漏极，所述薄膜晶体管器件层包括第一薄膜晶体管和设置在所述第一薄膜晶体管一侧的第二薄膜晶体管；其中，所述第一薄膜晶体管的有源层包括多晶硅半导体层，所述第二薄膜晶体管的有源层包括多晶硅层和设置在所述多晶硅层上的金属氧化物半导体层，且所述第一薄膜晶体管的源/漏极与所述第二薄膜晶体管的源/漏极与同一所述遮光层电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管器件层包括第一过孔，所述第一过孔设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间，所述第一过孔贯穿所述薄膜晶体管器件层的各膜层，且所述第一薄膜晶体管的漏/源极与所述第二薄膜晶体管的源/漏极通过所述第一过孔与所述遮光层电连接。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第三过孔，所述第一薄膜晶体管的所述多晶硅层包括掺杂区和沟道区，所述掺杂区位于所述沟道区的两侧，所述第一薄膜晶体管的源/漏极通过所述第三过孔与所述多晶硅半导体层的掺杂区电连接。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的所述金属氧化物半导体层包括掺杂区和沟道区，所述掺杂区位于所述沟道区的两侧。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第二过孔，所述第二薄膜晶体管的源/漏极通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：马倩，周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：