本发明专利技术涉及数据安全领域，尤其涉及一种提高毁钥效率的多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置。它包括电源输入电路、毁钥输出开关电路以及存储电路，电源转换电路通过时序控制电路与毁钥输出开关电路连接；电源输入电路和毁钥输出开关电路之间设置有交叉储能电路。本发明专利技术的多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置，电源输入电路实现毁钥电源和工作电源的切换控制；毁钥输出开关电路实现工作状态下存储电路中各路FLASH存储器件工作电源供电通路以及毁钥状态下将交叉储能电路的毁钥能量依次灌入各路FLASH存储器件；交叉储能电路，在上一轮FLASH存储器件毁钥期间，完成下一轮FLASH存储器件毁钥的储能，比现有技术来说大大节约了毁钥时间，提高了毁钥效率。提高了毁钥效率。提高了毁钥效率。
【技术实现步骤摘要】
多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置
[0001]本专利技术涉及数据安全领域，尤其涉及一种提高毁钥效率的多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置。
技术介绍
[0002]随着现代信息技术的发展，越来越多的数据信息需要被存储记录，单一存储颗粒已无法满足实际需求，多数情况下均是通过多颗粒的存储系统来实现。在特定情况下，为了保证数据存储系统中的关键敏感数据不被泄露，需要对携带有关键敏感数据信息的存储器件进行自毁，而多颗粒的存储系统也给毁钥实现带来了挑战。
[0003]目前主要的毁钥方式分为两大类：软毁钥和硬毁钥。软毁钥通过程序擦除存储设备中的关键信息实现毁钥，由于存储量大以及存储介质的数据写入固有特性导致软毁钥方式往往时间较长，且存在着已擦除的数据仍可能被恢复的风险。硬毁钥是通过控制电路将毁钥电源接入存储介质，借助毁钥电源的高压、大电流破坏存储介质内部的物理结构，针对多目标毁钥场景，主要是通过独立分时毁钥使得毁钥效果更可靠，更彻底，但随着存储系统容量越来越大，需要毁钥的目标也越来越多，导致完成毁钥的整个过程耗时越来越长，无法满足关键时刻在特定的极短时间内能完成毁钥操作的要求。
[0004]专利技术专利CN104123513A中公开了一种带有自毁功能的机载高速大容量数据存储系统，包含CPU控制器、NandFLASH存储阵列、毁钥模块。通过毁钥模块中的储能模块对外部的毁钥能量进行储能放大、通过编程控制将能量以高压脉冲形式逐一释放到NandFLASH的电地管脚，达到毁钥的目的。
技术实现思路
[0005]针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种提高毁钥效率的多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置。
[0006]本专利技术采用的技术方案是：多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置，包括依次连接的电源输入电路、毁钥输出开关电路以及存储电路，所述的电源输入电路与毁钥输出开关电路之间还并联有电源转换电路，该电源转换电路的输出端分别连接时序控制电路和毁钥输出开关电路，所述的时序控制电路的输出端与毁钥输出开关电路连接；在所述的电源输入电路和毁钥输出开关电路之间设置有交叉储能电路；
[0007]所述的电源输入电路，实现存储电路供电电源在毁钥电源和工作电源的切换控制；
[0008]所述的毁钥输出开关电路；实现工作状态下存储电路中各路FLASH存储器件工作电源供电通路以及毁钥状态下将交叉储能电路的毁钥能量依次灌入各路FLASH存储器件；
[0009]所述的存储电路，包括系统中需要毁钥的一个或者多个FLASH存储器件；
[0010]所述的电源转换电路，为时序控制电路、毁钥输出开关电路供电；
[0011]所述的时序控制电路，通过处理器完成各电路中的各种时序的控制；
[0012]所述的交叉储能电路，通过储能的乒乓操作，在上一轮FLASH存储器件毁钥期间，完成下一轮FLASH存储器件毁钥的储能。
[0013]为更好地实现本专利技术，所述的交叉储能电路，包括第一储能电容I和第二储能电容II，还包括第一支路和第二支路，所述的第一支路与电源输入电路负极之间设置第一储能电容I，所述的第二支路与电源输入电路负极之间设置第二储能电容II；所述的电源输入电路正极和毁钥输出开关电路均通过单刀双掷开关与第一支路和第二支路配合。
[0014]为更好地实现本专利技术，所述的毁钥输出开关电路包括与电源输入电路正极连通的电源正极开关，和与电源输入电路负极连通的电源负极开关。
[0015]为更好地实现本专利技术，所述的电源输入电路包括电源正极支路和电源负极支路，所述的电源正极支路通过单刀双掷开关配合有毁钥电源正极和工作电压正极，所述的电源负极支路通过单刀双掷开关配合有毁钥电源负极和工作电压负极。
[0016]为更好地实现本专利技术，在所述的毁钥电源正极和毁钥电源负极之间配合有切换线圈，并配合有相应的单刀单掷开关。
[0017]为更好地实现本专利技术，在所述的毁钥电源正极和毁钥输出开关电路之间配合有毁钥电源检测电路。
[0018]为更好地实现本专利技术，所述的毁钥输出开关电路配合有毁钥结果检测电路。
[0019]为更好地实现本专利技术，所述的毁钥电源的电压为18v～36v。
[0020]为更好地实现本专利技术，所述的毁钥电源的电压为28v。
[0021]为更好地实现本专利技术，所述的时序控制电路采用GD32C103TBU6单片机。
[0022]本专利技术的有益效果体现在：本专利技术的多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置，通过电源输入电路、毁钥输出开关电路、存储电路、电源转换电路、时序控制电路以及交叉储能电路灯的配合，电源输入电路，实现毁钥电源和工作电源的切换控制；毁钥输出开关电路实现工作状态下存储电路中各路FLASH存储器件工作电源供电通路以及毁钥状态下将交叉储能电路的毁钥能量依次灌入各路FLASH存储器件；所述的存储电路包括一个或者多个FLASH存储器件；电源转换电路为时序控制电路供电；时序控制电路通过处理器完成各电路中的各种时序的控制；所述的交叉储能电路，通过储能的乒乓操作，在上一轮FLASH存储器件毁钥期间，完成下一轮FLASH存储器件毁钥的储能，比起现有技术来说大大节约了毁钥时间，提高了毁钥效率。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0024]图1为本专利技术的多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置的一种结构框图。
具体实施方式
[0025]下面将结合附图对本专利技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0026]需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0027]实施例1：
[0028]如图1所示，本专利技术的多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置，包括依次连接的电源输入电路、毁钥输出开关电路以及存储电路，所述的电源输入电路与毁钥输出开关电路之间还并联有电源转换电路，该电源转换电路的输出端分别连接时序控制电路和毁钥输出开关电路，所述的时序控制电路的输出端与毁钥输出开关电路连接；在所述的电源输入电路和毁钥输出开关电路之间设置有交叉储能电路；
[0029]所述的电源输入电路，实现存储电路供电电源在毁钥电源和工作电源的切换控制；
[0030]所述的毁钥输出开关电路；实现工作状态下存储电路中各路FLASH存储器件工作电源供电通路以及毁钥状态下将交叉储能电路的毁钥能量依次灌入各路FLASH存储器件；
[0031]所述的存储电路，包括系统中需要毁钥的一个或者多个FLASH存储器件；
[0032]所述的电源转换电路，为时序控制电路、毁钥输出开本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置，其特征在于：包括依次连接的电源输入电路、毁钥输出开关电路以及存储电路，所述的电源输入电路与毁钥输出开关电路之间还并联有电源转换电路，该电源转换电路的输出端分别连接时序控制电路和毁钥输出开关电路，所述的时序控制电路的输出端与毁钥输出开关电路连接；在所述的电源输入电路和毁钥输出开关电路之间设置有交叉储能电路；所述的电源输入电路，实现存储电路供电电源在毁钥电源和工作电源的切换控制；所述的毁钥输出开关电路；实现工作状态下存储电路中各路FLASH存储器件工作电源供电通路以及毁钥状态下将交叉储能电路的毁钥能量依次灌入各路FLASH存储器件；所述的存储电路，包括系统中需要毁钥的一个或者多个FLASH存储器件；所述的电源转换电路，为时序控制电路、毁钥输出开关电路供电；所述的时序控制电路，通过处理器完成各电路中的各种时序的控制；所述的交叉储能电路，通过储能的乒乓操作，在上一轮FLASH存储器件毁钥期间，完成下一轮FLASH存储器件毁钥的储能。2.根据权利要求1所述的多路数据存储系统分时独立快速毁钥控制装置，其特征在于：所述的交叉储能电路，包括第一储能电容I和第二储能电容II，还包括第一支路和第二支路，所述的第一支路与电源输入电路负极之间设置第一储能电容I，所述的第二支路与电源输入电路负极之间设置第二储能电容II；所述的电源输入电路正极和毁钥输出开关电路均通过单刀双掷开关与第一支路和第二支路配合。3...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐文哲，李勇，陈杨，邓雪艳，
申请(专利权)人：成都智明达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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