一种含芴的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术属于光电材料领域，具体涉及一种含芴的化合物及其应用。本发明专利技术所提供的含芴的化合物以9

【技术实现步骤摘要】
一种含芴的化合物及其应用


[0001]本专利技术属于光电材料领域，具体涉及一种含芴的化合物及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLEDs)是由阴极、阳极、以及两电极之间的有机层通过层叠而构成的器件，因其与柔性基底天然的匹配性，从而成为了目前有关柔性显示技术的研究热点。
[0003]有机层为OLED器件的核心层，它包含多层不同的有机功能材料薄膜层，最常见的有：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，此外，还包括空穴/电子阻挡层等。通过施加电场，电子和空穴可以分别被注入传输到发光区域并进行复合，从而产生激子并发光。由于电场的存在，电子/空穴被传输到发光层后，可以继续向阳极/阴极迁移，从而导致发光区域电子/空穴浓度的下降，发光效率降低。而电子/空穴阻挡层，由于其特殊的能级结构，可以有效阻止电子/空穴的进一步迁移。
[0004]随着OLED产品工业化的不断推进，人们对其性能要求也越来越高，通过设计具有合适结构的电子/空穴阻挡层材料分子，将其应用于OLED器件中，对于提高器件的效率、稳定性、寿命等综合性能具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含芴的化合物，其特征在于，其结构通式如式1所示：其中，R为下述式2所表示的基团：*表示与式1结合的位点；X1、X2分别独立地选自：O、S、C(CH3)2和N(Ph
‑
R4)中的任意一种；Ar1、Ar2分别独立地选自：C
6～30
的芳基、C
3～30
的杂芳基和C
6～30
的芳胺基中的任意一种；m、n为0或1，并且，m与n不同时为0；R1‑
R4分别独立地选自：氢、氰基、硝基、C
1～20
的烷基、C
6～30
的芳基和C
3～30
的杂芳基中的任意一种，其中，R1、R2、R3分别与式1单键连接或合并成环。2.根据权利要求1所述的含芴的化合物，其特征在于，所述R1‑
R3分别独立地选自：氢、氰基、硝基、甲基、叔丁基和苯基中的任意一种。3.根据权利要求1所述的含芴的化合物，其特征在于，所述R4选自氢，氰基，硝基，甲基，叔丁基，未取代的或由氰基、硝基、甲基、叔丁基取代的苯基中的任意一种。4.根据权利要求1所述的含芴的化合物，其特征在于，m+n＝1。5.根据权利要求1所述的含芴的化合物，其特征在于，所述Ar1、Ar2分别独立地选自由式A1
‑
A5所表示的基团：其中，L1‑
L5分别独立地选自：单键、苯基和萘基中的任意一种；各个Q分别独立地为CH或N或C，Q为N的个数为不相邻的0
‑
3个，当Q选自C时，R5或R6不为氢；Y选自：O、S、C(CH3)2和N(Ph)中的任意一种；Ar3表示为不存在或单环芳烃，所述Ar...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆广园，庄少卿，高翔，彭一龙，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：