【技术实现步骤摘要】
无氟MXene量子点的制备方法
[0001]本专利技术涉及材料制备领域，尤其涉及一种无氟MXene量子点的制备方法。
技术介绍
[0002]MAX是一类三元层状过渡金属碳化物、氮化物或者碳氮化物，通式为M
n+1
AX
n
(其中M是早期过渡金属Ti、Mo、Nb等，A是第Ⅲ或Ⅳ主族元素，如Al、Ga等，X是C和/或N，n取值1，2，3)，层状结构由六方紧密堆积的M
n+1
X
n
层与A层之间通过金属键、范德华力相互交叠构成。2D MXene的通过使用含F(HF酸、HCl和LiF/NH4F,NH4HF2)刻蚀剂，不含F的刻蚀剂(如：路易斯酸)，或者电化学辅助方法刻蚀MAX的A层后制备的，在刻蚀后，表面会引入不同的基团(
‑
O，
‑
OH，
‑
Cl，
‑
F)，使得MXene具有良好的亲水性，电子导电性，良好的生物相容性等优点。MXene QDs是2D MXene衍生的零维半导体纳米材料，与2D ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.无氟MXene量子点的制备方法，其特征在于，该方法为：将三元过渡金属化合物M
n+1
AlX
n
加入到盐酸溶液中，搅拌刻蚀24
‑
48h后，静置沉淀，取上层澄清溶液，选用1000
‑
3500Da的透析袋，在去离子水中透析1
‑
7天；冷冻干燥后得到M
n+1
X
n
T
x MXene量子点；所述盐酸...
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