一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料及其制备方法。其中，无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料包括40～60wt.％的作为基体的SiO2‑

【技术实现步骤摘要】
一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及片式和集成无源元件
，尤其涉及一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着2nm制程硅基芯片研发成功，目前芯片的集成密度已经逼近极限，通过封装技术提升微电子组件集成度是未来的趋势。LTCC封装基板由多层印刷有电路的陶瓷层一体化低温(≤900℃)共烧形成，可以实现有源、无源元件三维立体封装，在高密度、高可靠性微电子封装领域具有广阔的应用前景。在实际应用中，LTCC封装基板需要具有优异的微波介电性能、高的机械强度、良好的导热性能、高的电阻率、较低的热膨胀系数并且与银电极兼容等特点，以保证封装基板在电子整机中具有高的品质和可靠性。陶瓷常常具有上述优异性能的一种或者几种，如熔融石英具有低的介电常数和热膨胀系数但是导热性能较差，AlN具有较高的导热系数但是介电常数偏高。玻璃/陶瓷复合材料是一种常见的LTCC基板材料，在实际应用中，可以通过改变陶瓷的类型和含量来调节基板性能。单一的陶瓷种类难以保证基板各方面性能无明显短板，使用几种陶瓷互补制备性能无明显短本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料，其特征在于，包括40～60wt.％的作为基体的SiO2‑
B2O3‑
AlF3‑
SrO玻璃和40～60wt.％的陶瓷。2.根据权利要求1所述的无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料，其特征在于，所述SiO2‑
B2O3‑
AlF3‑
SrO玻璃由55wt.％的SiO2、17wt.％的B2O3、12wt.％的AlF3、15wt.％的SrO和1wt.％的K2CO3组成；优选地，所述SiO2‑
B2O3‑
AlF3‑
SrO玻璃的玻璃软化点为650℃。3.根据权利要求1所述的无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料，其特征在于，所述陶瓷选自熔融石英、Al2O3陶瓷、AlN陶瓷和TiO2陶瓷中的任意几种。4.根据权利要求3所述的无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料，其特征在于，所述陶瓷为熔融石英、Al2O3陶瓷、AlN陶瓷和TiO2陶瓷混合使用；优选地，基于无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料的总质量，所述陶瓷由质量百分比为5～25wt.％的熔融石英、质量百分比为10～30wt.％的Al2O3陶瓷、质量百分比为5～25wt.％的AlN陶瓷和质量百分比为1～3wt.％的TiO2陶瓷组成。5.权利要求1
‑
4任一所述的无铅硼硅玻璃基陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：按照质量配比将无铅SiO2‑
B2O3‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：王大伟，颜廷楠，于淑会，孙蓉，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：