一种偏振敏感光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术属于偏振光电探测器技术领域，公开了一种偏振敏感光电探测器及其制备方法，所述偏振敏感光电探测器的结构为电极

【技术实现步骤摘要】
一种偏振敏感光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于偏振光电探测器
，更具体地，涉及一种偏振敏感光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，由于偏振敏感光电探测器在导航、光学开关、遥感和高对比度偏振器等方面的广泛应用，引起了人们的广泛关注。为了实现有效的偏振光探测，器件中需要强各向异性的面内结构材料作为有源层。虽然取得了一些进展，但在材料的固有对称性和探测器的非集成结构的限制下，仍然存在各向异性比较低的问题。
[0003]T
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相的TaIrTe4属于Ⅱ型Weyl半金属，只有4个Weyl点，在Weyl节点附近存在无间隙线性色散和贝利曲率增强的非线性光学效应。TaIrTe4具有独特的层状非中心对称正交结构且具有高迁移率，TaIrTe4薄片具有很强的面内光学和电学各向异性。基于Weyl半金属的光电探测器由于其拓扑保护的能带结构，在自供电、超宽带和高灵敏度方面有望比半导体表现出极好的性能。TaIrTe4的光电探测范围可达超低能量范围，但在室温下，相比于半导体基光电探测器而言，基于无带隙半金属的光电探本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏振敏感光电探测器，其特征在于，所述偏振敏感光电探测器的结构为电极
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WSe2/TaIrTe4/MoS2‑
电极；是将MoS2薄膜、TaIrTe4薄膜和WSe2薄膜依次转移至SiO2/Si衬底上，构成WSe2/TaIrTe4/MoS2异质结，TaIrTe4薄膜不接触电极，在MoS2薄膜和WSe2薄膜的边缘分别蒸镀电极。2.根据权利要求1所述的偏振敏感光电探测器，其特征在于，所述的WSe2/TaIrTe4/MoS2异质结中WSe2的厚度为10～20nm；所述的TaIrTe4的厚度为60～80nm；所述的MoS2的厚度为15～25nm。3.根据权利要求1所述的偏振敏感光电探测器，其特征在于，所述的电极为铂和金，所述铂的厚度为10～15nm，所述金的厚度为50～60nm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的偏振敏感光电探测装置的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：S1.将SiO2/Si依次置于丙酮、无水乙醇和去离子水分别超声清洗，用N2气枪吹干，再进行臭氧处理，得到处理的SiO2/Si衬底；S2.用单晶胶带通过机械剥离依次获得WSe2、TaIrTe4和MoS2薄膜；在光学显微镜下从剥离的样品中分别选择厚度均匀、表面洁净的WSe2薄膜、TaIrTe4薄膜和MoS2薄膜；S3.用PDMS贴到载玻片上，均匀涂抹PVA层，加热烘干后使PVA与TaIrTe4接触，然后加热至90～95℃，待PVA溶解后停止加热，待冷却到...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩晓宁，张黎，张诗豪，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：