一种局部加热器件及其制造方法技术

技术编号:33081934 阅读:13 留言:0更新日期:2022-04-15 10:37
本发明专利技术提供一种局部加热器件及其制造方法,局部加热器件包括散热鳍片、第一导热金属、位于所述第一导热金属上的隔热层、位于所述隔热层上的加热片、位于所述加热片上的第二导热金属、位于所述第二导热金属内的温度传感器以及半导体制冷片,其中所述第一导热金属上具有凹槽,所述隔热层、加热片和第二导热金属由下至上依序位于所述凹槽内;所述半导体制冷片位于所述第一导热金属上。本发明专利技术采用半导体制冷片或第一导热金属制造冷区,热区位于开孔内,当热区往外扩散的热量会被半导体制冷片及第一导热金属产生的冷区吸收进而阻止温度扩散,可精确控制冷区的温度,适用于即需要加热又需要制冷的零件。要制冷的零件。要制冷的零件。

【技术实现步骤摘要】
一种局部加热器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及微流控
,尤其涉及一种局部加热器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]在数字微流控应用于聚合酶链式反应时,需要在同一块衬底上较近的两个区域设置两个温差较大的热区,由于热传导,会导致温度较高的热区向温度较低的热区传热,可能使得温度较低的热区实际温度高于设定的温度。现有技术是将两个热区分开较远,此时衬底需要的面积较大,成本较高,同时也会增加操作的复杂性。
[0003]故有必要设计一种新的局部加热器件。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种阻止温度扩散且可精确控制冷区的温度的局部加热器件及其制造方法。
[0005]本专利技术提供一种局部加热器件,其包括散热鳍片、位于所述散热鳍片上的第一导热金属、位于所述第一导热金属上的隔热层、位于所述隔热层上的加热片、位于所述加热片上的第二导热金属、位于所述第二导热金属内的温度传感器以及半导体制冷片,其中所述第一导热金属上具有凹槽,所述隔热层、加热片和第二导热金属由下至上依序位于所述凹槽内;所述半导体制冷片位于所述第一导热金属上;所述半导体制冷片具有相对设置的加热面和制冷面,所述制冷面朝上设置。
[0006]进一步地,所述隔热层、加热片和第二导热金属均与所述凹槽和开孔之间具有缝隙。
[0007]本专利技术还提供一种局部加热器件,其包括散热鳍片、位于所述散热鳍片上的所述半导体制冷片、位于所述半导体制冷片上的隔热层、位于所述隔热层上的加热片、位于所述加热片上的第二导热金属、位于所述第二导热金属内的温度传感器以及具有开孔的第一导热金属,其中所述隔热层、加热片和第二导热金属由下至上依序位于所述开孔内;所述半导体制冷片具有相对设置的加热面和制冷面,所述制冷面朝上设置。
[0008]进一步地,所述隔热层、加热片和第二导热金属均与所述开孔第一导热金属之间具有缝隙。
[0009]进一步地,所述半导体制冷片与所述隔热层接触的面呈平面状。
[0010]进一步地,所述第一导热金属的内部设有温度传感器。
[0011]本专利技术还提供一种局部加热器件的制造方法,包括如下步骤:
[0012]S1:在散热鳍片上形成第一导热金属;
[0013]S2:在第一导热金属上形成凹槽;
[0014]S3:隔热层、加热片和具有温度传感器的第二导热金属依序形成在所述凹槽内;
[0015]S4:具有开孔的半导体制冷片铺设在所述第一导热金属上且位于第二导热金属的上方,半导体制冷片的制冷面朝上设置;半导体制冷片的开孔与第一导热金属的凹槽对应
设置,所述隔热层、加热片和第二导热金属位于凹槽和开孔内;所述隔热层、加热片和第二导热金属均与凹槽和开孔之间具有缝隙。
[0016]本专利技术还提供一种局部加热器件的制造方法,包括如下步骤:
[0017]S1:在散热鳍片上形成半导体制冷片,半导体制冷片的制冷面朝上设置;
[0018]S2:隔热层、加热片和具有温度传感器的第二导热金属依序形成在半导体制冷片上;
[0019]S3:具有开孔的第一导热金属铺设在半导体制冷片上且位于所述第二导热金属的上方,,所述隔热层、加热片和第二导热金属位于开孔内;所述隔热层、加热片和第二导热金属均与第一导热金属之间具有缝隙。
[0020]进一步地,所述第一导热金属内具有温度传感器。
[0021]本专利技术采用半导体制冷片或第一导热金属制造冷区,热区位于开孔内,当热区往外扩散的热量会被半导体制冷片及第一导热金属产生的冷区吸收进而阻止温度扩散,可精确控制冷区的温度,适用于即需要加热又需要制冷的零件。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本专利技术的实施例的局部加热器件的第一实施例的立体分解示意图;
[0024]图2是图1所示局部加热器件的剖视图;
[0025]图3是图1所示局部加热器件的半导体制冷片的内部结构示意图;
[0026]图4是图1所示局部加热器件的第二导热金属具有温度传感器的结构示意图;
[0027]图5是图1所示局部加热器件的俯视图;
[0028]图6是本专利技术的实施例的局部加热器件的根据第一实施例的扩展实施例的俯视图;
[0029]图7是本专利技术的实施例的局部加热器件的第二实施例的立体分解示意图;
[0030]图8是图7所示局部加热器件的剖视图。
具体实施方式
[0031]下面详细描述本专利技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。
[0032]在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,在本专利技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0033]如图1至图5所示为本专利技术局部加热器件的第一实施例的结构示意图,局部加热器
件包括散热鳍片10、位于散热鳍片10上的第一导热金属20、第一导热金属20上具有若干凹槽21、位于第一导热金属20上的隔热层31、位于隔热层31上的加热片32、位于加热片32上的第二导热金属33、位于第二导热金属 33内的温度传感器34以及半导体制冷片40,其中隔热层31、加热片32和第二导热金属33的数量与凹槽21的数量相同;隔热层31、加热片32和第二导热金属33由下至上依序位于凹槽21内;第一导热金属20用于将半导体制冷片40 产生的高温传导至散热鳍片10上,即将热量传导至散热鳍片10,散热鳍片10 可以加强散热;半导体制冷片40位于第一导热金属20上,半导体制冷片40不与第二导热金属33接触。
[0034]图3所示,半导体制冷片40包括相对设置的加热面41和制冷面42、以及位于加热面41和制冷面42之间的半导体材料43。当半导体制冷片40的一面制冷的时候,另一面一定是加热,所以需要散热鳍片10将加热面41温度散去,否则会烧毁。
[0035]如图2所示,半导体制冷片40的制冷面42朝上设置,半导体制冷片40具有与第二导热金属33的凹槽21对应设置的开孔44,开孔44的宽度和凹槽21 的宽度相同,至少部分第二导热金属33位于开孔44内。
[0036]隔热层31的宽度、加热片32的宽本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种局部加热器件,其特征在于,其包括散热鳍片(10)、位于所述散热鳍片(10)上的第一导热金属(20)、位于所述第一导热金属(20)上的隔热层(31)、位于所述隔热层(31)上的加热片(32)、位于所述加热片(32)上的第二导热金属(33)、位于所述第二导热金属(33)内的温度传感器(34)以及半导体制冷片(40),其中所述第一导热金属(20)上具有凹槽(21),所述隔热层(31)、加热片(32)和第二导热金属(33)由下至上依序位于所述凹槽(21)内;所述半导体制冷片(40)位于所述第一导热金属(20)上;所述半导体制冷片(40)具有相对设置的加热面(41)和制冷面(42),所述制冷面(42)朝上设置。2.根据权利要求1所述的局部加热器件,其特征在于,所述半导体制冷片(40)具有与所述凹槽(21)对应设置的开孔(44),至少部分第二导热金属(33)位于所述开孔(44)内。3.根据权利要求2所述的局部加热器件,其特征在于,所述隔热层(31)、加热片(32)和第二导热金属(33)均与所述凹槽(21)和开孔(44)之间具有缝隙(00)。4.一种局部加热器件,其特征在于,其包括散热鳍片(10)、位于所述散热鳍片(10)上的所述半导体制冷片(40ˊ)、位于所述半导体制冷片(40ˊ)上的隔热层(31)、位于所述隔热层(31)上的加热片(32)、位于所述加热片(32)上的第二导热金属(33)、位于所述第二导热金属(33)内的温度传感器(34)以及具有开孔(22ˊ)的第一导热金属(20ˊ),其中所述隔热层(31)、加热片(32)和第二导热金属(33)由下至上依序位于所述开孔(22ˊ)内;所述半导体制冷片(40)具有相对设置的加热面(41)和制冷面(42),所述制冷面(42)朝上设置。5.根据权利要求4所述的局部加热器件,其特征在于,所述隔热层(31)、加热片(32)和第二导热金属(33)均与所述第一导热金属(20ˊ)之间具有缝...

【专利技术属性】
技术研发人员:程鑫陈日飞
申请(专利权)人:南方科技大学
类型:发明
国别省市:

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