有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物、其制备方法以及固化物技术

技术编号:33079692 阅读:19 留言:0更新日期:2022-04-15 10:29
本发明专利技术提供一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物,其具有如式(I)所示的一结构,式(I)中各符号如说明书所定义者。借此,利用硅氧烷化合物做为桥梁,将可自由基固化官能基导入双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物侧链,使其具备自由基固化的低介电性和硅氧化合物的高耐热、低介电及阻燃性。低介电及阻燃性。低介电及阻燃性。

【技术实现步骤摘要】
有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物、其制备方法以及固化物


[0001]本专利技术是有关于一种有机硅改性树脂、其制备方法以及固化物,特别是有关于一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物、其制备方法以及固化物。

技术介绍

[0002]现今,电子产品已趋向轻薄短小,并适合高频传输,且随着近年来信息通讯量的爆增,高频印刷电路板的需求越来越高,为了减少高频段的传输损耗,电器性能优异的材料成为相关领域的研究重点,同时,为了在高温、高湿度环境下依然维持电子元件的正常运作,电路板必须兼具耐热、难燃以及低吸水性等特性。
[0003]目前,电路板领域常使用环氧树脂搭配酚醛树脂进行固化作为绝缘及黏合材料,然而,尽管这类型的材料具有良好的加工特性及铜箔接着性,但其存在固化后产生极性官能基团的缺点,导致电气性能下降,不适合应用于高频高速电路板。针对上述缺点,已有部分技术导向使用环氧树脂搭配活性酯及苯乙烯

马来酸酐共聚物(SMA),借以克服固化后高极性基团的生成,即使电气性能获得提升,但要使用于高频低损耗领域仍稍嫌不足。
[0004]有鉴于此,如何合成出一种新型态的树脂,使其可导入高频低损耗的应用领域,遂成相关业者努力的目标。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一目的是提供一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物及其制备方法,利用硅氧化合物为桥梁将可自由基固化官能基导入双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物侧链,使其具备自由基固化的低介电性和硅氧化合物的高耐热、低介电及阻燃性。
[0006]本专利技术的一实施方式提供一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物,其具有如式(I)所示的一结构:
[0007][0008]其中,R为甲基或乙基,f为乙烯基或3

(甲基丙烯酰氧)丙基,n为0至5的整数。
[0009]本专利技术的另一实施方式提供一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法,包含进行一混合步骤、进行一添加步骤、进行一脱醇步骤以及进行一过滤
步骤。混合步骤是将一如式(i)所示的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物于一无水溶剂中混合,并升温至一第一温度加速溶解,以得到一第一混合物:
[0010][0011]添加步骤是将一催化剂添加至第一混合物中以得到一第二混合物。脱醇步骤是升温至一第二温度后,将一如式(ii)所示的硅氧烷化合物添加至第二混合物中并馏出醇类,以得到一第三混合物:
[0012][0013]过滤步骤是将第三混合物降温并过滤,以得到一如式(I)所示的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物:
[0014][0015]其中,R为甲基或乙基,f为乙烯基或3

(甲基丙烯酰氧)丙基,n为0至5的整数。
[0016]依据前段所述的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法,其中无水溶剂可为芳香族类。
[0017]依据前段所述的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法,其中第一温度可为80℃至110℃。
[0018]依据前段所述的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法,其中催化剂可为咪唑衍生物、有位阻的脒类衍生物或二甲氨基吡啶衍生物。
[0019]依据前段所述的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法,其中催化剂的添加量可为200ppm至1000ppm。
[0020]依据前段所述的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法,其中第二温度可为110℃至120℃。
[0021]本专利技术的又一实施方式提供一种固化物,其是通过前述的有机硅改性的双环戊二
烯衍生的羟基芳香族化合物与一改性聚苯醚树脂混合,并添加一过氧化物进行一固化反应而得。
[0022]依据前段所述的固化物,其中有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物与改性聚苯醚树脂的固含量比可为20:80。
[0023]依据前段所述的固化物,其中改性聚苯醚树脂可为甲基丙烯酸酯基改性聚苯醚。
[0024]借此,本专利技术的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物所制得的固化物具有低介电损失以及耐热性,适合应用于高频低损耗基板领域中。
附图说明
[0025]为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附图式的说明如下:
[0026]图1是绘示依照本专利技术的一实施方式的一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法的步骤流程图。
[0027]其中,附图标记说明如下:
[0028]100:有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法
[0029]110,120,130,140:步骤
具体实施方式
[0030]下述将更详细讨论本专利技术各实施方式。然而,此实施方式可为各种专利技术概念的应用,可被具体实行在各种不同的特定范围内。特定的实施方式是仅以说明为目的,且不受限于揭露的范围。
[0031]本专利技术中,有时以键线式(skeleton formula)表示化合物结构,此种表示法可以省略碳原子、氢原子以及碳氢键。倘若,结构式中有明确绘出官能基的,则以绘示者为准。
[0032]本专利技术中,「有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物,具有如式(I)所示的一结构」,为了简洁与通顺,有时会表达为式(I)所示的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物或有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物(I),其他化合物或基团的表示方式依此类推。
[0033]本专利技术中,如果没有特别指明某一基团是否经过取代,则该基团可表示经取代或未经取代的基团。例如,「烷基」可表示经取代或未经取代的烷基。
[0034]<有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物>
[0035]本专利技术的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物具有如式(I)所示的一结构:
[0036][0037]其中,R为甲基或乙基,f为乙烯基或3

(甲基丙烯酰氧)丙基,n为0至5的整数。
[0038]详细来说,碳氧键能约为358KJ/mol,而硅氧键能约为452KJ/mol,因此硅氧烷材料具有较佳的耐热性,同时具备优异介电性及低吸水性。本专利技术利用硅氧烷化合物作为桥梁,将可自由基固化的官能基导入具电性优势的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物,同时满足自由基固化不产生极性官能基的特性,又保留硅氧烷化合物的电气性能以及对金属与纤维的良好接着特性,故应用于玻璃纤维预浸料及高频低损耗基板领域中极具潜力。
[0039]<有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法>
[0040]配合参照图1,其是依照本专利技术的一实施方式的一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法100的步骤流程图。在图1中,有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物,其特征在于,具有如式(I)所示的一结构:其中,R为甲基或乙基,f为乙烯基或3

(甲基丙烯酰氧)丙基,n为0至5的整数。2.一种有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物的制备方法,其特征在于,包含:进行一混合步骤,其是将一如式(i)所示的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物于一无水溶剂中混合,并升温至一第一温度加速溶解,以得到一第一混合物:进行一添加步骤,其是将一催化剂添加至该第一混合物中以得到一第二混合物;进行一脱醇步骤,其是升温至一第二温度后,将一如式(ii)所示的硅氧烷化合物添加至该第二混合物中并馏出醇类,以得到一第三混合物:进行一过滤步骤,其是将该第三混合物降温并过滤,以得到一如式(I)所示的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族化合物:
其中,R为甲基或乙基,f为乙烯基或3

(甲基丙烯酰氧)丙基,n为0至5的整数。3.如权利要求2所述的有机硅改性的双环戊二烯衍生的羟基芳香族...

【专利技术属性】
技术研发人员:高均其汪孟纬
申请(专利权)人:上纬兴业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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