光耦合器以及光放大器制造技术

光耦合器具有第一构件至第N构件，第K构件(K为1～N的整数)包含：MC光纤，其具有在圆周上等间隔地配置的第一纤芯至第P(P为N以上的整数)纤芯、以及配置在与第一纤芯最近的位置的标记；以及一个以上的SC光纤，第K构件的SC光纤的纤芯与不同于第一纤芯的耦合纤芯耦合，第M构件(M为1～N

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光耦合器以及光放大器


[0001]本专利技术涉及光耦合器以及光放大器。

技术介绍

[0002]非专利文献1公开了研磨型的光耦合器。非专利文献1所公开的研磨型的光耦合器通过对两根单模(SM)光纤的包层进行研磨，从而将两根SM光纤的纤芯配置为接近。通过将两根SM光纤的纤芯配置为接近，能够使在一方的纤芯中传输的信号光转移到另一方的纤芯。非专利文献1还公开了通过调整纤芯间的距离以及接近的长度，可得到各种耦合率的光耦合器。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1：保立和夫，“光纤及其应用
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VIII光纤应用部件(1)
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单模光纤型光学器件”，光学第19卷第6号，1990年6月

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]近年来，为了扩大光通信系统的传送容量，利用多芯(MC)光纤。MC光纤是具有多个纤芯的光纤。在使用MC光纤的通信系统中，一组光发送装置以及光接收装置经由MC光纤的一个纤芯进行信号光的发送接收。因此，例如，在使用具有P个(P为2以上的整数)纤芯的MC光纤的光通信系统中，需要将P个单芯(SC)光纤的纤芯和该MC光纤的P个纤芯连接的光学部件。以下，将连接P个SC光纤的纤芯和MC光纤的P个纤芯的光学部件称为P芯MC型光耦合器。
[0008]例如，将非专利文献1所公开的研磨型光耦合器应用于MC光纤，将P个SC光纤的纤芯分别配置为与MC光纤的P个纤芯中的一个纤芯接近，由此能够生成P芯MC型光耦合器。但是，通常，在MC光纤的包层中设置有用于对各纤芯进行识别、鉴定的标记。标记具有与纤芯、包层不同的折射率，因此MC光纤的多个纤芯中的配置于标记的附近的纤芯与SC光纤的纤芯的耦合率同MC光纤的其他纤芯与SC光纤的纤芯之间的耦合率相比而劣化。
[0009]用于解决问题的手段
[0010]根据本专利技术的一个方式，光耦合器具有第一构件至第N构件(N为2以上的整数)，第K构件(K为1～N的整数)包含：多芯光纤，其具有在圆周上等间隔地配置的第一纤芯至第P(P为N以上的整数)纤芯、以及配置在与所述第一纤芯至所述第P纤芯中的所述第一纤芯最近的位置的标记；以及一个以上的单芯光纤，所述第K构件的单芯光纤的纤芯与所述第一纤芯至所述第P纤芯中的与所述第一纤芯不同的耦合纤芯耦合，第M构件(M为1～N
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1的整数)的所述多芯光纤的各纤芯与第(M+1)构件的所述多芯光纤的各纤芯连接，所述第一构件至所述第N构件所包含的所述单芯光纤的合计数为P，通过所述第一构件至所述第N构件的所述连接而构成的所述多芯光纤的P个纤芯分别与所述第一构件至所述第N构件所包含的P个所述单芯光纤的纤芯中的一个纤芯耦合。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本专利技术，能够减小多芯光纤与各纤芯之间的耦合率的差。
[0013]本专利技术的其他特征以及优点，通过以附图为参照的以下说明而得以明确。此外，在附图中，对于相同或同样的结构，标注相同的附图标记。
附图说明
[0014]图1是四芯MC光纤的剖视图。
[0015]图2是一个实施方式所涉及的四芯MC型光耦合器中使用的光学构件的生成方法的说明图。
[0016]图3是表示一个实施方式所涉及的四芯MC型光耦合器中使用的光学构件的图。
[0017]图4A是一个实施方式所涉及的四芯MC型光耦合器的结构的说明图。
[0018]图4B是一个实施方式所涉及的四芯MC型光耦合器的结构的说明图。
[0019]图5是表示一个实施方式所涉及的四芯MC型光耦合器中使用的光学构件的图。
[0020]图6A是一个实施方式所涉及的四芯MC型光耦合器的结构的说明图。
[0021]图6B是一个实施方式所涉及的四芯MC型光耦合器的结构的说明图。
[0022]图7A是一个实施方式所涉及的四芯MC
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EDF的结构的说明图。
[0023]图7B是一个实施方式所涉及的四芯MC
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EDF的结构的说明图。
具体实施方式
[0024]以下，参照附图对实施方式进行详细说明。此外，以下的实施方式并非对权利要求书所涉及的专利技术进行限定，另外，在实施方式中说明的特征的组合未必全部都是专利技术所必须的。也可以对实施方式中说明的多个特征中的两个以上的特征任意地进行组合。另外，对相同或者同样的结构标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[0025]<第一实施方式>
[0026]以下，对本实施方式的P芯MC型光耦合器(P为2以上的整数)进行说明。此外，在本实施方式中设为P＝4。图1示出了在四芯MC型光耦合器中使用的MC光纤1的、在与长边方向正交的平面上的剖面。MC光纤1在包层内具有四个纤芯11～14。纤芯11～纤芯14等间隔地配置在以剖面的中心为中心的预定半径的圆周上。即，各纤芯与剖面的中心之间的距离相同，并且，将彼此相邻的两个纤芯与剖面的中心连接的两个线段的角度(以下，称为纤芯间角度)，就相邻的两个纤芯的各个组合而言是相等的。在四芯的MC光纤的情况下，纤芯间角度为2π/4＝π/2。此外，在P芯的MC光纤的情况下，纤芯间角度为2π/P。
[0027]另外，MC光纤1在包层内具有标记2。标记2是为了对纤芯11～纤芯14进行识别、鉴定而设置的。例如，最接近标记2的纤芯是纤芯11，能够从纤芯11起按顺时针方向的顺序确定为纤芯12、纤芯13、纤芯14。标记2以与纤芯11～纤芯14、包层不同的折射率构成。
[0028]例如，从MC光纤1的外周侧对包层部分进行切削，并使四个SC光纤的纤芯分别与纤芯11～纤芯14接近，由此能够构成四芯MC型光耦合器。但是，由于在纤芯11的附近设置有标记2，因此纤芯11与耦合于纤芯11的SC光纤的纤芯之间的耦合率同纤芯12～纤芯14分别与SC光纤的纤芯之间的耦合率相比而劣化。本实施方式减小MC光纤的各纤芯与SC光纤的纤芯之间的耦合率的差。
[0029]以下，对四芯MC型光耦合器的制造方法进行说明。如图2所示，从距与标记2的距离最大的纤芯13最近的MC光纤1的外周面对包层进行研磨。另外，也对具有纤芯31的SC光纤3的包层进行研磨。然后，如图3所示，使MC光纤1的研磨面与SC光纤3的研磨面熔接。在以下的说明中，将如图3所示那样使MC光纤1的研磨面与SC光纤3的研磨面熔接而成的构件称为光学构件100。
[0030]如非专利文献1所记载的那样，在所耦合的光的波长(频率)已确定的情况下，纤芯31与纤芯13之间的耦合率依赖于纤芯31与纤芯13之间的距离、和使纤芯13以及纤芯31接近的长边方向上的长度。即，MC光纤1以及SC光纤3的研磨量和所研磨的长边方向上的长度基于纤芯13与纤芯31之间所需的耦合率来决定。
[0031]此外，纤芯31也能够与纤芯11、纤芯12以及纤芯14耦合。纤芯31与纤芯11、纤芯12以及纤芯14各自的耦合率也依赖于芯间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光耦合器，其具有第一构件至第N构件(N为2以上的整数)，其中，第K构件(K为1～N的整数)包含：多芯光纤，其具有在圆周上等间隔地配置的第一纤芯至第P(P为N以上的整数)纤芯、以及配置在与所述第一纤芯至所述第P纤芯中的所述第一纤芯最近的位置的标记；以及一个以上的单芯光纤，所述第K构件的单芯光纤的纤芯与所述第一纤芯至所述第P纤芯中的与所述第一纤芯不同的耦合纤芯耦合，第M构件(M为1～N
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1的整数)的所述多芯光纤的各纤芯与第(M+1)构件的所述多芯光纤的各纤芯连接，所述第一构件至所述第N构件所包含的所述单芯光纤的合计数为P，通过所述第一构件至所述第N构件的所述连接而构成的所述多芯光纤的P个纤芯分别与所述第一构件至所述第N构件所包含的P个所述单芯光纤的纤芯中的一个纤芯耦合。2.根据权利要求1所述的光耦合器，其中，P等于N，所述第K构件所包含的所述单芯光纤的数量为1。3.根据权利要求2所述的光耦合器，其中，在使所述第(M+1)构件的所述第一纤芯相对于所述第M构件的所述第一纤芯而旋转了2π/N对应量的状态下，所述第M构件的所述多芯光纤的各纤芯与所述第(M+1)构件的所述多芯光纤的各纤芯连接。4.根据权利要求1所述的光耦合器，其中，P等于2
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N，所述第K构件所包含的所述单芯光纤的数量为2，所述第K构...

【专利技术属性】
技术研发人员：若山雄太，钓谷刚宏，
申请(专利权)人：凯迪迪爱通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：