一种航天用口腔X射线影像装置和系统制造方法及图纸

技术编号:33064590 阅读:30 留言:0更新日期:2022-04-15 09:54
一种航天用口腔X射线影像装置和系统,该装置包括手持单元、枪体与辐射屏蔽罩;其中,手持单元中包含供电单元;枪体中包含X射线生成器、X射线探测器、X射线准直器以及限束器;X射线生成器生成的X射线经过枪体中的X射线准直器以及限束器后离开装置;X射线探测器用以探测X射线光子并将成探测到的X射线光子数据通过蓝牙传输至终端进行成像处理;辐射屏蔽罩用于屏蔽枪体外X射线对枪体内部电路的辐射,该系统包括该装置、无线发射装置和地面终端,本发明专利技术携带方便且在操作时可针对口腔任意局部进行成像,更加高效快捷;适用于宇宙环境中口腔X射线影像装置成像质量相等的影像。腔X射线影像装置成像质量相等的影像。腔X射线影像装置成像质量相等的影像。

【技术实现步骤摘要】
一种航天用口腔X射线影像装置和系统


[0001]本专利技术属于医疗仪器领域,具体涉及一种航天用口腔X射线影像装置和系统。

技术介绍

[0002]随着空间技术的发展,宇航员停留在宇宙空间中的时间增加。宇宙空间中的生活环境不同,容易罹患口腔疾病,影响执行宇航任务。自X射线被发现以来,X射线成像技术已被广泛应用于工业和医疗仪器应用之中。当高分辨率X射线成像设备用于医疗诊断目的时,业界对这些系统最重要的要求是尽可能快地获得图像以减少误差。通常情况下,这样的设备是昂贵且笨重的。
[0003]现有技术中用于口腔X射线影像装置大多存在同样的问题,不仅造价不菲且需要通过拍摄多张口腔的X射线影像来获取口腔整体情况,无法灵活地拍摄口腔全景,因此对于用于口腔X射线影像设备在轻便性方面的要求则更高。特别是宇航员工作的太空环境中,对设备的体积和重量敏感,现有口腔X射线影像装置难以在太空中使用。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中存在的不足,本专利技术的目的在于,提供一种航天用口腔X射线影像装置和系统。
[0005]本专利技术采用如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种航天用口腔X射线影像装置,其特征在于,所述航天用口腔X射线影像装置包括手持单元(1)、枪体(2)与辐射屏蔽罩(8);所述手持单元(1)中包含供电单元(3);枪体(2)中包含X射线生成器(4)、X射线探测器(5)、X射线准直器(6)以及限束器(7);X射线生成器(4)生成的X射线经过枪体中的X射线准直器(6)以及限束器(7)后离开装置;X射线探测器(5)用以探测X射线光子并将成探测到的X射线光子数据通过蓝牙传输至终端进行成像处理;辐射屏蔽罩(8)用于屏蔽枪体外X射线对枪体内部电路的辐射;所述X射线探测器(5)包括硅光电二极管(B)、电荷灵敏前置放大器、成形放大器以及蓝牙数据传输单元;其中,硅光电二极管(B)连接电荷灵敏前置放大器的输入端,电荷灵敏前置放大器的输出端连接成形放大器的输入端,成形放大器的输出端连接蓝牙数据传输单元;所述电荷灵敏前置放大器的输入端接入一个硅光电二极管(B)以及两个第二电阻(E2),两个第二电阻(E2)分别与第三电容器(F3)并联;电荷灵敏前置放大器包括一个NPN型硅场效应晶体管(G1)、第一至第四射频双极晶体管(A1)、(A2)、(A3)、(A4);电荷灵敏前置放大器输入端在接入硅光电二极管(B)后连接第四电容器(F4),之后连入NPN型硅场效应晶体管(G1)的基础端;NPN型硅场效应晶体管(G1)的采集端分别与第一射频双极晶体管(A1)的发射端与电压的正极相连,其发射端接地;所述第一射频双极晶体管(A1)的采集端与第二射频双极晶体管(A2)的采集端相连,同时与第三射频双极晶体管(A3)的基础端相连;其基础端与第三射频双极晶体管(A3)的发射端以及第四频双极晶体管(A4)的基础端相连;第二射频双极晶体管(A2)的发射端以及基础端分别与NPN型硅场效应晶体管(G1)的基础端相连;第三射频双极晶体管(A3)的基础端以及采集端分别与NPN型硅场效应晶体管(G1)的基础端相连;第三射频双极晶体管(A3)的发射端与第四射频双极晶体管(A4)的基础端相连;第四射频双极晶体管(A4)的发射端接入电压的负极,采集端接入电压的正极;电荷灵敏前置放大器的输出接入第四射频双极晶体管(A4)的发射端;所述第一射频双极晶体管(A1)的基础端通过第一电容器(F1)与第六电阻(E6)与第三射频双极晶体管(A3)的发射端以及第四频双极晶体管(A4)的基础端相连;所述第二射频双极晶体管(A2)的发射端通过第十二电阻(E12)与NPN型硅场效应晶体管(G1)的基础端相连;其基础端与并联的第十一电阻(E11)与第五电容器(F5)串联后与NPN型硅场效应晶体管(G1)的基础端相连;在所述第三射频双极晶体管(A3)的基础端与NPN型硅场效应晶体管(G1)的基础端间串联第二电容器(F2);在第三射频双极晶体管(A3)的采集端与NPN型硅场效应晶体管(G1)的基础端间串联第十电阻(E10);在所述第四射频双极晶体管(A4)的发射端与电压的负极间串联第八电阻(E8)与第九电阻(E9);第四射频双极晶体管(A4)的发射端与电压的正极间串联两个第一电阻(E1);所述成形放大器的输入端串联一个第十四电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员:李石
申请(专利权)人:北京信远志成科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:

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