【技术实现步骤摘要】
磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件
[0001]本公开涉及自旋电子学领域,尤其涉及一种磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件。
技术介绍
[0002]随着现代计算机科学不断发展以及信息时代的来临,大量数据的存储成为刚需,对于磁存储器的存储密度,读写速度以及稳定性提出了更高的要求。现在主流的磁存储芯片基本存储结构是磁性隧道结二极管(Magnetic Tunnel Junction,MTJ),主要由自由层,参考层以及中间的势垒层组成,通过改变自由层和参考层之间的磁化状态可以进行信息的存储。早期的MTJ自由层和参考层的磁矩为面内方向排列,然而杂散场的存在限制了MTJ器件的进一步小型化。
[0003]传统的钴基磁性薄膜,主要通过重金属层或氧化层的作用诱导产生垂直磁各向异性,然而这些方法存在磁性薄膜可控厚度小、垂直磁各向异性能较低和制备条件苛刻等缺点,限制了其在自旋电子学器件中的实际应用。
技术实现思路
[0004]针对上述技术问题,本公开一方面提供了一种磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件,以期至少部分地解决上述技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁性薄膜,包括:基片;平滑层,设置在所述基片上;钴基铁磁层,设置在所述平滑层上,具有体心立方结构,用于与所述平滑层晶格匹配;锰基反铁磁层,设置在所述钴基铁磁层上,用于诱导所述钴基铁磁层的垂直磁各向异性;覆盖层,设置在所述锰基反铁磁层上,用于保护磁性薄膜。2.根据权利要求1所述的磁性薄膜;其中,所述钴基铁磁层的材料包括以下任意一种:金属钴、钴合金,其中,所述钴合金包括以下任至少之一:钴铁合金、钴锰合金。3.根据权利要求1或2所述的磁性薄膜,其中,所述钻基铁磁层的厚度包括5~200nm。4.根据权利要求1所述的磁性薄膜,其中,所述锰基反铁磁层的材料包括金属锰,所述锰基反铁磁层的厚度包括1~8nm。5.根据权利要求1所述的磁性薄膜,其中,所述平滑层的材料包括以下任意一种:GaAs、Si、MgO、Cr、Fe、Co2MnSi,所述平滑层的厚度包括5~200nm。...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵旭鹏,韩荣坤,赵建华,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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