一种键合无氧铜丝的表面纳米钯层浸镀工艺制造技术

本发明专利技术涉及无氧铜键合丝表面浸镀领域，尤其涉及一种键合无氧铜丝的表面纳米钯层镀钯工艺，在键合无氧铜丝表面处理过程中，采用浸镀工艺在铜丝的表面上镀一层薄而密的钯层，提高其防氧化性和焊接性，本发明专利技术中工艺稳定，能提高键合无氧铜丝线材的服役寿命和性能，而且具有更低的电阻率，浸镀工艺避免了电镀工艺对环境的污染，克服了传统工艺拉制过程中断线及镀层脱落等问题，制备的无氧铜丝的表面平整光滑，镀层均匀。镀层均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种键合无氧铜丝的表面纳米钯层浸镀工艺


[0001]本专利技术涉及无氧铜键合丝表面浸镀领域，尤其涉及一种键合无氧铜丝的表面纳米钯层镀钯工艺。

技术介绍

[0002]引线键合技术是半导体制造过程中连接集成电路(或其他器件)与其封装体的一种互连方法，引线键合技术属于最早的芯片封装技术，尽管出现了几种先进的封装技术如倒装芯片、晶圆级封装等，引线键合以其灵活和易于使用的特点，直到现在仍然有超过一半以上的器件使用引线键合为互连技术进行微电子封装。
[0003]键合线是微电子封装的五大结构材料之一，用于实现芯片和外部框架的电气连接，主要应用于晶体管集成电路大规模集成电路等各种半导体器件中作为内引线用于各种电子元器件(如二极管，三极管，IC卡等)的封装处理。随着封装的发展趋势向高密度、细间距的发展，键合线的尺寸也逐渐减小，对键合线的要求越来越高，传统的金键合线在导电和导热性能上已趋于极限，寻找线径更细、电学性能好并且成本效益高的替代产品受到了封装界的广泛关注。
[0004]铜键合线相较于金键合线具有更大的优势，例如成本效益高，铜线价格仅为金线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种键合无氧铜丝的表面纳米钯层浸镀工艺，其特征在于，所述浸镀工艺通过浸镀液在键合无氧铜丝表面上浸镀一层致密的纳米钯镀层。2.根据权利要求1所述的键合无氧铜丝的纳米钯镀层浸镀工艺，其特征在于，所述浸镀液包括以下成分，以质量百分比计：纳米钯粉1
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10％、溶剂70
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99％、添加剂0
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15％。3.根据权利要求2所述的键合无氧铜丝的纳米钯镀层浸镀工艺，其特征在于，所述纳米钯粉为粒径为10
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100nm的纳米钯粉。4.根据权利要求2所述的键合无氧铜丝的纳米钯镀层浸镀工艺，其特征在于，所述溶剂为乙醇、异丙醇的混合物。5.根据权利要求2所述的键合无氧铜丝的纳米钯镀层浸镀工艺，其特征在于，所述添加剂为乳化剂、缓蚀剂、成膜剂、抗氧化剂、调节剂。6.根据权利要求1所述的键合无氧铜丝的纳米钯镀层浸镀技术，其特征在于，所述键合无氧铜丝生产工艺流程为：第一步，采...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐榕卿，何孔高，陈建兵，何孔田，唐文静，张军，王家财，
申请(专利权)人：池州学院上海大学，
类型：发明
国别省市：