LCD用光取向量子棒增强膜的钝化层制造技术

本发明专利技术公开了一种用于光取向量子棒增强膜(QREF)的钝化层。钝化层包括具有有机

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】LCD用光取向量子棒增强膜的钝化层


[0001]本专利技术涉及
，具体涉及基于纳米材料的薄膜的封装管理系统及方法。

技术介绍

[0002]量子点增强膜(QDEF)在液晶显示器中用作背光装置。QDEF是通过添加红色和绿色发射量子点(QD)在层压在两个阻挡层之间的聚合物基质中组合在一起来制造的。与传统LED背光相比，QDEF为LCD系统添加了更多颜色，提供了更好的图像质量，覆盖了更多的可见光谱。
[0003]然而，具有QDEF的LCD的电源效率仍然很低。另一方面，量子棒(QR)具有偏振发射特性，其色谱与QD相似。由于各向异性形状，QR显示2D限制，并且1D地面激子态的精细结构分裂和电磁场的介电屏蔽有利于沿棒长轴的光吸收和发射。量子棒需要对齐以进行偏振发射，因此需要特殊层来对齐红色和绿色QR与兼容矩阵，从而为嵌入其中的QR提供良好的对齐和均匀分布。光配向是一种直接的技术，可提供液晶聚合物(LCP)的配向，从而将QR分散到LCP基质中。然而，光取向量子棒增强膜(QREF)的阻挡层结构需要修改以确保对水和氧气的高度钝化。
[0004]QR与QD一样对退化高度敏感，因此光取向的QREF应该具有良好的阻隔性能，防止水和氧气的渗透，这会降低QR的性能。钝化层保护层压结构内部区域中的QR免受氧气或水暴露造成的损坏，但光对准QREF的切割边缘将粘合剂材料暴露在大气中。在边缘区域，QREF的保护主要取决于基体和粘合层的阻隔性能。因此，需要一种包含具有更好阻隔性能的粘合剂层的改性钝化层，以保护光取向QREF中的QR免受降解，从而获得更长的寿命稳定性。
[0005]由于QR需要在矩阵层中对齐，因此不能使用用于QD的常见聚合物矩阵层。此外，粘合剂材料不能混入基质材料中，因为这会导致排列性能下降。因此，具有良好阻挡和取向特性的基质材料是偏振光发射光取向QRs薄膜的先决条件。

技术实现思路

[0006]本专利技术旨在解决当前技术中存在的至少一个问题。为此，本专利技术提供一种用于LCD的光取向量子棒增强膜的钝化层。
[0007]用于封装至少一个光取向量子棒增强膜的钝化层，沉积在光取向层上，用于LCD，包括：
[0008]i.至少一种基材；
[0009]ii.至少一层无机层；
[0010]这表明光取向量子棒增强膜对氧气和湿气有很好的保护作用。
[0011]优选地，根据权利要求1所述的用于封装光取向量子棒增强膜的钝化层，包括至少一层粘合层。
[0012]优选地，其中所述基材包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯。
[0013]优选地，根据权利要求1所述的光取向量子棒增强膜钝化层，其特征在于，所述基
板为背光源导光板。
[0014]优选地，其中基材包含来自聚酯和聚醇酸树脂家族的聚合物。
[0015]优选地，其中所述基材包含来自聚氯乙烯家族的聚合物。
[0016]优选地，其中基材包含来自聚硅氧烷家族的聚合物。
[0017]优选地，其中所述基材包含离聚物家族的聚合物。
[0018]优选地，其中基材包括聚丙烯。
[0019]优选地，其中所述基材包含来自氟化乙烯家族的聚合物。
[0020]优选地，其中基材包含来自苯乙烯甲基丙烯酸甲酯家族的聚合物。
[0021]优选地，其中基材包含来自苯乙烯丙烯腈树脂家族的聚合物。
[0022]优选地，其中所述基材包括聚苯乙烯。
[0023]优选地，其中所述基材包含来自聚芳醚酮家族的聚合物。
[0024]优选地，其中聚芳醚酮族聚合物为聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮、聚醚酮醚酮酮。
[0025]优选地，其中基材包含来自聚酰亚胺家族的聚合物。
[0026]优选地，其中基材包含来自聚碳酸酯家族的聚合物。
[0027]优选地，其中基材包含来自环状烯烃共聚物家族的聚合物。
[0028]优选地，其中所述基材包含来自聚砜家族的聚合物。
[0029]优选地，其中基材包含丙烯酸类聚合物。
[0030]优选地，其中基材包含来自丙烯腈
‑
丁二烯
‑
苯乙烯(ABS)家族的聚合物。
[0031]优选地，其中根据权利要求1所述的钝化层的基板，其中所述基板包括来自丙烯腈苯乙烯丙烯酸酯(ASA)家族的聚合物。
[0032]基板厚度在50
‑
1000μm范围内。
[0033]优选地，其中衬底厚度为100
‑
400μm。
[0034]钝化层包含至少一层涂布在所述基板上的平坦化层。
[0035]优选地，所述平坦化层包括有机聚合物、硅氧烷聚合物、硅酸盐、金属氧化物、掺氟氧化锡或它们的混合物。
[0036]优选地，其中Al2O3沉积在衬底上作为平坦化层。
[0037]优选地，其中Al2O3沉积在基板上的厚度为50nm
‑
5μm。
[0038]优选地，其中沉积在基板上的Al2O3的厚度为200nm。
[0039]无机层至少涂覆在基板的一侧，用于光定向量子棒增强膜的紧密钝化。
[0040]优选地，其中无机层厚度为50nm
‑
5μm。
[0041]优选地，其中无机层厚度为200nm。
[0042]优选地，其中无机层包括硅酸盐、磷硅酸盐、机械沉积的玻璃料、硅、铝、锡、铟、硼和钛的氧化物和氮化物。
[0043]优选地，其中无机层包括两种不同无机层的组合。
[0044]优选地，其中无机层为SiO2层。
[0045]优选地，其中所述钝化层包括有机层或无机层的组合。
[0046]优选地，其中钝化层包括交替的有机层和无机层的组合。
[0047]优选地，其中所述钝化层包括具有交替的有机层和无机层的组合的多个层。
[0048]优选地，其中所述钝化层包括由交替组合的有机层和无机层组成的三层。
[0049]优选地，其中根据权利要求31的无机层还用作根据权利要求26的所述基板的平坦化层。
[0050]优选地，其中所述钝化层包括涂覆有保护层的一个衬底，以及位于增强膜顶部的另一个无机层。
[0051]优选地，保护层为无机层。
[0052]优选地，其中所述钝化层包括涂有无机层的PET基材，以及在增强膜之上的另一无机层。
[0053]优选地，其中所述钝化层包括涂覆有无机层的PET基材，以及在增强膜之上的另一无机层和在无机层之上的有机层。
[0054]优选地，其中基板为厚度70μm的PET基板，无机层为厚度200nm的SiO2层。
[0055]钝化层包括涂有无机层的作为基板的导光板，以及在增强膜顶部的另一无机层。
[0056]优选地，其中所述钝化层包括作为基板的导光板，所述导光板涂覆有无机层，在增强膜之上的另一无机层和在无机层之上的有机层。
[0057]优选地，所述基板为厚度400μm的导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于封装至少一个光取向量子棒增强膜的钝化层，沉积在光取向层上，用于LCD，包括：i.至少一种基材；ii.至少一层无机层；这表明光取向量子棒增强膜对氧气和湿气有很好的保护作用。2.根据权利要求1所述的用于封装光取向量子棒增强膜的钝化层，包括至少一层粘合层。3.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层，其特征在于，所述基材包括聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯。4.根据权利要求1所述的光取向量子棒增强膜钝化层，其特征在于，所述基板为背光用导光板。5.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基材，其特征在于，所述基材包括来自聚酯和聚醇酸树脂家族的聚合物。6.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层基板，其中所述基板包括来自聚氯乙烯家族的聚合物。7.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自聚矽氧烷家族的聚合物8.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其特征在于，所述基板包括离聚物家族的聚合物。9.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其特征在于，所述基板包括聚丙烯。10.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自氟化乙烯家族的聚合物。11.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自苯乙烯甲基丙烯酸甲酯家族的聚合物。12.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自苯乙烯丙烯腈树脂家族的聚合物。13.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层，其特征在于，所述基材包括聚苯乙烯。14.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自聚芳醚酮家族的聚合物。15.根据权利要求14所述的聚合物，其中，所述聚芳醚酮族聚合物为聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮、聚醚酮醚酮酮。16.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自聚酰亚胺家族的聚合物。17.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自聚碳酸酯族的聚合物。18.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基材，其中所述基材包括来自环烯烃共聚物家族的聚合物。
19.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自聚砜家族的聚合物。20.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中，所述基板包括丙烯酸聚合物。21.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层的基板，其中所述基板包括来自丙烯腈
‑
丁二烯
‑
苯乙烯(ABS)家族的聚合物。22.根据权利要求1所述的钝化层基板，其中所述基板包含来自丙烯腈苯乙烯丙烯酸酯(ASA)族的聚合物。23.根据权利要求1所述的光取向量子棒增强膜的钝化层基板，其特征在于，所述基板的厚度为50
‑
1000μm。24.根据权利要求3所述的光取向量子棒增强膜钝化层基板，其特征在于，所述基板厚度为70μm。25.根据权利要求4所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层基板，其特征在于，所述基板的厚度为100
‑
400μm。26.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层，其包含至少一层涂布在所述基板上的平坦化层。27.根据权利要求26所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层，其特征在于，所述平坦化层包括有机聚合物、硅氧烷聚合物、硅酸盐、金属氧化物、掺氟氧化锡或它们的混合物。28.根据权利要求26所述的平坦化层，其中Al2O3沉积在所述衬底上。29.根据权利要求28所述的平坦化层，其中Al2O3沉积在基板上，厚度在50nm
‑
5μm的范围内。30.根据权利要求28所述的平坦化层，其特征在于，所述Al2O3沉积在所述衬底上的厚度为200nm。31.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层，其特征在于，所述无机层涂覆在衬底的一侧，至少用于光取向量子棒增强膜的紧密钝化。32.根据权利要求31所述的无机层，其中，所述无机层厚度在50nm
‑
5μm的范围内。33.根据权利要求31所述的无机层，其中，所述无机层厚度为200nm。34.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层，其中所述无机层包括矽酸盐、磷矽酸盐、机械沉积的玻璃料、矽、铝、锡、铟、硼和钛的氧化物和氮化物。35.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层，其中，所述无机层包括两种不同无机层的组合。36.根据权利要求34所述的无机层，其中，所述无机层是SiO2层。37.根据权利要求1所述的用于光取向量子棒增强膜的钝化层，其中，所述钝化层包括有机层或无机层的组合。38.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯瓦德什，
申请(专利权)人：珠海市柔美科技有限公司，
类型：发明
国别省市：