一种超导腔耦合口结构、超导腔与功率输入耦合器系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种超导腔耦合口结构、超导腔与功率输入耦合器系统。本申请超导腔耦合口结构，包括超导腔上的功率输入耦合接口和功率输入耦合器，功率输入耦合接口和功率输入耦合器一端通过法兰连接，其特征在于，所述功率输入耦合接口具有一弯转角度，功率输入耦合器插入所述功率输入耦合口的插入端具有与该弯转角度匹配的弯转结构，用于该插入端插入弯转的所述功率输入耦合接口。本实用新型专利技术将耦合器内导体头部和超导腔耦合口进行弯转设计，使陶瓷窗不在直视超导腔微波面，从而避免陶瓷窗被高能电子轰击损伤。被高能电子轰击损伤。被高能电子轰击损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种超导腔耦合口结构、超导腔与功率输入耦合器系统


[0001]本技术涉及加速器与超导
，具体涉及到一种新型超导腔耦合口结构、超导腔与功率输入耦合器系统。

技术介绍

[0002]超导腔是射频超导技术在加速器领域的一种应用。超导腔在加速粒子时需要功率耦合器为其提供射频功率。当超导腔运行在高加速梯度时，由于表面电场大，腔体污染，腔内微波面有缺陷等原因时就容易发生场致发射。场致发射时产生的高能电子飞出后十分容易进入耦合器内并飞射至耦合器陶瓷窗处，高能电子在陶瓷窗处的积增会导致耦合器陶瓷窗部件的损坏。本技术提出一种避免耦合器陶瓷窗被超导腔内产生的场致发射电子损伤的耦合口设计方案。
[0003]超导腔为加速器系统的粒子加速设备，负责给束流提供功率，与之配套的功率输入耦合器负责给超导腔传输稳定的高频功率，同时耦合器还需要保障超导腔的高度洁净和低漏热连接。常规的单窗同轴型功率输入耦合器设计方案如图1所示。图1为同轴型功率输入耦合器与超导腔连接截面图。耦合器绘制了陶瓷窗体至超导腔真空部分的简易示意图。超导腔绘制了耦合口的简易示意图。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超导腔耦合口结构，包括超导腔上的功率输入耦合接口和功率输入耦合器，功率输入耦合接口和功率输入耦合器一端通过法兰连接，其特征在于，所述功率输入耦合接口具有一弯转角度，功率输入耦合器插入所述功率输入耦合口的插入端具有与该弯转角度匹配的弯转结构，用于该插入端插入弯转的所述功率输入耦合接口。2.如权利要求1所述的超导腔耦合口结构，其特征在于，所述功率输入耦合器包括内导体和外导体，所述插入端的插入长度其中，Do为外导体直径，D
i
为内导体直径，r内导体与外导体之间的安装空间距离，L为内导体弯转半径，θ为内导体弯转角度。3.如权利要求1或2所述的超导腔耦合口结构，其特征在于，所述弯转角度为15
°
～60
°
。4.如权利要求2所述的超导腔耦合口结构，其特征在于，所述耦合器的陶瓷窗为Al2O3陶瓷片，所述内导体、外导体均采用无氧铜材料，所述法兰为不锈钢材料。5.一种超导腔与功率输...

【专利技术属性】
技术研发人员：周全，潘卫民，贺斐思，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：新型
国别省市：