复合材料及其制备方法和发光二极管技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种复合材料及其制备方法和发光二极管。本申请提供的复合材料包括发光量子点、不发光量子点和连接配体，连接配体连接发光量子点和不发光量子点。如此，使得不发光量子点作为保护量子点并结合连接配体表面修饰发光量子点，实现了在不影响发光量子点的光学性能的基础上有效填补发光量子点的表面缺陷，提高了量子点材料的光学稳定性；同时，将不发光量子点通过连接配体连接发光量子点，有效增加各发光量子点之间的距离，避免发生团聚，并提高了能量利用效率，利于获得具有超高单色性且发光性能优异的复合材料。材料。材料。

【技术实现步骤摘要】
复合材料及其制备方法和发光二极管


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种复合材料及其制备方法，以及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]量子点(quantum dot)，是一类典型的纳米材料，其半径通常小于或接近于激子波尔半径，表现出显著的量子点限域效应，具有独特的光学性能，如：发光光谱随材料自身的尺寸和组份连续可调、半峰宽窄、荧光效率高、长寿命、优良的单分散性和光热稳定性强等。这些独特的性能使其广泛应用在显示、照明、生物标记和太阳能电池等领域。
[0003]与传统的球形或类球形的零维量子点相比，二维纳米量子点除了拥有一般量子点的基本特性外，还表现出区别于零维量子点的特性，例如，零维量子点的峰宽通常在20nm以上，不能满足超单色性要求峰宽<15nm的标准，而二维纳米量子点的峰宽通常<15nm，能显著改善器件的单色性，对实现具有高色纯度的量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode，QLED)具有重要意义。
[0004]现有技术合成的二维纳米核壳结构量子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，包括发光量子点、不发光量子点和连接配体，所述连接配体连接所述发光量子点和所述不发光量子点。2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述发光量子点为二维纳米量子点；优选地，所述不发光量子点为零维量子点或二维纳米量子点。3.如权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述发光量子点具有核壳结构，且所述发光量子点的壳层沿其平面方向生长；优选地，所述不发光量子点连接在所述发光量子点的厚度方向上的两个平面。4.如权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述不发光量子点为非核壳结构量子点；所述不发光量子点的金属元素与所述发光量子点的壳层的金属元素同族，和/或所述不发光量子点的非金属元素与所述发光量子点的壳层的非金属元素同族；优选地，所述发光量子点的壳层材料为II-VI族半导体材料，所述发光量子点的核材料为II-VI族半导体材料或III-V族半导体材料；优选地，所述不发光量子点的材料为II-VI族半导体材料。5.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述连接配体包括用于连接所述发光量子点的第一连接基团以及用于连接所述不发光量子点的第二连接基团，所述第一连接基团和所述第二连接基团各自独立地选自巯基、羧基、羟基、磺酸基、氨基和磷酸基团中的任一种；优选地，所述连接配体为巯基烷酸。6.如权利要求1至5任一项所述的复合材料，其特征在于，所述发光量子点和所述不发光量子点的质量比为1:(10-100)；和/或所述发光量子点和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂志文，张旋宇，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：