一种高体积容量的金属相二硫化钼电极及其制备方法和超级电容应用技术

本发明专利技术公开了一种高体积容量的金属相二硫化钼电极，该高体积容量的金属相二硫化钼电极包括了金属相二硫化钼纳米片和嵌入纳米片层间的溶剂化离子。本发明专利技术还公开了一种高体积容量的金属相二硫化钼电极的制备方法。本发明专利技术还公开了一种金属相二硫化钼薄膜电极及其制备方法。本发明专利技术还公开了一种非对称二硫化钼||活性炭超级电容。该发明专利技术通过在纳米片层间嵌入溶剂化离子的方式，提高了二硫化钼金属相的纯度和纳米片的层间距，克服了因电极厚度增加导致的电化学性能严重衰减的问题，实现了金属相二硫化钼薄膜电极在亚毫米厚度下的高比体积性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高体积容量的金属相二硫化钼电极及其制备方法和超级电容应用


[0001]本专利技术属于超级电容储能领域，尤其涉及一种高体积容量的金属相二硫化钼电极及其制备方法和超级电容应用。

技术介绍

[0002]由于其较高的功率密度和优异的循环寿命，超级电容在便携式电子产品、智能电网、电动汽车和可再生能源的大规模部署等实际应用中具有广泛的应用前景。对于实际应用中的小型超级电容设备，由于器件体积或面积受到限制，器件的比体积性能(如体积比电容)相较于比质量性能更为关键[Nat.Energy,2018,3,30
‑
36；Nature,2014,516,78
‑
81]。
[0003]作为一种新型二维纳米材料，二硫化钼因钼原子的多种氧化态、丰富的活性边缘硫原子、排列规整的层状结构和高可及表面积，在实现高比体积性能的超级电容上具有显著优势。2015年Muharrem Acerce等报道的一种二维金属相二硫化钼薄膜电极，在5μm厚度下比体积电容达到了700F cm
‑3[Nat.Nanotechnol.,2015,10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
cm
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【专利技术属性】
技术研发人员：薄拯，杨化超，程向南，严建华，岑可法，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：