一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，本发明专利技术先利用自组装法在具有亲水性表面的Si衬底上自组装出密排的聚苯乙烯胶体球阵列，得到有序纳米图纹化结构模板；得到的有序纳米图纹化结构模板表面磁控溅射一些金膜，溅射时间为30s；金膜的直径为10～150纳米；将得到的镀有金膜的有序纳米图纹化结构模板进行倒置；最后将倒置得到的模板平行刻蚀；本发明专利技术设计并制备的纳米结构通过表面等离激元效应，增强了拉曼信号。制备成本较低，制备工艺较简单，能够有效的被大规模复制应用。能够有效的被大规模复制应用。能够有效的被大规模复制应用。

【技术实现步骤摘要】
一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法


[0001]本专利技术属于纳米复合材料合成
，具体涉及一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法。

技术介绍

[0002]表面等离激元诱导生长技术在纳米结构制备方法中有着广泛的应用，表面等离激元由于其独特的物理特性，使得某些金属如金、银、铜等在激发状态下具有优良的性能，在生物催化，生物监测，晶体生长等领域有重要的应用，研究者对表面等离激元的调控，主要集中在对表面等离子体的局域表面等离子体的调控和应用，因为局域表面等离子体的分布区域非常集中并且能量较高，特别适合在纳米尺度去操控化学反应的进行。但在纳米尺度上表面等离激元热点分布与其结构的尺寸形状有很大的关系。目前，在表面等离激元结构制备方面，主要通过物理和化学两种方法制备出，尖端，缝隙等具备热点的纳米结构，从而实现一些生物检测应用。
[0003]目前制备纳米结构的常用方法主要有磁控溅射，热蒸发，化学气相沉积以及化学合成等方法，并伴随着光刻等技术的精细加工，整体结构的制备工艺及过程往往很复杂，成本也较高。
[0004]例如一种在中国专利文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：(A)清洗硅片；(B)利用自组装法，在具有亲水性表面的Si衬底上自组装出密排的聚苯乙烯胶体球阵列，得到有序纳米图纹化结构模板；(C)在步骤(B)中得到的有序纳米图纹化结构模板表面磁控溅射一些金膜，溅射时间为30
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150s；金膜的直径为10～150纳米；(D)对步骤(C)中得到的镀有金膜的有序纳米图纹化结构模板进行倒置；(E)对步骤(D)中倒置得到的模板平行刻蚀；等离子源刻蚀时间为1～300min，离子源刻蚀功率为10～500w。2.根据权利要求1所述的一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，其特征在于：清洗硅片，具体为：将硅片并放入烧杯中，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雅新，毛德源，赵晓宇，温嘉红，刘佳，孔哲，张鉴，张永军，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：