【技术实现步骤摘要】
基于三值忆阻器的一位三值比较器电路
[0001]本专利技术属于电路设计
,涉及一种基于三值忆阻器的一位三值比较器电路。
技术介绍
[0002]1971年蔡少棠教授从电路理论的对称性和完备性角度,首次预测和推导了忆阻器的存在,然而这只是理论上的猜想,并没有实际器件的支撑,因此在很长一段时间忆阻器都没有得到人们的广泛关注。2008年,HP实验室构建了一种基于TiO2材料的纳米级忆阻器,由此激发了国内外学者对忆阻器的研究热情。如今,忆阻器在许多领域都发挥了重要的作用,包括混沌电路、数字逻辑电路、神经网络、非易失型存储器等。
[0003]迄今为止,关于忆阻器模型的研究主要集中在二值和连续型忆阻器两个方面,然而,相较于这两种忆阻器,三值忆阻器也存在着极大的研究需求,其在数字逻辑电路及非线性电路等领域具有更广阔的应用前景。例如,在非线性电路中,三值忆阻器可以增加电路的非线性,使非线性电路产生更加丰富的动力学特性,可以扩展混沌振荡器的类型,可以更精确的进行参数控制等。而在数字逻辑电路中,三值忆阻器在提升信息存储、传输效率和改 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于三值忆阻器的一位三值比较器电路,其特征在于,包括:运行电压源、两个输入三值忆阻器、三个输出三值忆阻器、六个电压控制型开关、一个置1电压源;第一电压控制型开关S
C1
的负极、第二电压控制型开关S
C2
的负极、第三电压控制型开关S
C3
的负极、第四电压控制型开关S
C4
的正极、第五电压控制型开关S
C5
的正极、第六电压控制型开关S
C6
的正极连接后,接第一输入三值忆阻器M
in1
的负极和第二输入三值忆阻器M
in2
的正极;第一电压控制型开关S
C1
的正极、第二电压控制型开关S
C2
的正极、第三电压控制型开关S
C3
的正极连接后,接第一输入三值忆阻器M
in1
的正极和运行电压源V的正极;第四电压控制型开关S
C4
的负极、第五电压控制型开关S
C5
的负极、第六电压控制型开关S
C6
的负极接地;第一输出三值忆阻器M
out1
的正极接第一电压控制型开关S
C1
的一个控制端,第一电压控制型开关S
C1
的另一个控制端接第四电压控制型开关S
C4
的一个控制端;第二输出三值忆阻器M
out2
的正极接第二电压控制型开关S
C2
的一个控制端,第二电压控制型开关S
C2
的另一个控制端接第五电压控制型开关S
C5
的一个控制端;第三输...
【专利技术属性】
技术研发人员:王晓媛,杨萌,李谱,吴志茹,
申请(专利权)人:杭州电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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