半导体材料制备用超高压容器及其使用方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体材料制备用超高压容器，包括：容器本体、螺套、第一密封塞、密封环、第二密封塞、压紧螺母。本发明专利技术还公开了一种半导体材料制备用超高压容器的使用方法。本发明专利技术密封可靠，能够满足半导体材料用超高压容器的密封要求，具有加工制造方便、占用高压空间小、结构简单紧凑、装拆开启方便、可靠性高、维护方便、适用范围广的优点。适用范围广的优点。适用范围广的优点。

【技术实现步骤摘要】
半导体材料制备用超高压容器及其使用方法


[0001]本专利技术属于超高压容器
，具体涉及一种半导体材料制备用超高压容器及其使用方法。

技术介绍

[0002]随着5G通信、新能源汽车等应用市场扩大，第三代半导体产业正在快速发展，以碳化硅(SiC)、氮化镓(Ga)为代表第三代半导体成为目前半导体研究的前沿和热点，第三代半导体凭借禁带宽大、击穿电场强度高、抗辐射能力强等性能优势，能够广泛应用于能源、交通、信息、国防等众多领域。
[0003]氮化镓(Ga)制备所需温度有时可达600℃，压力通常在150MPa～300MPa，甚至更高达600MPa，同时需在氨介质的环境下才能实现，通常由超高压容器来提供制备环境。目前超高压容器用钢多采用Cr
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Ni
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Mo或Cr
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Ni
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Mo
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V等低合金高强度钢，使用温度范围在
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40℃～400℃，第三代半导体材料制备所需要的超高压容器所承受的工作温度已大大超出了现有超高压容器使用的温度范围，因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料制备用超高压容器，其特征在于，包括：容器本体、螺套、第一密封塞、密封环、第二密封塞、压紧螺母；容器本体为两端开口的筒形结构，中部设置有压力腔体，压力腔体外侧的两端内壁上分别设置有腔体内螺纹；第一密封塞一端设置有第一密封塞端头，另一端设置有第一密封塞外螺纹，第一密封塞端头安装在压力腔体内；第二密封塞一端设置有第二密封塞端头，另一端设置有第二密封塞外螺纹，第二密封塞端头安装在压力腔体内，第二密封塞轴向设置有连接通孔，第二密封塞端头、第一密封塞端头位置相对；螺套的外壁上设置有螺套外螺纹，两个螺套分别套装在第一密封塞、第二密封塞上，并位于第一密封塞端头、第二密封塞端头外侧，螺套外螺纹连接在腔体内螺纹上；第一密封塞、第二密封塞上分别套装有密封环，一个密封环位于第一密封塞端头、螺套之间，另一个密封环位于第二密封塞端头、螺套之间；两个压紧螺母分别连接在第一密封塞外螺纹、第二密封塞外螺纹上，两个压紧螺母分别位于两个螺套外侧。2.如权利要求1所述的半导体材料制备用超高压容器，其特征在于，第一密封塞、第二密封塞上分别套装有密封压环，两个密封压环分别位于第一密封塞端头、密封环之间以及第二密封塞端头、密封环之间。3.如权利要求2所述的半导体材料制备用超高压容器，其特征在于，密封环采用金属双锥面密封环，两侧端面分别设置有外密封环锥面、内密封环锥面，外密封环锥面、内密封环锥面分别缠绕有石墨密封带，外密封环锥面、内密封环锥面之间连接有倒角面。4.如权利要求3所述的半导体材料制备用超高压容器，其特征在于，密封压环两端分别设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：马荣青，许锐冰，邵忠伟，周仲成，胡永平，王月奎，海英，郝志敏，
申请(专利权)人：内蒙古北方重工业集团有限公司，
类型：发明
国别省市：