一种双色红外器件结构及红外探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种双色红外器件结构及红外探测器，所述双色红外器件结构具有从下至上设置的第一衬底，材料为InSb，作为所述双色红外器件的基础层；过渡层，材料为InSb，作为缓冲层和下电极层；第一吸收层，材料为InSb，用以实现对第一波段的红外光的探测；复合势垒层包括从下至上设置的：第一势垒层，材料为InAlSb，含有第一梯度组分的Al，且第一梯度组分从0％过渡到第一组分；第二势垒层，材料为InAlSb，含有第一组分的Al；第二吸收层，材料为InAsSb，含有第二组分的As，用以实现对第二波段的红外光的探测，且第二波段的波长大于第一波段的波长。本公开的方案通过设计双层势垒层结构将两个吸收层之间的晶格失配控制在势垒层来避免应力对器件性能的影响。力对器件性能的影响。力对器件性能的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种双色红外器件结构及红外探测器


[0001]本专利技术涉及红外探测器
，尤其涉及一种双色红外器件结构及红外探测器。

技术介绍

[0002]红外光电探测技术是一种被动方式的成像探测技术，利用物体对电磁波的反射和自身辐射特性对目标特征进行采集，从复杂的背景中发现目标、识别目标，具有抗电子干扰强、探测精度高、被动探测性能好等多种优点，可广泛应用于资源遥感，矿物探测，生物医学，应急搜救等领域，得到了国内外的广泛关注和大力发展。
[0003]目前的单色红外探测设备因其得到的信息相对单一，存在探测速度慢、虚警高等不足，双色或多波段探测设备为目标检测提供了比单波段图像更多的有用信息，对复杂的背景进行抑制，可以有效排除干扰源的影响，提高了探测的准确性。
[0004]中长双色探测器是一种常用的双色探测器。目前，中波探测器发展较为成熟，长波红外探测仍有较大的改进空间。常用材料主要包括碲镉汞、二类超晶格、量子阱等，InAsSb也可用于长波探测，虽然InAs和InSb材料的禁带宽度都较大，但由于它们形成三元化合物时，随组分变化，其能带不是线性变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双色红外器件结构，其特征在于，所述双色红外器件结构具有从下至上设置的复合衬底、第一吸收层、复合势垒层、第二吸收层和上电极层；所述复合衬底包括从下至上设置的：第一衬底，材料为InSb，作为所述双色红外器件的基础层；过渡层，材料为InSb，作为缓冲层和下电极层；所述第一吸收层，材料为InSb，用以实现对第一波段的红外光的探测；所述复合势垒层包括从下至上设置的：第一势垒层，材料为InAlSb，含有第一梯度组分的Al，且第一梯度组分从0％过渡到第一组分；第二势垒层，材料为InAlSb，含有第一组分的Al；所述第二吸收层，材料为InAsSb，含有第二组分的As，用以实现对第二波段的红外光的探测，且所述第二波段的波长大于所述第一波段的波长。2.如权利要求1所述的双色红外器件结构，其特征在于，所述上电极层，材料为InAsSb，含有第二组分的As。3.如权利要求1所述的双色红外器件结构，其特征在于，所述第一组分为44％。4.如权利要求1所述的双色红外器件结构，其特征在于，所述第二组分满足36％～37％。5.如权利要求1所述的双色红外器件结构，其特征在于，所述过渡层的厚度为0.3μm～0.5μm，所述第一吸收层的厚度为3μm～5μm，所述第一势垒层的厚度为0.3μm，所述第二势垒层的厚度为0.2μm，所述第二吸收层的厚度为2～3μm，所述上电极的厚度为0.2～0.5μm。6.如权利要求5所述的双色红外器件结构，其特征在于，所述过渡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周朋，胡雨农，王丹，李震，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：