芳香族异硫氰酸酯制造技术

本发明专利技术涉及如权利要求1所定义的式(U)的芳香族异硫氰酸酯涉及包含一种或多种式(U)化合物的液晶介质和包含这些介质的高频组件，尤其是用于高频器件的微波组件，例如用于微波相位移动的器件，可调谐滤波器、可调谐超材料结构和电子束控制天线，例如相控阵天线。例如相控阵天线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芳香族异硫氰酸酯
[0001]本专利技术涉及芳香族异硫氰酸酯；包含其的液晶介质；和包含这些介质的高频组件、尤其是用于高频器件的微波组件，例如使微波相位移位的器件、可调谐滤波器、可调谐超材料结构和电子束控制天线(例如相控阵天线)；以及包含所述组件的器件。
[0002]许多年来，液晶介质已用于光电显示器(液晶显示器：LCD)中以显示信息。然而最近，例如DE 10 2004 029 429.1 A和JP 2005
‑
120208(A)中也提出将液晶介质用于微波技术用组件中。
[0003]A.Gaebler、F.Goelden、S.M
ü
ller、A.Penirschke和R.Jakoby“Direct Simulation of Material Permittivites using an Eigen
‑
Susceptibility Formulation of the Vector Variational Approach”,12MTC 2009
‑
International Instrume本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.式U化合物其中R
U
表示H、具有1至12个C原子的烷基或烷氧基、或者具有2至12个C原子的烯基、烯氧基或烷氧基烷基，其中一个或多个CH2基团可以被替代，或表示基团R
P
，R
P
表示卤素、CN、NCS、R
F
、R
F
‑
O
‑
或R
F
‑
S
‑
，其中R
F
表示具有至多9个C原子的氟化烷基或氟化烯基，Z
U1
、Z
U2
相同或不同地表示
‑
CH＝CH
‑
、
‑
CF＝CF
‑
、
‑
CH＝CF
‑
、
‑
CF＝CH
‑
、
‑
C≡C
‑
或单键，X1、X2、X3和X4相同或不同地表示Cl或F，t是0或1，且相同或不同地表示选自以下组的基团：a)由1,4
‑
亚苯基、1,4
‑
亚萘基和2,6
‑
亚萘基组成的组，其中一个或两个CH基团可以被N替代且其中一个或多个H原子可以被L替代，其中不包括四氟
‑
1,4
‑
亚苯基，b)由反式
‑
1,4
‑
亚环己基、1,4
‑
亚环己烯基、二环[1.1.1]戊烷
‑
1,3
‑
二基、4,4
’‑
二亚环己基、二环[2.2.2]辛烷
‑
1,4
‑
二基和螺[3.3]庚烷
‑
2,6
‑
二基组成的组，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被
‑
O
‑
和/或
‑
S
‑
替代且其中一个或多个H原子可以被F替代，c)由噻吩
‑
2,5
‑
二基、噻吩并[3,2
‑
b]噻吩
‑
2,5
‑
二基、硒吩
‑
2,5
‑
二基组成的组，其各自也可以被L单取代或多取代，L在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5或具有1至12个C原子的直链或支链且在每种情形下任选地氟化的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基。2.根据权利要求1所述的化合物，其中在每次出现时彼此独立地表示
其中替代地表示替代地表示替代地表示并且L1和L2相同或不同地表示F、Cl或各自具有至多12个C原子的直链或支链或环状的烷基或烯基。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中Z
U1
和Z
U2
相同或不同地表示
‑
C≡C
‑
或单键。4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的化合物，其中所述化合物为选自式U
‑
1至U
‑
11的化合物：
其中L1、L2和L3相同或不同地表示H、F、Cl、甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、环丁基、环戊基或环戊烯基，和R
U
、X1、X2、X3和X4具有权利要求1中所给出的含义。5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的化合物，其中基团X1、X2、X3和X4表示F。6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的化合物，其中R
U
表示具有1至12个C原子的烷基。7.根据权利要求1至5中一项或多项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：