一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，包括防护壳，所述防护壳的内腔设置有硅片本体，所述防护壳的内腔开设有与硅片本体配合使用的安装槽，所述防护壳的左侧设置有连接凸块，所述防护壳的右侧开设有连接槽，所述防护壳包含有耐腐蚀涂层、耐腐蚀层和强度层，所述硅片本体包含有减反射膜、防护膜和芯层，所述耐腐蚀涂层位于耐腐蚀层的外表面。本实用新型专利技术设置了防护壳、耐腐蚀涂层、耐腐蚀层、强度层、硅片本体、减反射膜、防护膜、芯层、连接凸块、连接槽和安装槽，解决了传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接的问题。便于连接的问题。便于连接的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片


[0001]本技术涉及精密电子工程
，具体为一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片。

技术介绍

[0002]单晶硅片是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上，用于制造半导体器件或太阳能电池等，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，在精密电子工程中需要使用到单晶硅片，但传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接，为此，我们提出一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，具备光利用率高，且强度高，便于连接的优点，解决了传统的精密电子工程用单晶硅片的反射率较高，光利用率低，且单晶硅片的强度较低，易损坏，不便于连接的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，包括防护壳（1），其特征在于：所述防护壳（1）的内腔设置有硅片本体（2），所述防护壳（1）的内腔开设有与硅片本体（2）配合使用的安装槽（5），所述防护壳（1）的左侧设置有连接凸块（3），所述防护壳（1）的右侧开设有连接槽（4），所述防护壳（1）包含有耐腐蚀涂层（101）、耐腐蚀层（102）和强度层（103），所述硅片本体（2）包含有减反射膜（201）、防护膜（202）和芯层（203）。2.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用可提高光利用率的单晶硅片，其特征在于：所述耐腐蚀涂层（101）位于耐腐蚀层（102）的外表面，所述耐腐蚀层（102）位于强度层（103）的外表面。3.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜芳清，
申请(专利权)人：杜芳清，
类型：新型
国别省市：