一种基于二端口网络的去嵌方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了基于二端口网络的去嵌方法、装置、介质及设备，该去嵌方法包括：本征器件左右两侧设置有去嵌结构形成待测器件，去嵌结构包括短直通结构、长直通结构以及开路结构；根据本征器件左右两侧的去嵌结构，确定误差模型的T参数矩阵并构建包括误差模型的T参数矩阵的第一方程组；获取短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数矩阵；根据短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数矩阵求解T参数矩阵的第一方程组，确定本征器件的T参数矩阵；将本征器件的T参数矩阵转化成S参数矩阵，确定本征器件的S参数矩阵。从而能够在毫米波频段实现去嵌入，且提高去嵌入算法的准确率。且提高去嵌入算法的准确率。且提高去嵌入算法的准确率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二端口网络的去嵌方法、装置、设备及介质


[0001]本专利技术涉及去嵌
，尤其涉及一种基于二端口网络的去嵌方法、装置、设备及介质。

技术介绍

[0002]去嵌的基本原理是先采用特定的模型对寄生效应进行描述，再配套使用特定的算法对表达为模型形式的寄生效应进行消除。因此，各种去嵌方法的根本不同在于寄生效应描述方式的不同。
[0003]目前最常用的去嵌入算法是open
‑
short以及pad
‑
open
‑
short去嵌入算法，这两种算法本质上都是基于集总等效电路模型的去嵌方法。这类方法将测试结构的寄生效应建模为集总等效电路，等效电路中的元件以串联或并联形式连接在本征器件周围。去嵌时，对应于等效电路中元件的串联或并联结构，通过Y参数矩阵或Z参数矩阵相减的方式，从外到内逐层消除寄生效应。
[0004]随着集成电路工艺的特征尺寸不断缩小，集成电路的工作频率不断升高。同时，在芯片测试中本征器件与探针尖之间焊盘与互连线等测试结构的寄生效应愈加复杂，测试结构寄生效应的去嵌与器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于二端口网络的去嵌方法，其特征在于，本征器件左右两侧设置有去嵌结构形成待测器件，所述去嵌结构包括短直通结构、长直通结构以及开路结构，所述去嵌方法包括：根据所述本征器件左右两侧的去嵌结构，确定误差模型的T参数矩阵并构建包括所述误差模型的T参数矩阵的第一方程组；获取所述短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数；根据所述短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数求解所述T参数矩阵的第一方程组，确定本征器件的T参数矩阵；将所述本征器件的T参数矩阵转化成S参数矩阵，确定所述本征器件的S参数。2.根据权利要求1所述的基于二端口网络的去嵌方法，其特征在于，所述根据所述本征器件左右两侧的去嵌结构，确定误差模型的T参数矩阵，包括：将本征器件左侧的GSG pad和传输线的传输特征参数转化为第一误差模型将所述本征器件右侧的GSG pad和传输线的传输特征参数转化为第二误差模型。3.根据权利要求2所述的基于二端口网络的去嵌方法，其特征在于，根据所述本征器件左右两侧的去嵌结构，构建包括所述误差模型的T参数矩阵的第一方程组，包括：构建所述短直通结构的T参数矩阵方程构建所述长直通结构的T参数矩阵方程其中，表示长直通结构的传输线T参数矩阵；根据所述第一误差模型、第二误差模型以及本征器件的T参数矩阵之间的级联关系，构建所述待测器件的T参数矩阵与所述第一误差模型、第二误差模型以及本征器件的T参数矩阵之间的方程，记为。4.根据权利要求3所述的基于二端口网络的去嵌方法，其特征在于，根据所述短直通结构、长直通结构以及开路结构的T参数求解所述T参数矩阵的第一方程组，确定本征器件的T参数矩阵，包括：根据所述短直通结构的T参数矩阵方程、所述长直通结构的T参数矩阵方程构建第二方程组...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞涛，朱伟，王燕，
申请(专利权)人：北京巨束科技有限公司，
类型：发明
国别省市：