一种下部电极1PitchEmboss的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法，属于液晶面板加工技术领域，首先将带孔的掩膜板与下部电极表面贴合，通过在掩膜板表面进行熔射喷涂后透过孔在下部电极表面形成Emboss，所述Emboss的间隔和位置与孔的间隔和位置一一对应；其中所述掩膜板由若干矩形的分膜板拼接而成，在其中一些分膜板的侧面分别设置有凸起和凹槽，所述凸起的形状与所述凹槽的形状对应，相邻两块掩膜板之间通过所述凸起和凹槽进行凹凸配合。本发明专利技术方法通过在接触的掩膜板之间通过凸凹镶嵌进行拼接，相比直线切割后直接拼接的方式，孔距更加精准，减少了人工对位误差。了人工对位误差。了人工对位误差。

【技术实现步骤摘要】
一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法


[0001]本专利技术属于液晶面板加工
，具体涉及一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法。

技术介绍

[0002]ESC(静电吸盘)是Dry Etch Process Chamber里面最重要的部件，其作用是固定吸附玻璃基板、冷却玻璃基板背面，使玻璃基板在Etching过程中蚀刻均匀，其ESC表面的小凸点在业内被称为Emboss，它的作用就是支撑玻璃，给予背部冷却气体提供流通通道。Emboss的演变是从Flat Type演变而来，最初的ESC表面都是Flat Type类型，但是Flat Type类型的ESC在使用过程中出现的ESD(静电干扰，释放不完全)的问题，故对电极表面进行了改良，做成了Emboss Type类型。随着该领域的持续发展，客户现在对Emboss的要求也越来越高，从最开始的5Pitch，到后来的3Pitch、2.5Pitch以及2Pitch，随着间隔距离越来越小，制作难度越来越大。
[0003]现有技术中，Emboss的成型是通过在ESC下部电极表面喷涂形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法，其特征在于：首先将带孔的掩膜板与下部电极表面贴合，通过在掩膜板表面进行熔射喷涂后透过孔在下部电极表面形成Emboss，所述Emboss的间隔和位置与孔的间隔和位置一一对应；其中所述掩膜板由若干矩形的分膜板拼接而成，在其中一些分膜板的侧面分别设置有凸起和凹槽，所述凸起的形状与所述凹槽的形状对应，相邻两块掩膜板之间通过所述凸起和凹槽进行凹凸配合。2.根据权利要求1所述的下部电极1Pitch Emboss的形成方法，其特征在于：所述凸起由分膜板的外侧一体向外凸出形成，所述凸起的厚度与所述分膜板的厚度相等，所述凸起所占分膜板宽度的1/8～1/2。3.根据权利要求2所述的下部电极1Pitch Emboss的形成方法，其特征在于：所述凸起包括形状为矩形的矩形块，所述分膜板的至少一个角处设置有所述矩形块，所述凹槽形成与所述矩形块对应的矩形槽。4.根据权利要求3所述的下部电极1Pitch Emboss的形成方法，其特征在于：所述矩形块的呈直角相交的两外侧面上均设置有辅助定位块，所述辅助定位块呈长条状，所述矩形槽的呈直角相交的两内侧面上分别设置有与所述辅助定位块对应的定位槽，所述辅助定位块的一端面与所述定位槽的端面定位。5.根据权利要求4所述的下部电极1Pitch Emboss的形成方法，其特征在于：所述辅助定位块包括外侧弧形定位块、垫板和锁紧件，所述外侧弧形定位块的外侧形成半圆柱凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，李宗泰，杨佐东，
申请(专利权)人：重庆臻宝实业有限公司，
类型：发明
国别省市：