一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法，属于微纳物理电源技术领域，其特征在于，所述能源信息一体化的温度传感器的制备方法至少包括：S1、制备温差器件；S2、设计包括超低电压DC/DC升压转换器、储能电容器、充电输出、LDO输出、Vout三种输出的温差发电电路；S3、设计冷端补偿温度电路；S4、在控制器内设计滤波模块和AD转换模块；S5、电路组装。本发明专利技术通过温差器件输出电压对温度敏感及本身可发电性能，设计发电电路和补偿电路，实现能源信息一体化的温度传感器。现能源信息一体化的温度传感器。现能源信息一体化的温度传感器。

【技术实现步骤摘要】
一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法


[0001]本专利技术属于微纳物理电源
，具体涉及一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，针对智能可穿戴系统对微型便携式传感器的大量需求，其中续航时间长、自供电的传感器的需求越来越迫切。目前的便携式传感器均需要电源补给，增加了结构设计和成本。本专利技术提出了一种自供电温度传感器，与传统温度传感器相比，降低了能耗，增加了续航时间。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种能源信息一体化的温度传感器及制备方法，能够实现自供电，降低了能耗，增加续航时间。
[0004]本专利技术的第一目的是提供一种能源信息一体化的温度传感器的制备方法，通过温差器件输出电压对温度敏感及本身可发电性能，设计发电电路和补偿电路，实现能源信息一体化的温度传感器，制备过程如下：
[0005]1.制备温差器件；具体为：
[0006](1)根据器件尺寸和结构绘制图纸，采用磁控溅射和光刻工艺，在二氧化硅基片上制备冷热端Mo电极层，厚度0.5μm。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能源信息一体化的温度传感器的制备方法，其特征在于，至少包括：S1、制备温差器件；具体为：S101、在二氧化硅基片上制备冷端Mo电极层和热端Mo电极层；S102、在所述冷端Mo电极层表面套刻P元件排布图样，在所述热端Mo电极层表面套刻N元件排布图样，通过真空蒸发沉积Au；S103、在所述冷端Mo电极层表面套刻P元件排布图样，在所述热端Mo电极层表面套刻N元件排布图样，采用多靶非平衡磁控溅射工艺制备温差电P元件微区和N元件微区，形成P型元件阵列、N型元件阵列；S104、在所述P型元件阵列、N型元件阵列表面，采用电子束沉积方法制备Sn层，所述Sn层与Au层的厚度比例为0.5～0.8；S105、将P型元件阵列与冷端裸露的电极层表面相对，将N型元件阵列与热端裸露的电极层表面相对，采用Au
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Sn金属键合工艺完成二者之间集成，集成温度为240℃～360℃；S2、设计包括超低电压DC/DC升压转换器、储能电容器、充电输出、LDO输出、Vout三种输出的温差发电电路；S3、设计冷端补偿温度电路；S4、在控制器内设计滤波模块和AD转换模块；S5、电路组装；具体为：将超低电压DC/DC升压转换器的输入侧与温差器件的冷端电极层和热端电极层连接；将超低电压DC/DC升压转换器的充电输出与储能电容器连接；将LDO输出与处理器的受电端子连接；将Vout与运放的供电端子连接；将冷端补偿温度电路连接在冷端电极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟占昆，高鹏，纪伟伟，赵一聪，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：