一种电池集流体、电池制备方法及集流体和电池技术

本发明专利技术公开了一种电池集流体、电池制备方法及集流体和电池，属于电池制备技术领域，为解决现有电池安全性能差的问题而设计。本发明专利技术包括：调节打孔参数集合内的参数，得到第一参数集合，基于所述第一参数集合对集流体组件进行打孔；若通孔的各项指标满足预设阈值，则得到目标集流体。本发明专利技术提高了电池的安全性能。本发明专利技术提高了电池的安全性能。本发明专利技术提高了电池的安全性能。

【技术实现步骤摘要】
一种电池集流体、电池制备方法及集流体和电池


[0001]本专利技术涉及电池制造工艺
，尤其涉及一种电池集流体、电池制备方法及集流体和电池。

技术介绍

[0002]集流体决定了电池的厚度、重量和充放电性能，通过改进集流体的制备工艺、改善集流体的性能，是获取快充、轻薄、储电量大的电池的重要方式，而目前，由于技术的局限性，电池的各项性能仍然具备较大的提升空间，因为如何解决技术的局限性，是目前本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种电池集流体、电池制备方法及集流体和电池，旨在由于解决上述技术问题，以便获得快充、轻薄、储电量大的电池。
[0004]提供一种电池集流体制备方法，包括：
[0005]步骤S10，调节打孔参数集合内的参数，得到第一参数集合，基于所述第一参数集合对集流体组件进行打孔，得到带有通孔的第一集流体，所述打孔参数集合包括激光器的功率、单脉冲能量、脉宽、频率、转镜速度、焦距和集流体组件厚度中的一项或多项；
[0006]步骤S20，检测所述通孔，判断所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池集流体制备方法，其特征在于：步骤S10，调节打孔参数集合内的参数，得到第一参数集合，基于所述第一参数集合对集流体组件进行打孔，得到带有通孔的第一集流体，所述打孔参数集合包括激光器的功率、单脉冲能量、脉宽、频率、转镜速度、焦距和集流体组件厚度中的一项或多项；步骤S20，检测所述通孔，判断所述通孔的各项指标是否满足预设阈值，所述指标包括裂缝、毛刺和孔径不均匀中的一种或多种；步骤S30，若是，则得到目标集流体；若否，则返回执行步骤S10。2.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，所述激光器的功率为300
‑
500W。3.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，单脉冲能量为2.0
‑
2.5mJ、2.2
‑
2.5mJ、2.0mJ、2.2mJ或2.5mJ。4.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，转镜速度为9.4r/s。5.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，同等脉冲能量条件下，当为F100场镜、500W激光器时，选用500ns以下的脉宽、150kHz的频率，所述脉宽包括450ns。6.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，同等脉冲能量条件下，当为F170场镜、500W激光器时，选用500ns以下的脉宽、150kHz的频率，所述脉宽包括450ns。7.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，同等脉冲能量条件下，当为F100场镜、300W激光器时，选用250ns的脉宽、150kHz的频率。8.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，所述集流体组件包括正极集流体和负极集流体。9.如权利要求8所述的电池集流体制备方法，其特征在于，通过300
‑
500W、单脉冲能量2.2
‑
2.5mJ的激光器，对集流体组件进行打孔，得到目标集流体，所述集流体组件包括正极集流体和负极集流体；将正极活性物质涂覆于正极集流体表面，获得正极；将所述负极活性物质涂覆于负极集流体表面，获得负极。10.如权利要求9所述的电池集流体制备方法，其特征在于，所述正极活性物质包括钴酸锂、锰酸锂、镍钴锰、磷酸铁锂；所述负极活性物质包括90％的负极活性物质碳材料、4％～5％的乙炔黑导电剂、6％～7％的粘合剂。11.如权利要求8所述的电池集流体制备方法，其特征在于，所述正极集流体为铝箔，所述负极集流体为铜箔。12.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，当打孔的装置为激光器时，则所述激光器的类型具体为MOPA激光器。13.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，所述通孔的孔径大小为40
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50um或所述通孔的孔径大小在20
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100um之间可调，孔径大小调节是依据测试电解液穿过箔材到涂覆层的上面停留作用的时间，以及离子穿透性来调整，调整的方法可以根据调整激光器脉宽和速度进行调整孔径的大小。14.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，当集流体组件包括铜箔和铝箔时，所述铜箔的厚度为3
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4.5um，所述铝箔的厚度为8
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16um；或为3
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6μm的极薄铜箔、或为6
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12μm超薄铜箔、或为12
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18μm薄铜箔、或为18
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90μm常规
铜箔，或为＞70μm的厚铜箔；或铝箔为16um、14um、12um、10um、8um、6um、5um、4um中的一种或多种，或铝箔为4um
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16um。15.如权利要求1所述的电池集流体制备方法，其特征在于，所述步骤S10，调节打孔参数集合内的参数，得到第一参数集合，基于所述第一参数集合对集流体组件进行打孔，得到带有通孔的第一集流体，包括：步骤S101，使用相同的材料在...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙俊耀，简运祺，谭浩，王翘，彭光强，庞剑，柏孝岑，
申请(专利权)人：深圳市联赢激光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：