【技术实现步骤摘要】
掩膜的制备方法
[0001]本专利技术实施例涉及微纳加工
,尤其涉及一种掩膜的制备方法。
技术介绍
[0002]掩膜作为图形化工艺中的关键用具,被广泛的应用在工业生产制造过程中。在需要进行图形化工艺时,可将包括镂空图案的掩膜放置在半成品表面,然后通过磁控溅射或其他工艺在半成品表面制备与镂空图案形状一致的膜层。
[0003]为了提高生产效率,降低生产成本,现有技术中会利用3D打印装置制备掩膜,且在3D打印装置打印掩膜时,通常采用默认打印路径。示例性的,图1为本专利技术实施例提供的一种掩膜的平面设计图,图2为图1中掩膜的默认打印路径示意图,图3为采用图2中默认打印路径打印出的掩膜的示意图,如图1
‑
3所示,在3D打印装置打印掩膜10
’
时,3D打印装置的打印喷嘴会从起始点A
’
沿默认打印路径12
’
打印到终点B
’
,而掩膜10
’
上通常具有镂空区域11
’
,打印喷嘴在移动至镂空区域11 />’
时会本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩膜的制备方法,其特征在于,包括:建立掩膜的三维模型;对所述三维模型进行切片处理,得到多个打印层;根据所述打印层沿所述打印层厚度方向的投影轮廓确定镂空区域;根据所述镂空区域将所述打印层划分为多个打印子区域,每个所述打印子区域均与所述镂空区域相邻;根据所述打印子区域确定打印路径,其中,在同一所述打印层中,多个所述打印子区域的打印路径方向相同;根据所述打印路径打印所述掩膜。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,根据所述镂空区域将所述打印层划分为多个打印子区域,包括:建立第一分割线和第二分割线,所述第一分割线的延伸方向平行于所述第二分割线的延伸方向,且所述第一分割线和所述第二分割线均与所述镂空区域的轮廓相切;根据所述第一分割线和所述第二分割线将所述打印层划分为多个打印子区域。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述建立第一分割线和第二分割线,包括:以所述打印层沿所述打印层厚度方向的投影轮廓的几何重心作为原点,建立XY坐标系;根据所述镂空区域的轮廓建立切线Y=kX+K1作为所述第一分割线,建立直线Y=kX+K2作为所述第二分割线,其中,K1≠K2。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,相邻所述打印层中的所述打印子区域的打印路径方向相交。5.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈炜婷,
申请(专利权)人:乐金显示光电科技中国有限公司,
类型:发明
国别省市:
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