集成电路的寿命预测方法、装置及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种集成电路的寿命预测方法、装置及计算机可读存储介质。该方法包括：获取参照集成电路的预估寿命，以及获取所述参照集成电路在设定老化阶段对应的第一时长；获取待测集成电路在相同的所述老化阶段对应的第二时长；根据所述预估寿命、所述第一时长以及所述第二时长，预测所述待测集成电路的寿命；其中，所述参照集成电路与所述待测集成电路为同种规格的集成电路，所述参照集成电路和所述待测集成电路包括多个老化阶段，所述参照集成电路的多个老化阶段与所述待测集成电路的多个老化阶段一一对应，且相对应老化阶段的最大供电电压相同。通过上述方式，本申请能够简化集成电路寿命预测方式，并提高预测结果的准确度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
集成电路的寿命预测方法、装置及计算机可读存储介质


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及集成电路的寿命预测方法、装置及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]集成电路应用在生活中无处不在，在民用、商用、军事等领域，集成电路常常是维持各个系统正常工作的关键元件。集成电路生产工艺随着市场对高性能芯片的需求大幅降低，随之而来的是集成电路老化机制作用的明显增强，并在对65nm以下生产工艺的数字集成电路造成明显的使用寿命缩减，这导致集成电路耐用性面临着严峻的挑战。
[0003]现有的老化机制模型通过假设集成电路在特定使用情况下对其寿命进行预测，但电路实际的运行情况往往与预设情况有所不同。电路老化的速度由运行中的温度、空占比、电压、元件尺寸以及运行时长来决定。其中，运行温度和空占比与设备运行温度与其所处的环境、工作强度及应用领域有关，这些因素在设备投入应用前无法预估。
[0004]因此，不把实际运行状况作为参考的寿命预测结果只可作为在对电路优化时的参考标准，无法对有需求的具体设备进行寿命预测。然而，专门为电路的寿命预测加入温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路的寿命预测方法，其特征在于，所述方法包括：获取参照集成电路的预估寿命，以及获取所述参照集成电路在设定老化阶段对应的第一时长；获取待测集成电路在相同的所述老化阶段对应的第二时长；根据所述预估寿命、所述第一时长以及所述第二时长，预测所述待测集成电路的寿命；其中，所述参照集成电路与所述待测集成电路为同种规格的集成电路，所述参照集成电路和所述待测集成电路包括多个老化阶段，所述参照集成电路的多个老化阶段与所述待测集成电路的多个老化阶段一一对应，且相对应老化阶段的最大供电电压相同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取参照集成电路的预估寿命，以及获取所述参照集成电路在设定老化阶段对应的第一时长，包括：对所述参照集成电路进行老化试验，记录每个老化阶段对应的时长，并记录所述参照集成电路的总工作时长；选择其中一个所述老化阶段作为所述设定老化阶段，以所述设定老化阶段对应的时长作为所述第一时长，并以所述总工作时长作为所述预估寿命。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述预估寿命、所述第一时长以及所述第二时长，预测所述待测集成电路的寿命，包括：根据所述预估寿命与所述待测集成电路的寿命比值，与所述第一时长和第二时长的比值相等的关系，得出所述待测集成电路的寿命。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述预估寿命与所述待测集成电路的寿命比值，与所述第一时长和第二时长的比值相等的关系，得出所述待测集成电路的寿命，包括：根据下式计算所述待测集成电路的寿命：其中，LifeTime
est
为所述待测集成电路的寿命，LifeTime
ref
为所述预估...

【专利技术属性】
技术研发人员：赛高乐，欧勇盛，段圣宇，王志扬，徐升，熊荣，刘超，江国来，郑雷雷，冯伟，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：