太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法技术

本发明专利技术提供一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法，涉及光学技术领域，设计方法包括：步骤S1，计算竖直偏振太赫兹光束入射时，不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移；步骤S2，选出多个不同尺寸且高透射振幅的硅圆柱，选出的硅圆柱的相移能够覆盖

【技术实现步骤摘要】
太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法


[0001]本专利技术涉及光学
，具体地，涉及一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法。

技术介绍

[0002]超表面能够在亚波长尺度上灵活地对电磁波进行调控。相比于传统光学透镜，超透镜具有平面和超薄的优点，有利于光学系统向着紧凑和小型化的方向发展。由金属谐振器阵列和基底组成的单层等离子体超透镜效率较低，而由高折射率电介质谐振器阵列和电介质基底组成的全电介质超透镜能够提高效率。
[0003]太赫兹波在电磁波谱中位于微波和红外之间，由于较低的单光子能量和丰富的光谱信息等性质具有广阔的应用前景。高效的太赫兹全电介质超透镜对于太赫兹成像系统具有重要意义，其中太赫兹全电介质离轴超透镜可以灵活地实现在预定空间位置处的成像。然而，目前的太赫兹全电介质离轴超透镜的谐振器阵列和基底的材料不相同，增加了加工过程的复杂性。在太赫兹波段，高阻单晶浮区硅具有损耗低、介电常数足够高、稳定且便于刻蚀的特性，目前尚未有由高阻单晶浮区硅单种材料组成的太赫兹全硅离轴超透镜的报道。

技术实现思路

[0004]针对现有太赫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹全硅离轴超透镜的设计方法，其特征在于，所述太赫兹全硅离轴超透镜的设计方法包括：步骤S1：计算竖直偏振太赫兹光束入射时，不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移；步骤S2：选出多个不同尺寸，且透射振幅不小于阈值的硅圆柱，选出的硅圆柱的相移能够覆盖预设范围值；步骤S3：将选出的不同尺寸的硅圆柱，根据离轴超透镜对应的相位调制函数，排布在硅基底上；步骤S4：在硅基底的另一侧设计减反射的硅圆柱阵列，其中的硅圆柱尺寸相同；由硅基底及其两侧的硅圆柱阵列组成太赫兹全硅离轴超透镜。2.根据权利要求1所述的太赫兹全硅离轴超透镜的设计方法，其特征在于，所述步骤S2中选出的硅圆柱的相移能够完全覆盖
‑
180
°
到180
°
。3.根据权利要求1所述的太赫兹全硅离轴超透镜的设计方法，其特征在于，所述步骤S2中不同尺寸的硅圆柱的种类为8种，按照尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，马维一，崔慧源，汪泽文，
申请(专利权)人：上海微波技术研究所中国电子科技集团公司第五十研究所，
类型：发明
国别省市：