一种基于PMN-PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法技术

一种基于PMN

【技术实现步骤摘要】
一种基于PMN
‑
PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法


[0001]本专利技术特别涉及一种基于PMN
‑
PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着当今社会信息技术的飞快发展，要求存储技术提供更大容量、更快速度、更小体积、更长使用寿命、更低功耗的存储器。传统的信息存储方式有铁电随机存取存储器(FeRAM)和磁存储器(MRAM)。铁电随机存取存储器利用铁电体的自发极化存储信息，具有耐久性高、读写速度快、功耗低、可靠的多级极化状态等优点，是一种成熟而有前途的非易失性存储器。但是它有两个缺点：读取过程是破坏性的、存储密度是有限的。磁存储器在访问时间和耐久性方面有很大优势，但它们在高写入能量方面存在很大缺陷。这两种存储方式很大程度的限制了其作为存储器的应用。为此，相关领域的研究者不断探索信息功能相关的新器件、新结构和新材料，与此相关的新概念存储器也在不断被设计；而其中一个可行的途径，就是通过磁电耦合效应(magnetoelectric coupling,ME coup本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于PMN
‑
PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件，其特征是：在PMN
‑
PT单晶衬底上沉积铁磁薄膜制成叠层结构，具有压电效应的铁电层化学结构式为0.7[Pb(Mg
1/3
Nb
2/3
)O3]
‑
0.3[PbTiO3]，厚度为0.5mm，具有磁致伸缩效应的Fe
65
Co
35
薄膜，厚度为20
‑
40nm。2.一种权利要求1所述的基于PMN
‑
PT的铁电/铁磁薄膜结构的磁电存储元件的制备方法：小尺寸FeCo铁磁薄膜的制备是利用离子束沉积结合光刻工艺在PMN
‑
PT单晶衬底上掩模特定的图形；将PMN
‑
PT单晶压电衬底和Fe
65
Co
35
合金靶材置入溅射室，对溅射室抽真空至1
×
10
‑4～2
×
10
‑4Pa，调节氩气流量为9.4sccm，设置3cm考夫曼离子枪电源，将放电电压调到70V，放电灯丝电流调整为5A，预热五分钟的时间，然后缓慢地调节电流直至产生放电，再接将加速电压设置到200V，加速电流显示6～10mA，最后调整束流，调整束流电压至500V，确保束流在15mA，常温下溅射30
‑
60min，取出样品后用丙酮将光刻胶全部去掉，且利用异丙醇和超纯水进行清洗，获得纯净的PMN
‑
PT/FeCo复合薄膜。3.根据权利要求2所述的基于PMN
‑
PT的铁电/铁磁薄膜结构的磁电存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩叶梅，马美冰，尹鑫，曹海兴，孙正，王芳，张楷亮，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：