传感元件和用于制造传感元件的方法技术

描述了一种用于测量温度的传感元件，该传感元件具有：至少一个载体层（2），其中载体层（2）具有上侧（2a）和下侧（2b）；至少一个功能层（5），其中功能层（5）布置在载体层（2）的上侧（2a）上并且具有如下材料，该材料具有与温度相关的电阻，其中传感元件（1）被设计为：作为分立式器件直接被集成到电气系统中。还描述了一种用于制造传感元件的方法。用于制造传感元件的方法。用于制造传感元件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】传感元件和用于制造传感元件的方法


[0001]本专利技术涉及一种传感元件、尤其是一种温度传感器。本专利技术还涉及一种用于制造传感元件、优选温度传感器的方法。

技术介绍

[0002]为了将温度传感器、特别是基于NTC（NTC = 负温度系数（Negative Temperature Coefficient））的热敏电阻集成到如今的电气系统中，传感元件的尺寸必须与在微米乃至纳米尺度范围内的现代封装设计匹配。为了实现这种小型化水平，传感器作为薄膜被沉积在具有电连接端的载体结构上并且被描述为分立式器件。
[0003]到目前为止，NTC热敏电阻可作为“裸片（bare die）”（未封装的半导体芯片）或者以在电路板上的SMD（表面贴装器件（Surface Mounted Device））结构类型供支配。然而，这些技术方案并不适合于将温度传感元件集成到例如MEMS（微机电系统（Mikro Elektro Mechanisches System））或者SESUB（半导体嵌入基板（Semiconductor Embedded in Substrate））本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于测量温度的传感元件（1），所述传感元件具有：
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至少一个载体层（2），其中所述载体层（2）具有上侧（2a）和下侧（2b）；
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至少一个功能层（5），其中所述功能层（5）布置在所述载体层（2）的上侧（2a）上并且具有如下材料，所述材料具有与温度相关的电阻，其中所述传感元件（1）被设计为：作为分立式器件直接被集成到电气系统中。2.根据权利要求1所述的传感元件（1），其中所述载体层（2）具有硅、碳化硅或者玻璃。3.根据权利要求1或2所述的传感元件（1），其中所述功能层（5）具有薄膜NTC层。4.根据上述权利要求中任一项所述的传感元件（1），其中所述功能层（5）具有基于六方类纤锌矿结构或者闪锌矿结构类型中的立方相的碳化硅的半导体材料，或者其中所述功能层（5）具有纤锌矿结构类型中的金属氮化物。5.根据上述权利要求中任一项所述的传感元件（1），所述传感元件还具有至少一个保护层（7），其中所述保护层（7）布置在所述传感元件（1）的上侧（1a）和/或布置在所述传感元件（1）的至少一个侧面（1c）。6.根据权利要求5所述的传感元件（1），其中所述保护层（7）具有SiO2。7.根据上述权利要求中任一项所述的传感元件（1），所述传感元件还具有至少一个通道（3），其中所述通道（3）完全穿透所述载体层（2），而且其中在所述载体层（2）的下侧（2b）形成至少一个接触元件（4），用于所述传感元件（1）的电触点接通。8.根据权利要求7所述的传感元件（1），所述传感元件具有至少两个通道（3），其中在所述载体层（2）的下侧（2b）形成两个接触元件（4）。9.根据上述权利要求中任一项所述的传感元件（1），所述传感元件还...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：TDK电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：