一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质，其方法包括：将参加排序的可控硅根据管压降大小生成从小到大排序的排序序列；从排序序列中筛选出管压降最接近的可控硅生成小到大排序的筛选序列；根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序；本发明专利技术通过对可控硅通态压降进行合理排序，达到将通态压降对均流的影响降低到最小的目的。最小的目的。最小的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质


[0001]本专利技术涉及一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质，属于电机励磁系统


技术介绍

[0002]励磁系统中并列运行的可控硅整流柜需要有良好的均流系数，才能够保证整个系统的长期可靠运行。然而，实际工程中各种因素会导致均流效果变差。如果并列运行的各个可控硅整流柜出力严重不一致，往往影响功率单元寿命，影响强励效果，给系统长期稳定运行带来隐患。
[0003]因此，可控硅整流桥的均流问题也就越来越受到人们的重视。处理好可控硅整流桥间的均流问题，对提高励磁系统运行的可靠性，消除安全隐患，确保电力生产的安全稳定运行具有重要意义。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质，研究并联运行可控硅整流柜的均流，通过对可控硅通态压降进行合理排序，达到将通态压降对均流的影响降低到最小的目的。
[0005]为达到上述目的，本专利技术是采用下述技术方案实现的：
[0006]第一方面，本专利技术提供了一种基于可控硅管压降的排序方法，包括：
[0007]将参加排序的可控硅根据管压降大小生成从小到大排序的排序序列；
[0008]从排序序列中筛选出管压降最接近的可控硅生成小到大排序的筛选序列；
[0009]根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序。
[0010]可选的，所述筛选序列中可控硅数量为6n，n为可控硅的并联桥臂数，所述筛选序列记为：V1，V2，V3…
V
6n
。
[0011]可选的，所述并联桥臂数n为4，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：
[0012]若交流进线到各并联桥臂的长度相等，则：
[0013]第1个可控硅整流柜的正A相为V1，正B相为V5，正C相为V9，负A相为 V
16
，负B相为V
20
，负C相为V
24
；
[0014]第2个可控硅整流柜的正A相为V2，正B相为V6，正C相为V
10
，负A相为V
15
，负B相为V
19
，负C相为V
23
；
[0015]第3个可控硅整流柜的正A相为V3，正B相为V7，正C相为V
11
，负A相为V
14
，负B相为V
18
，负C相为V
22
；
[0016]第4个可控硅整流柜的正A相为V4，正B相为V8，正C相为V
12
，负A相为V
13
，负B相为V
17
，负C相为V
21
。
[0017]可选的，所述并联桥臂数n为2，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述
根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：
[0018]若交流进线到各并联桥臂的长度不相等，则：
[0019]第1个可控硅整流柜的正A相为V1，正B相为V3，正C相为V5，负A相为 V7，负B相为V9，负C相为V
11
；
[0020]第2个可控硅整流柜的正A相为V2，正B相为V4，正C相为V6，负A相为 V8，负B相为V
10
，负C相为V
12
。
[0021]可选的，所述并联桥臂数n为4，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：
[0022]若第2个可控硅整流柜和第3个可控硅整流柜之间进线，第4个可控硅整流柜靠近直流出线，则：
[0023]第1个可控硅整流柜的正A相为V1，正B相为V5，正C相为V9，负A相为 V
13
，负B相为V
17
，负C相为V
21
；
[0024]第2个可控硅整流柜的正A相为V3，正B相为V7，正C相为V
11
，负A相为V
15
，负B相为V
19
，负C相为V
23
；
[0025]第3个可控硅整流柜的正A相为V4，正B相为V8，正C相为V
12
，负A相为V
16
，负B相为V
20
，负C相为V
24
；
[0026]第4个可控硅整流柜的正A相为V2，正B相为V6，正C相为V
10
，负A相为V
14
，负B相为V
18
，负C相为V
22
。
[0027]可选的，所述并联桥臂数n为3，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：
[0028]若第1个可控硅整流柜和第2个可控硅整流柜之间进线，第3个可控硅整流柜靠近直流出线，则：
[0029]第1个可控硅整流柜的正A相为V2，正B相为V5，正C相为V8，负A相为 V
11
，负B相为V
14
，负C相为V
17
；
[0030]第2个可控硅整流柜的正A相为V3，正B相为V6，正C相为V9，负A相为 V
12
，负B相为V
15
，负C相为V
18
；
[0031]第3个可控硅整流柜的正A相为V1，正B相为V4，正C相为V7，负A相为 V
10
，负B相为V
13
，负C相为V
16
。
[0032]可选的，所述并联桥臂数n为5，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：
[0033]若第2个可控硅整流柜和第3个可控硅整流柜之间进线，第5个可控硅整流柜靠近直流出线，则：
[0034]第1个可控硅整流柜的正A相为V2，正B相为V7，正C相为V
12
，负A相为V
17
，负B相为V
22
，负C相为V
27
；
[0035]第2个可控硅整流柜的正A相为V4，正B相为V9，正C相为V
14
，负A相为V
19
，负B相为V
24
，负C相为V
29
；
[0036]第3个可控硅整流柜的正A相为V5，正B相为V
10
，正C相为V
15
，负A相为V
20
，负B相为V
25
，负C相为V
30
；
[0037]第4个可控硅整流柜的正A相为V3，正B相为V8，正C相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于可控硅管压降的排序方法，其特征在于，包括：将参加排序的可控硅根据管压降大小生成从小到大排序的排序序列；从排序序列中筛选出管压降最接近的可控硅生成小到大排序的筛选序列；根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序。2.根据权利要求1所述的一种基于可控硅管压降的排序方法，其特征在于，所述筛选序列中可控硅数量为6n，n为可控硅的并联桥臂数，所述筛选序列记为：V1，V2，V3…
V
6n
。3.根据权利要求2所述的一种基于可控硅管压降的排序方法，其特征在于，所述并联桥臂数n为4，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：若交流进线到各并联桥臂的长度相等，则：第1个可控硅整流柜的正A相为V1，正B相为V5，正C相为V9，负A相为V
16
，负B相为V
20
，负C相为V
24
；第2个可控硅整流柜的正A相为V2，正B相为V6，正C相为V
10
，负A相为V
15
，负B相为V
19
，负C相为V
23
；第3个可控硅整流柜的正A相为V3，正B相为V7，正C相为V
11
，负A相为V
14
，负B相为V
18
，负C相为V
22
；第4个可控硅整流柜的正A相为V4，正B相为V8，正C相为V
12
，负A相为V
13
，负B相为V
17
，负C相为V
21
。4.根据权利要求2所述的一种基于可控硅管压降的排序方法，其特征在于，所述并联桥臂数n为2，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：若交流进线到各并联桥臂的长度不相等，则：第1个可控硅整流柜的正A相为V1，正B相为V3，正C相为V5，负A相为V7，负B相为V9，负C相为V
11
；第2个可控硅整流柜的正A相为V2，正B相为V4，正C相为V6，负A相为V8，负B相为V
10
，负C相为V
12
。5.根据权利要求2所述的一种基于可控硅管压降的排序方法，其特征在于，所述并联桥臂数n为4，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：若第2个可控硅整流柜和第3个可控硅整流柜之间进线，第4个可控硅整流柜靠近直流出线，则：第1个可控硅整流柜的正A相为V1，正B相为V5，正C相为V9，负A相为V
13
，负B相为V
17
，负C相为V
21
；第2个可控硅整流柜的正A相为V3，正B相为V7，正C相为V
11
，负A相为V
15
，负B相为V
19
，负C相为V
23
；第3个可控硅整流柜的正A相为V4，正B相为V8，正C相为V
12
，负A相为V
16
，负B相为V
20
，负C相为V
24
；第4个可控硅整流柜的正A相为V2，正B相为V6，正C相为V
10
，负A...

【专利技术属性】
技术研发人员：许其品，霍乾涛，冯炜，刘丽丽，吴维宁，朱宏超，袁亚洲，王晓明，郝勇，谢燕军，徐春建，史玉华，王亚婧，
申请(专利权)人：国网电力科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：