一种界面层钙钛矿电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种界面层钙钛矿电池，包括依次接触的衬底层、第一电荷传输层、第一界面层、钙钛矿层、第二界面层、第二电荷传输层和电极层；所述第一界面层为甲基丙烯酸甲酯

【技术实现步骤摘要】
一种界面层钙钛矿电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于钙钛矿电池
，尤其涉及一种界面层钙钛矿电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]近十年来，钙钛矿太阳能电池发展迅猛，效率值已由最初的3.8％升至25.2％，这得益于钙钛矿材料的高吸收系数、可调的带隙等优良的光电性能，也因其简单的器件结构和制备工艺。钙钛矿电池主要分为正式(n
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p)和反式(p
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n)结构两种，具体包括透明导电衬底、电子/空穴传输层、钙钛矿吸光层、空穴/电子传输层、金属电极。在钙钛矿层与电子/空穴传输层的界面处，存在着大量缺陷，这些缺陷作为非辐射复合的核心，严重影响钙钛矿电池的性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种界面层钙钛矿电池及其制备方法，本专利技术中的界面层钙钛矿电池可有效降低缺陷浓度，减少载流子在界面处的复合。
[0004]本专利技术提供一种界面层钙钛矿电池，包括依次接触的衬底层、第一电荷传输层、第一界面层、钙钛矿层、第二界面层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种界面层钙钛矿电池，包括依次接触的衬底层、第一电荷传输层、第一界面层、钙钛矿层、第二界面层、第二电荷传输层和电极层；所述第一界面层为甲基丙烯酸甲酯
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丙烯酸正丁酯共聚物层；所述第二节面层为甲基丙烯酸甲酯
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丙烯酸正丁酯共聚物层。2.根据权利要求1所述的界面层钙钛矿电池，其特征在于，所述第一界面层的厚度为5～20nm；所述第二节面层的厚度为5～20nm。3.根据权利要求2所述的界面层钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿层包括钙钛矿材料；所述钙钛矿材料包括有机
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无机杂化铅卤钙钛矿，有机
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无机杂化锡/铅混合卤钙钛矿和全无机钙钛矿中的一种或几种。4.根据权利要求3所述的界面层钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿层的厚度为300～1500nm。5.如权利要求1所述的界面层钙钛矿电池的制备方法，包括以下步骤：A)在衬底上沉积第一电荷传输材料，退火后得到第一电荷传输层；B)在所述第一电荷传输层表面沉积甲基丙烯酸甲酯
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丙烯酸正丁酯共聚物，退火后得到第一界面层；C)在所述第一界面层表面沉积钙钛矿材料，退火后得到钙钛矿层；D)在所述钙钛矿层表面沉积甲基丙烯酸甲酯
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丙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世森，蔡子贺，赵政晶，刘云，张赟，秦校军，赵志国，赵东明，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：