辐射线透过抑制薄膜、以及使用了该辐射线透过抑制薄膜的辐射线透过抑制滤波器和拍摄装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种辐射线透过抑制薄膜，可以保护拍摄装置免受辐射线影响而不会对该拍摄装置的拍摄性能产生不良影响。本发明专利技术的辐射线透过抑制薄膜包含含有硼酸的聚乙烯醇系树脂薄膜，该聚乙烯醇系树脂薄膜中的硼酸含量(重量％)与该聚乙烯醇系树脂薄膜的厚度(μm)的乘积为500以上。乘积为500以上。乘积为500以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射线透过抑制薄膜、以及使用了该辐射线透过抑制薄膜的辐射线透过抑制滤波器和拍摄装置


[0001]本专利技术涉及：辐射线透过抑制薄膜、以及使用了该辐射线透过抑制薄膜的辐射线透过抑制滤波器和拍摄装置。

技术介绍

[0002]随着拍摄技术和远程控制技术的发展，在高辐射线环境下的拍摄和视频记录已被实用化。例如，在核电设施、外太空或医疗现场，需要这种拍摄和视频记录的情况增多。然而，在这样的高辐射线环境下，存在由于辐射线的影响而拍摄装置的寿命缩短的问题。进而，由于作为通常的辐射线屏蔽材料的铅等是不透明的，因此不适合作为拍摄装置的保护构件。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
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000006号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术是为了解决上述现有的课题而完成的，其主要目的在于，提供可以保护拍摄装置免受辐射线影响的辐射线透过抑制薄膜而不会对该拍摄装置的拍摄性能产生不良影响。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本专利技术的一个方面，提供一种辐射线透过抑制薄膜，其包含含有硼酸的聚乙烯醇系树脂薄膜，该聚乙烯醇系树脂薄膜中的硼酸含量(重量％)与该聚乙烯醇系树脂薄膜的厚度(μm)的乘积为500以上。
[0010]在1个实施方式中，上述辐射线透过抑制薄膜的透光率为80％以上。
[0011]在1个实施方式中，还包含层叠于上述聚乙烯醇系树脂薄膜的一侧或两侧的保护薄膜。
[0012]在1个实施方式中，上述保护薄膜包含选自纤维素系树脂、环烯烃系树脂和丙烯酸系树脂中的至少1种树脂。
[0013]根据本专利技术的另一方面，提供一种辐射线透过抑制滤波器，其具有：上述辐射线透过抑制薄膜、及保持该辐射线透过抑制薄膜的支架。
[0014]在1个实施方式中，上述辐射线透过抑制滤波器包含2张以上的上述辐射线透过抑制薄膜。
[0015]根据本专利技术的另一方面，提供一种拍摄装置，其可拆卸地安装有上述辐射线透过抑制滤波器。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据基于本专利技术的实施方式的辐射线透过抑制薄膜，能够发挥由于硼酸中存在的硼原子而吸收中子射线的功能。另外，硼酸可以在水溶液中生成四羟基硼酸根阴离子而与聚乙烯醇(PVA)系树脂形成氢键，因此根据基于本专利技术的实施方式的辐射线透过抑制薄膜，在具有简单的构成的同时能够稳定地发挥该功能。进而，通过采用与能发挥吸收β射线的功能的保护薄膜的层叠结构，从而能够实现具有期望的辐射线透过抑制功能的薄膜。其结果，基于本专利技术的实施方式的辐射线透过抑制薄膜可以适宜地用作在高辐射线环境下使用的拍摄装置的保护构件。
附图说明
[0018]图1是基于本专利技术的1个实施方式的辐射线透过抑制薄膜的截面示意图。
[0019]图2是说明基于本专利技术的1个实施方式的辐射线透过抑制滤波器安装在拍摄装置上的示意性分解立体图。
[0020]图3是示出实施例和比较例的辐射线透过抑制薄膜中的PVA系树脂薄膜的厚度跟硼酸含量的乘积、与中子射线透过率(相对值)的关系的图。
具体实施方式
[0021]以下对本专利技术的实施方式进行说明，但本专利技术不限定于这些实施方式。
[0022]A.辐射线透过抑制薄膜
[0023]基于本专利技术的实施方式的辐射线透过抑制薄膜包含含有硼酸的聚乙烯醇系树脂薄膜。该聚乙烯醇系树脂薄膜中的硼酸含量(重量％)与该聚乙烯醇系树脂薄膜的厚度(μm)的乘积代表性地为500以上。在1个实施方式中，该辐射线透过抑制薄膜的透光率为80％以上。
[0024]A
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1.辐射线透过抑制薄膜的整体构成
[0025]图1是基于本专利技术的1个实施方式的辐射线透过抑制薄膜的截面示意图。图示例的辐射线透过抑制薄膜100包含：含有硼酸的PVA系树脂薄膜10、层叠于含有硼酸的PVA系树脂薄膜10的一面的第1保护薄膜20、及层叠于另一面的第2保护薄膜30。第1保护薄膜20和/或第2保护薄膜30可以根据目的等而省略。
[0026]上述第1保护薄膜20和第2保护薄膜30可以分别通过粘接层(例如，粘合剂层、粘接剂层)层叠于PVA系树脂薄膜10，或者，也可以不通过粘接层而密合地层叠于PVA系树脂薄膜10。
[0027]上述PVA系树脂薄膜10可以是如图示例那样的单层(单层薄膜)，也可以具有多个PVA系树脂薄膜的层叠结构。对于所层叠的PVA系树脂薄膜的张数，只要PVA系树脂薄膜中的硼酸含量与厚度具有期望的关系就没有特别限制。
[0028]上述辐射线透过抑制薄膜的透光率优选为80％以上，更优选为85％以上，进一步优选为90％以上。基于本专利技术的实施方式的辐射线透过抑制薄膜能够兼顾这样的高透光率与期望的辐射线透过抑制功能，因此可以适宜地用作在高辐射线环境下使用的拍摄装置的保护构件。透光率例如可以使用紫外可见分光光度计(日本分光公司制V
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7100、大冢电子公司制LPF
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200等)进行测定。
[0029]A
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2.含有硼酸的PVA系树脂薄膜
[0030]作为形成上述PVA系树脂薄膜的PVA系树脂，可以采用任意适合的树脂。例如可列举出聚乙烯醇、乙烯
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乙烯醇共聚物。聚乙烯醇可以通过将聚乙酸乙烯酯皂化而得到。乙烯
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乙烯醇共聚物可以通过将乙烯
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乙酸乙烯酯共聚物皂化而得到。PVA系树脂的皂化度通常为85摩尔％～100摩尔％，优选为95.0摩尔％～99.95摩尔％、进一步优选为99.0摩尔％～99.93摩尔％。皂化度可以依据JIS K 6726
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1994而求出。通过使用这种皂化度的PVA系树脂，从而可使耐久性优异。皂化度过高时，有发生凝胶化的担心。
[0031]PVA系树脂的平均聚合度可以根据目的进行适宜选择。平均聚合度通常为1000～10000，优选为1200～5000、进一步优选为1500～4500。需要说明的是，平均聚合度可以依据JIS K 6726
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1994而求出。
[0032]上述PVA系树脂薄膜中的硼酸含量优选为10重量％以上，更优选为12重量％～35重量％，进一步优选为15重量％～30重量％。硼酸含量若为这样的范围，则能够实现期望的辐射线(特别是，中子射线)透过抑制功能。硼酸含量(重量％)可以利用由衰减全反射光谱(ATR)测定计算出的硼酸量指数而确定。
[0033](硼酸量指数)＝(硼酸峰665cm
‑1的强度)/(参照峰2941cm
‑1的强度)
[0034](硼酸含量)＝(硼酸量指数)
×
a+b
[0035]此处，“a”和“b”均为测定已知试样而可得到的常数，该值因测定装置而异。
[0036]上述PVA系树脂薄膜的厚度优选为5μm以上，更优选为10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种辐射线透过抑制薄膜，其包含含有硼酸的聚乙烯醇系树脂薄膜，该聚乙烯醇系树脂薄膜中的硼酸含量(重量％)与该聚乙烯醇系树脂薄膜的厚度(μm)的乘积为500以上。2.根据权利要求1所述的辐射线透过抑制薄膜，其透光率为80％以上。3.根据权利要求1或2所述的辐射线透过抑制薄膜，其还包含层叠于所述聚乙烯醇系树脂薄膜的一侧或两侧的保护薄膜。4.根据权利要求3所述的辐射线透过抑制薄膜，...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤周作，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：