反射性电极保护层用化合物以及包含所述化合物的背面发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种以下述化学式1表示的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物。<化学式1>式1>式1>式1>

【技术实现步骤摘要】
反射性电极保护层用化合物以及包含所述化合物的背面发光元件


[0001]本专利技术涉及一种反射性电极保护层用化合物以及包含所述化合物的背面发光元件。

技术介绍

[0002]在有机发光元件中作为有机物层使用的材料大体上可以根据其功能分为发光材料、空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料以及电子注入材料等。
[0003]此外，所述发光材料可以根据发光机制分为源于电子的单重激发态的荧光材料、源于电子的三重激发态的磷光材料以及源于从三重激发态到单重激发态的电子移动的延迟荧光材料，而且可以根据发光颜色分为蓝色、绿色、红色以及为了实现更加优秀的天然色而需要的黄色以及朱黄色发光材料。
[0004]一般的有机发光元件可以采用在基板上部形成阳极，并在所述阳极上部依次形成空穴输送层、发光层、电子输送层以及阴极的结构。其中，空穴输送层、发光层以及电子输送层是由有机化合物构成的有机薄膜。
[0005]如上所述结构的有机发光元件的驱动原理如下所述。
[0006]当在所述阳极以及阴极之间加载电压时，从阳极注入的空穴将经由空穴输送层移动到发光层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种以下述化学式1表示的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物：化学式1在所述化学式1中，Ar、Ar1至Ar6各自独立地为取代或未取代的C6～C50的芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂芳基，L1至L3各自独立地为直接结合、取代或未取代的C6～C50的亚芳基、或取代或未取代的C2～C50的杂亚芳基，虚线可以连接而形成或不形成稠合基。2.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar为C6以下的芳基、或C5以下的杂芳基。3.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar为亚苯基、吡啶基、嘧啶基或三嗪基。4.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar1至Ar6中的一个或两个以上为取代或未取代的稠合芳基、或取代或未取代的稠合杂芳基。5.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar1至Ar6中的一个或两个以上为菲基。6.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar1、Ar3以及Ar5为菲基。7.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar1至Ar6中的4个以上为萘基。8.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，所述Ar1至Ar6为萘基。9.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护层用化合物，包含由虚线连接而成的3个咔唑基。10.根据权利要求1所述的背面发光元件的反射性电极保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸昊完，安贤哲，金东骏，闵丙哲，韩政佑，李萤振，安慈恩，权桐热，金兑旼，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：