波导吸收体制造技术

本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及螺旋波导吸收体及其制造方法。该结构包括：光子部件；以及波导吸收体，其具有与光子部件的节点耦合的光栅图案。点耦合的光栅图案。点耦合的光栅图案。

【技术实现步骤摘要】
波导吸收体


[0001]本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及波导吸收体及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体光波导结构(例如，光子部件)是集成的光电子系统的重要部件。例如，半导体光波导结构能够通过限制光向周围衬底中的扩展来引导具有最小能量损失的光波(例如，光)。光波导结构可以用于许多不同的应用中，包括例如半导体激光器、光学滤波器、开关、调制器、隔离器和光电检测器。半导体材料的使用还使得能够使用已知的制造技术将单片(monolithic)集成到光电子器件中。
[0003]光子器件的打开的(open)或未被连接的端口或者其他终止点可能导致光信号的泄漏或背散射(backscatter)到芯片中。这也可能引起与其他光子器件的串扰以及对光信号的整体干扰。为了防止这种问题发生，将吸收体(absorber)耦合到光子器件的打开的或未被连接的端口。已知吸收体由Ge材料制造，因为它们容易被集成到光子器件的制造工艺中。然而，Ge吸收体遭受相对较高的光回波损耗(例如，背反射和背散射)，其进而可能显著地阻碍信号的光强度。进入激光器的背散射可能导致不稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：光子部件；以及波导吸收体，其具有与所述光子部件的节点耦合的光栅图案。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述波导吸收体以螺旋配置来设置，并且所述光栅图案包括位于所述波导吸收体内的间隙。3.根据权利要求2所述的结构，其中所述间隙填充有绝缘体材料。4.根据权利要求2所述的结构，其中所述波导吸收体是SiN材料、多晶硅材料和绝缘体上硅(SOI)技术的Si材料中的一种。5.根据权利要求2所述的结构，其中所述螺旋配置包括同心放置的圆形匝。6.根据权利要求2所述的结构，其中所述螺旋配置包括同心放置的四边形匝。7.根据权利要求1所述的结构，其中所述波导吸收体包括交替的宽区域和窄区域，并且所述光栅图案是位于所述宽区域的对之间并与所述宽区域的对之间的所述窄区域邻近的间隙。8.根据权利要求7所述的结构，其中位于所述宽区域的对之间的并与所述窄区域邻近的所述间隙填充有绝缘体材料。9.根据权利要求7所述的结构，其中所述交替的宽区域和窄区域掺杂有相同的掺杂剂类型。10.根据权利要求7所述的结构，其中所述交替的宽区域和窄区域掺杂有不同的掺杂剂类型。11.根据权利要求7所述的结构，其中所述波导吸收体设置在具有与所述波导吸收体相同的材料的单片基底上。12.根据权利要求1所述的结构，其中所述波导吸收体设置在具有与所述波导吸收体相同的材料的单片基底上，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞宇生，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：