一种用于有机发光的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术涉及一种用于有机发光的化合物，所述化合物的结构如式(I)所示：其中，R1‑

【技术实现步骤摘要】
一种用于有机发光的化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及光电材料领域，尤其涉及一种用于有机发光的化合物及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光元件具有以空穴传输层和电子传输层夹持含有发光材料的发光层，进而在该夹层结构的两外侧安装阳极和阴极而形成的结构。有机电致发光元件是利用由注入发光层中的空穴及电子的再键合而产生的激子失活时放出光 (荧光或磷光)的元件，被应用于显示器等。
[0003]为了使有机发光器件具有足够的优异特性，形成有机材料层的材料，例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等首先需要由稳定且有效的材料来支撑，然而，目前用于有机发光器件的有机材料层的稳定且有效的材料的开发仍然不足。因此，需要持续开发新材料，而且需要这些开发的材料还能应用于上述的其他有机电子器件。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是针对现有技术中的不足，提供一种用于有机发光的化合物及其应用。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：
[0006]本专利技术的第一方面是提供一种用于有机发光的化合物，所述化合物的结构如式(I)所示：
[0007][0008]其中，R
1-R5分别独立地选自氢、取代或未取代的芳基基团、取代或未取代的杂芳基基团、取代或未取代的烷基基团；L选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的杂芳基。
[0009]优选地，R
1-R5分别独立地选自氢、取代或未取代的C
6-C
60/>的芳基基团、取代或未取代的C
6-C
60
的杂芳基基团、取代或未取代的C
1-C
50
的烷基基团。
[0010]优选地，所述未取代的C
6-C
60
的芳基基团包括：苯基、萘基、蒽基、菲基、醌基、芴基、螺芴基。
[0011]优选地，所述未取代的C
6-C
60
的杂芳基基团包括：呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、恶唑基、噻唑基、苯并呋喃基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基。
[0012]优选地，所述未取代的C
1-C
50
的烷基基团包括：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基。
[0013]优选地，所述化合物的结构如式A、B、C、D所示：
[0014][0015][0016]本专利技术的第二方面是提供一种电子传输材料，包括如上述的化合物。
[0017]本专利技术的第三方面是提供一种电子传输层，包括如上述的电子传输材料。
[0018]本专利技术的第四方面是提供一种OLED装置，包括如上述的电子传输层。
[0019]本专利技术采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：
[0020]本专利技术的一种用于有机发光的化合物可用作电子传输材料，其不仅具较高的稳定性，也具有高电荷转移能力和高玻璃化转变温度。
具体实施方式
[0021]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0023]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0024]实施例1
[0025]本实施例的第一方面是提供一种用于有机发光的化合物，所述化合物的结构如式A所示：
[0026][0027]本实施例的第二方面是提供一种上述化合物的合成方法：
[0028][0029][0030]步骤(a)：将40mmol化合物1、47mmol联硼酸频那醇酯和118mmol乙酸钾溶于150mL二氧六环中，将混合物加热至50℃，将0.4mmol Pd(DBA)2和0.8mmolP(Cy)3加入其中，并将得到的混合物边搅拌边加热12小时。将反应溶液冷却至室温，将100mL蒸馏水加入其中，并用二氯甲烷萃取混合物，再将有机层浓缩并用乙醇重结晶得到化合物2。
[0031]步骤(b)：将99.95mmol化合物3和99.98mmol化合物4悬浮于200mL的1,4
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二噁烷和20mL乙酸中。将所得混合物在回流下搅拌约6小时，并冷却至室温。用100mL水稀释混合物，之后过滤生成的固体，并用水和己烷洗涤得到化合物 5。
[0032]步骤(c)：将46.3mmol化合物5和46.3mmol的化合物2悬浮在300mL二噁烷和92.6mmol氟化铯中。向该悬浮液添加5.56mmol的双(三环己基膦)二氯化钯，并将反应混合物在回流下加热24小时，分离出有机相，通过硅胶过滤，用100mL 的水洗涤三次，随后蒸发至干。利用甲苯通过硅胶过滤，将留下的残渣从庚烷/甲苯中重结晶，最终得到化合物A。
[0033]化合物A的产率为83％。表征数据：熔点(DSC)283℃，纯度99.9％；1HNMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)：7.91-7.68(m,6H),7.51-7.48(m,8H),7.39-7.30(m, 15H),7.22-7.01(m,6H),6.62-6.46(m,4H)。
[0034]实施例2
[0035]本实施例的提供一种用于有机发光的化合物，所述化合物的结构如式B所示：
[0036][0037]该化合物的合成方法同实施例1的合成方法，区别在于将原料中的取代基进行相
应的替换。
[0038]化合物B的产率为84％。表征数据：熔点(DSC)284℃，纯度99.9％；1H NMR (400MHz,CDCl3)δ(ppm)：9.20(s,1H),8.11-7.91(m,5H),7.78-7.48(m,7H), 7.39-7.30(m,15H),7.22-7.00(m,6H),6.62-6.46(m,4H)。
[0039]实施例3
[0040]本实施例的提供一种用于有机发光的化合物，所述化合物的结构如式C所示：
[0041][0042]该化合物的合成方法同实施例1的合成方法，区别在于将原料中的取代基进行相应的替换。
[0043]化合物C的产率为79％。表征数据：熔点(DSC)284℃，纯度99.9％；1H NMR (400MHz,CDCl3)δ(ppm)：8.81-8.51(m,2H),8.29(s,1H),8.00-7.91(m,5H), 7.48-7.39(m,10H),7.32-7.22(m,10H),7.01-6.46(m,7H),3.89-1.51(m,5H)。
[0044]实施例4
[0045]本实施例的提供一种用于有机发光的化合物，所述化合物的结构如式D所示：
[0046][0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于有机发光的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如式(I)所示：其中，R
1-R5分别独立地选自氢、取代或未取代的芳基基团、取代或未取代的杂芳基基团、取代或未取代的烷基基团；L选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的杂芳基。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，R
1-R5分别独立地选自氢、取代或未取代的C
6-C
60
的芳基基团、取代或未取代的C
6-C
60
的杂芳基基团、取代或未取代的C
1-C
50
的烷基基团。3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，所述未取代的C
6-C
60
的芳基基团包括：苯基、萘基、蒽基、菲基、醌基、芴基、螺芴基。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄雪明，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：