本申请实施例提供一种反射式显示面板及显示装置，反射式显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，以及，位于第一基板与第二基板之间的墨水结构层；墨水结构层包括墨水溶剂和黑色微粒；第一基板包括透镜层、第一电极和第一介电层，第二基板设置有第二电极，第二电极包括第一子电极和第二子电极，第一子电极为反射电极；在反射式显示面板显示亮态时，第一子电极被配置为与第一电极形成第一电场强度，第二子电极被配置为与第一电极形成第二电场强度，且第一电场强度小于第二电场强度。如此设计，在显示亮态时黑色微粒聚集在第二子电极，第一子电极反射进入第一基板和第二基板之间的光线，经反射的光线通过第一基板射出，从而提高光线利用率。而提高光线利用率。而提高光线利用率。
【技术实现步骤摘要】
反射式显示面板及显示装置
[0001]本申请实施例涉及显示装置
，尤其涉及一种反射式显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]Clear
‑
Ink(缩写CID)显示面板是一种反射式显示面板，通过对入射至CID显示面板内的外部光线进行反射来实现显示。CID显示面板包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，以及，填充于彩膜基板和阵列基板之间的墨水结构层。墨水结构层包括墨水溶剂以及位于墨水溶剂中的黑色微粒。彩膜基板朝向阵列基板的一侧设置有透镜、公共电极和第一介电层，阵列基板设置有像素电极。
[0003]在CID显示面板显示亮态时，控制像素电极和公共电极之间的压差，使黑色微粒远离透镜向阵列基板的方向移动，此时墨水溶剂与第一介电层接触。第一介电层的折射率大于墨水溶剂的折射率，当外部光线入射到第一介电层与墨水溶剂的界面时发生全反射，反射光穿过彩膜基板使该CID显示面板呈现亮态。
[0004]通过上述描述可知，CID显示面板在显示亮态时需要入射光在第一介电层与墨水溶剂界面发生全反射；但是通常会存在一部分光无法发生全反射，导致亮态反射率偏低。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本申请实施例的目的在于提出一种反射式显示面板及显示装置。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种反射式显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板，以及，位于所述第一基板与所述第二基板之间的墨水结构层；所述墨水结构层包括墨水溶剂和位于所述墨水溶剂中的黑色微粒；
[0007]所述第一基板包括透镜层、第一电极和第一介电层，所述第二基板设置有第二电极，所述第二电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极为反射电极；
[0008]在所述反射式显示面板显示亮态时，所述第一子电极被配置为与所述第一电极形成第一电场强度，所述第二子电极被配置为与所述第一电极形成第二电场强度，且所述第一电场强度小于所述第二电场强度。
[0009]在本申请实施例提供的反射式显示面板中，通过对第二基板进行结构上的改进，在反射式显示面板显示亮态时，控制第一子电极与第一电极形成第一电场强度，第二子电极与第一电极形成第二电场强度，第一电场强度小于第二电场强度；使得墨水结构层中的黑色微粒聚集在第二子电极，又由于第一子电极为反射电极，可以用于反射进入第一基板和第二基板之间的光线，也即反射从第一介电层和墨水溶剂交界面“漏过”的光线，经第一子电极反射的光线又通过第一基板射出，从而提高光线利用率，提高该反射式显示面板在显示亮态时的显示亮度，使得反射式显示面板的对比度以及亮态亮度得到明显提高，进而会提高该反射式显示面板的显示质量。
[0010]在一种可能的实施方式中，沿所述第一基板与所述第二基板之间的方向，所述第
一子电极与所述第一电极的距离为d1，所述第二子电极与所述第一电极的距离为d2；其中，d1与d2不相等。
[0011]在一种可能的实施方式中，所述第一子电极和所述第二子电极相连，且d1>d2。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述第二基板沿靠近所述第一基板的方向层叠设置有衬底基板、驱动电路层、有机层和电极层，所述有机层包括靠近所述第一基板的第一表面以及开设于所述第一表面的电极凹槽；所述电极层包括多个所述第二电极，所述第二电极位于所述第一表面的部分为所述第二子电极，所述第二电极位于所述电极凹槽的部分为所述第一子电极。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述驱动电路层包括栅线、数据线和薄膜晶体管，所述栅线与所述薄膜晶体管的控制极相连，所述数据线与所述薄膜晶体管的第一极相连，所述第二电极与所述薄膜晶体管的第二极相连。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述第一子电极和所述第二子电极独立设置，所述反射式显示面板包括与所述第一子电极相连的第一电路，以及，与所述第二子电极相连的第二电路；
[0015]所述第一电路和所述第二电路被配置为在所述反射式显示面板显示亮态时，向所述第一子电极和所述第二子电极分别输入驱动电压，以分别形成所述第一电场强度和所述第二电场强度。
[0016]在一种可能的实施方式中，d1<d2。
[0017]在一种可能的实施方式中，所述第二基板沿靠近所述第一基板的方向层叠设置有衬底基板、驱动电路层、有机层和电极层；所述有机层包括靠近所述第一基板的第一表面以及开设于所述第一表面的电极凹槽，所述电极层包括多个所述第二电极，所述第二电极中的所述第一子电极位于所述第一表面，所述第二电极中的所述第二电极位于所述位于所述电极凹槽。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述第一子电极和所述第二子电极独立设置，所述反射式显示面板包括与所述第一子电极相连的第一电路，以及，与所述第二子电极相连的第二电路；
[0019]所述第一电路和所述第二电路被配置为在所述反射式显示面板显示亮态时，向所述第一子电极和所述第二子电极分别输入驱动电压，以分别形成所述第一电场强度和所述第二电场强度；
[0020]沿所述第一基板与所述第二基板之间的方向，所述第一子电极与所述第一电极的距离为d1，所述第二子电极与所述第一电极的距离为d2，d1与d2相等。
[0021]在一种可能的实施方式中，所述第一电路包括第一栅线、第一数据线和第一薄膜晶体管，所述第一栅线与所述第一薄膜晶体管的控制极相连，所述第一数据线与所述第一薄膜晶体管的第一极相连，所述第一子电极与所述第一薄膜晶体管的第二极相连；
[0022]所述第二电路包括第二栅线、第二数据线和第二薄膜晶体管，所述第二栅线与所述第二薄膜晶体管的控制极相连，所述第二数据线与所述第二薄膜晶体管的第一极相连，所述第二子电极与所述第二薄膜晶体管的第二极相连；
[0023]所述第二电极两侧的栅线分别为所述第一栅线和所述第二栅线，所述第二电极两侧的数据线分别为所述第一数据线和所述第二数据线。
[0024]在一种可能的实施方式中，在所述反射式显示面板显示亮态时，所述第一电路被配置为向所述第一子电极输入的驱动电压为U1，所述第二电路被配置为向所述第二子电极输入的驱动电压为U2；
[0025]其中，U1/d1<U2/d2。
[0026]第二方面，本申请实施例提供了一种显示装置，其包括第一方面实施例中任一项所述的反射式显示面板。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本申请实施例提供的一种反射式显示面板的结构示意图；
[0029]图2为本申请实施例提供的一种反射式显示面板的像素排布图；
[0030]图3为图1中反射式显示面板对应子像素的结构示意图；
[0031]图4为图1中挡墙结本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反射式显示面板，其特征在于，包括相对设置的第一基板和第二基板，以及，位于所述第一基板与所述第二基板之间的墨水结构层；所述墨水结构层包括墨水溶剂和位于所述墨水溶剂中的黑色微粒；所述第一基板包括透镜层、第一电极和第一介电层，所述第二基板设置有第二电极，所述第二电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极为反射电极；在所述反射式显示面板显示亮态时，所述第一子电极被配置为与所述第一电极形成第一电场强度，所述第二子电极被配置为与所述第一电极形成第二电场强度，且所述第一电场强度小于所述第二电场强度。2.根据权利要求1所述的反射式显示面板，其特征在于，沿所述第一基板与所述第二基板之间的方向，所述第一子电极与所述第一电极的距离为d1，所述第二子电极与所述第一电极的距离为d2；其中，d1与d2不相等。3.根据权利要求2所述的反射式显示面板，其特征在于，所述第一子电极和所述第二子电极相连，且d1>d2。4.根据权利要求3所述的反射式显示面板，其特征在于，所述第二基板沿靠近所述第一基板的方向层叠设置有衬底基板、驱动电路层、有机层和电极层，所述有机层包括靠近所述第一基板的第一表面以及开设于所述第一表面的电极凹槽；所述电极层包括多个所述第二电极，所述第二电极位于所述第一表面的部分为所述第二子电极，所述第二电极位于所述电极凹槽的部分为所述第一子电极。5.根据权利要求4所述的反射式显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括栅线、数据线和薄膜晶体管，所述栅线与所述薄膜晶体管的控制极相连，所述数据线与所述薄膜晶体管的第一极相连，所述第二电极与所述薄膜晶体管的第二极相连。6.根据权利要求2所述的反射式显示面板，其特征在于，所述第一子电极和所述第二子电极独立设置，所述反射式显示面板包括与所述第一子电极相连的第一电路，以及，与所述第二子电极相连的第二电路；所述第一电路和所述第二电路被配置为在所述反射式显示面板显示亮态时，向所述第一子电极和所述第二子电极分别输入驱动电压，以分别形成所述第一电场强度和所述第二电场强度。7.根据权利要求6所述的反射式显示面板，其特征在于，d1<...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐智强，康昭，黄华，刘伟星，李小龙，张春芳，王铁石，郭凯，滕万鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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