应用于射频能量收集系统的双路径RF-DC整流器技术方案

本发明专利技术公开一种应用于射频能量收集系统的双路径RF

【技术实现步骤摘要】
应用于射频能量收集系统的双路径RF
‑
DC整流器


[0001]本专利技术涉及射频能量收集
，特别是涉及一种应用于射频能量收集系统的双路径RF
‑
DC整流器。

技术介绍

[0002]近年来，射频能量收集技术在可穿戴医疗设备、无线能量传输等领域有着广泛的应用。射频能量收集系统主要包括能量源、天线、匹配网络、整流器和储能元件等，它通过对空间中的射频能量的收集，达到对系统供电的目的，进而实现系统无电池化的改进，在电池维护和系统持续性工作的问题上提供优越的解决方案。其中，RF
‑
DC整流器起到将交流的射频能量转换为直流信号并为后续系统供电的作用，是整个射频能量收集系统中的关键模块，也决定着整个系统的能量转换效率。
[0003]目前，对于RF
‑
DC整流器主要面临的挑战是环境中的射频能量功率密度较小、整流器能量转换效率较低以及整流器维持高转换效率的输入功率范围较窄等问题。迄今为止，很多研究针对RF
‑
DC整流器面临的问题提出了众多的解决方案。诸如为了提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.应用于射频能量收集系统的双路径RF
‑
DC整流器，其特征在于，包括并联布置的基于2阶交叉耦合整流器的低功率路径以及基于2阶全NMOS整流器件的整流器的高功率路径；所述2阶交叉耦合整流器以及2阶全NMOS整流器件的整流器的高功率路径分别接RF+、RF
‑
信号，并分别通过各自的V
IN
端接开关信号SW,以及通过各自的V
Out
端接到电路的输出端。2.根据权利要求1所述应用于射频能量收集系统的双路径RF
‑
DC整流器，其特征在于，所述2阶交叉耦合整流器包括晶体管M
B1
、晶体管M
B2
、晶体管M
B3
、晶体管M
B4
、晶体管M
B5
、晶体管M
B6
、晶体管M
N1
、晶体管M
P1
、晶体管M
N2
、晶体管M
P2
、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4；晶体管M
B1
与晶体管M
B2
的源极相接后接V
IN
，晶体管M
N1
与晶体管M
N2
的漏极相接后接V
IN
，晶体管M
B1
的栅极与其漏极相接后与晶体管M
N1
的栅极相接，晶体管M
B2
的栅极与其漏极相接后与晶体管M
N2
的栅极相接，晶体管M
N1
的栅极接电容C3的一端，晶体管M
N2
的栅极接电容C1的一端，晶体管M
N1
的源极接电容C2的一端，电容C1及电容C2的另一端接RF+,晶体管M
N2
的源极接电容C4的一端，电容C3及电容C4的另一端接RF
‑
；晶体管M
B3
、晶体管M
B4
的栅极相接后接晶体管M
P1
的栅极及晶体管M
B3
的漏极，晶体管M
B3
的源极接晶体管M
B4
的漏极，晶体管M
B4
的源极接晶体管M
P1
的漏极，晶体管M
P1
的源极接晶体管M
N1
的源极以及晶体管M
P2
的栅极；晶体管M
B5
、晶体管M
B6
的栅极相接后接晶体管M
P2
的栅极及晶体管M
B5
的漏极，晶体管M
B5
的源极接晶体管M
B6
的漏极，晶体管M
B6
的源极接晶体管M
P2
的漏极，晶体管M
P2
的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王科平，李霞光，周怡鑫，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：