等离子体模块制造技术

本发明专利技术属于等离子技术领域，尤其涉及一种等离子体模块，包括隔直耦合单元、短路限流器、滤波稳压电路、集成芯片IC、功率放大电路、升压器、倍压镇流电路和等离子体发射器；所述隔直耦合单元连接3

【技术实现步骤摘要】
等离子体模块


[0001]本专利技术属于等离子发生模块
，尤其涉及一种等离子体模块。

技术介绍

[0002]现在市面上销售所有的空气净化器﹑消毒设备等等，而他们消毒目前用的是消毒水﹑杀病毒用的是臭氧﹑紫外线，除异味用的是臭氧，除粉尘，PM2.5﹑消烟雾用的是滤网。
[0003]消毒水毒配制麻烦，浓度高了对人体伤害，浓度低了又消不毒。消毒水主要是以具有强氧化性的化学化合物组成的,像次氯酸钠,双氧水等等,强氧化性能起到杀菌消毒的作用,并有一定的腐蚀性,大多数消毒水有挥发性,当这些清洁用品蒸发后，室内会积聚大量有害气体。人吸入后对呼吸道黏膜有强烈的刺激作用，特别是有的消毒水含二氯苯，长期吸入可刺激呼吸道，诱发细胞变异而导致白血病、肺癌等。
[0004]用臭氧杀病毒，要求人不在现场的情况下进行，臭氧大量吸入体内以后，会对人体的细胞、组织产生损伤，它强烈刺激人的呼吸道，造成咽喉肿痛、胸闷咳嗽、引发支气管炎和肺气肿；臭氧会造成人的神经中毒，头晕头痛、视力下降、记忆力衰退；臭氧会对人体皮肤中的维生素E起到破坏作用，致使人的皮肤起皱、出现黑斑；臭氧还会破坏人体的免疫机能，诱发淋巴细胞染色体病变，加速衰老，致使孕妇生畸形儿；它会引发各类癌症和心血管疾病。
[0005]紫外线杀病毒，要求人不在现场的情况下进行，因为具有一定的辐射强度，所以对于皮肤有以下几个方面的损害，第1个是引起眼睛的结膜炎症，角膜炎，长时间刺激可以出现红肿，痛，流眼泪，比较严重出现青光眼，白内障。第2个方面是引起皮肤的损伤，比如说脱皮屑，红肿，皮疹。第3个方面具有导致基因突变发生肿瘤癌变的风险。
[0006]现有的正负离子发射器，它输出的电压低﹑电流大﹑工作频率高，产生静电及辐射对周围无线电设备及家用电器都有着严重干扰甚至无法正常工作，还产生臭氧味﹑在这种静电及辐射的场合下工作及生活会造成人体生殖系统、神经系统和免疫系统造成直接伤害，是心血管疾病、糖尿病、癌突变的主要诱因和造成孕妇流产、不育、畸胎等病变的诱发因素，并可直接影响未成年人的身体组织与骨骼的发育，引起视力、记忆力下降和肝脏造血功能下降等等。
[0007]因此，现有技术还有待于改进和发展！

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种等离子体模块，旨在解决现有等离子发生装置产生静电和辐射，对周围无线电设备及家用电器造成干扰，并形成臭氧的技术问题。
[0009]为实现上述目的，本专利技术提供了：一种等离子体模块，其包括隔直耦合单元、短路限流器、滤波稳压电路、集成芯片IC、功率放大电路、升压器、倍压镇流电路和等离子体发射器；所述隔直耦合单元连接3
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36V直流电源的正极，隔直耦合单元的输出端与短路限流器的一端连接，短路限流器的另一端与滤波稳压电路的一端连接，滤波稳压电路的另一端与集成芯片IC连接，所述集成芯片IC的输出端依次连接功率放大电路、升压器、倍压镇流电路和
等离子体发射器；所述升压器反馈电压信号给集成芯片IC，所述倍压镇流电路的输出端还与集成芯片IC连接，用于控制输出电压的稳定。
[0010]所述的等离子体模块，其中，所述集成芯片IC集成了电压信号分离电路、电压基准电路、第一比较器、第二比较器、偏置调整区单元、逻辑电路、电平位移器、驱动器和缓冲器；所述电信号分离电路的两端分别连接电压基准电路和滤波稳压电路，所述电压基准电路还分别连接有第一比较器、第二比较器和偏置调整区单元，所述第一比较器和第二比较器还连有逻辑电路，所述电平位移器分别与逻辑电路、偏置调整区单元、驱动器和缓冲器连接；所述驱动器与功率放大电路连接；所述升压器与电压基准电路连接；所述缓冲器与倍压镇流电路的输出端连接。
[0011]所述的等离子体模块，其中，所述隔直耦合单元为电容C1，电容C1的正极3
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36V直流电源的正极。
[0012]所述的等离子体模块，其中，所述短路限流器为二极管D1，所述二极管D1的正极与电容C1的负极连接。
[0013]所述的等离子体模块，其中，所述滤波稳压电路包括滤波电容C2和稳压二极管ZD，所述稳压二极管ZD与滤波电容C2并联连接，所述稳压二极管ZD和滤波电容C2并联后的一端与二极管D1的负极连接，所述稳压二极管ZD和滤波电容C2并联后的另一端连接3
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36V直流电源的负极。
[0014]所述的等离子体模块，其中，所述二极管D1的负极通过滤波电容C3与集成芯片IC的1脚连接；所述滤波电容C3通过可变电阻R4连接3
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36V直流电源的负极。
[0015]所述的等离子体模块，其中，所述集成芯片IC的3脚通过可变电阻R3和电容C4与功率放大电路连接，所述可变电阻R3和电容C4并联，集成芯片IC的5脚连接于可变电阻R3和电容C4之间；集成芯片IC的7脚通过可变电阻R5与功率放大电路连接。
[0016]所述的等离子体模块，其中，功率放大电路包括信号滤波电容C6、保护电容C8和三极管Q，所述信号率波电容C6的一端连接集成芯片IC的4脚，信号率波电容C6的另一端连接三极管Q的基极，三极管Q的发射极通过保护电容C8与升压器的负极连接，三极管Q的集电极与升压器的负极连接。
[0017]所述的等离子体模块，其中，所述镇流倍压电路由二极管D2﹑电容C9﹑二极管D3和电容C10组成，所述二极管D2与电容C9串联，所述二极管D3与电容C10串联，二极管D2和电容C9串联后再与串联后的二极管D3和电容C1并联连接。
[0018]所述的等离子体模块，其中，所述三极管Q的基极通过限流电阻R2和启动单元连接集成芯片IC的2脚，所述启动单元的一端连接限流电阻R2，启动单元的另一端连接集成芯片IC的2脚和升压器的正极，所述启动单元由并联的电阻R1和电容C7组成。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：通过隔直耦合单元使得等离子体模块内的工作频率信号与市电杂波完全隔离屏蔽，隔离了等离子体模块工作的振荡频率，所以高压产生的微弱静电及微弱辐射对所有无线电设备及电器设备无任何干扰，所述镇流倍压电路使得输出高压在8.5KV左右，并将负高压反馈到集成芯片IC的6脚缓冲器来自动控制输出电压的稳定，所述集成芯片IC控制电流的稳定输出，所以不会产生臭氧。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本专利技术的电路框图。
[0022]图2为本专利技术的详细电路框图。
[0023]图3为本专利技术的电路图
[0024]图中：隔直耦合单元100、短路限流器200、滤波稳压电路300、集成芯片IC400、功率放大电路500、升压器600、倍压镇流电路700、等离子体发射器800、启动单元900、电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体模块，其特征在于，包括隔直耦合单元、短路限流器、滤波稳压电路、集成芯片IC、功率放大电路、升压器、倍压镇流电路和等离子体发射器；所述隔直耦合单元连接3
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36V直流电源的正极，隔直耦合单元的输出端与短路限流器的一端连接，短路限流器的另一端与滤波稳压电路的一端连接，滤波稳压电路的另一端与集成芯片IC连接，所述集成芯片IC的输出端依次连接功率放大电路、升压器、倍压镇流电路和等离子体发射器；所述升压器反馈电压信号给集成芯片IC，所述倍压镇流电路的输出端还与集成芯片IC连接，用于控制输出电压的稳定。2.根据权利要求1所述的等离子体模块，其特征在于，所述集成芯片IC集成了电压信号分离电路、电压基准电路、第一比较器、第二比较器、偏置调整区单元、逻辑电路、电平位移器、驱动器和缓冲器；所述电信号分离电路的两端分别连接电压基准电路和滤波稳压电路，所述电压基准电路还分别连接有第一比较器、第二比较器和偏置调整区单元，所述第一比较器和第二比较器还连有逻辑电路，所述电平位移器分别与逻辑电路、偏置调整区单元、驱动器和缓冲器连接；所述驱动器与功率放大电路连接；所述升压器与电压基准电路连接；所述缓冲器与倍压镇流电路的输出端连接。3.根据权利要求1所述的等离子体模块，其特征在于，所述隔直耦合单元为电容C1，电容C1的正极3
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36V直流电源的正极。4.根据权利要求3所述的等离子体模块，其特征在于，所述短路限流器为二极管D1，所述二极管D1的正极与电容C1的负极连接。5.根据权利要求4所述的等离子体模块，其特征在于，所述滤波稳压电路包括滤波电容C2和稳压二极管ZD，所述稳压二极管ZD与滤波电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷四财，马爱民，
申请(专利权)人：东莞市大正科创智能有限公司，
类型：发明
国别省市：