【技术实现步骤摘要】
同轴连接器及其制造方法以及超导装置
本专利技术涉及同轴连接器及其制造方法以及超导装置。
技术介绍
由于使用了超导体的超导滤波器与使用了电气良导体的滤波器相比较可以得到良好的频率特性，因此最近引起了极大的关注。超导滤波器安装在能够对于高频波电磁屏蔽的金属容器里，例如，可以用冷冻机冷却到70k以后使用。使用图5说明提出的安装了超导滤波器的超导装置。图5是示出提出的超导装置的剖面图。图5A示出锡焊前的状态，图5B示出锡焊后的状态。如图5B所示，金属容器124内安装了超导滤波器126。超导滤波器126具有介质基板128，由在介质基板128上形成的超导体膜构成的图形130和在介质基板128下形成的接地板136。在图形130的端部形成电极134，在接地板136的下面形成接地电极138。在金属容器124的端部设置了用于同轴电缆(未图示)与超导滤波器126电连接的同轴连接器110。同轴连接器110起到插座的功能。同轴连接器110具有作为中心导体的端子112、绝缘体114、耦合器116和主体118。同轴连接器110的端子112使用In族焊锡142与超导滤波器126的电极134连接...
【技术保护点】
一种同轴连接器，该同轴连接器连接在同轴电缆上，其特征在于：在作为中心导体的端子的表面上形成有由Ｉｎ或Ｉｎ合金构成的表面被覆层。
【技术特征摘要】
JP 2002-3-25 83450/20021.一种同轴连接器，该同轴连接器连接在同轴电缆上，其特征在于：在作为中心导体的端子的表面上形成有由In或In合金构成的表面被覆层。2.根据权利要求1所述的同轴连接器，其特征在于：上述端子由Cu或Cu合金构成。3.根据权利要求1所述的同轴连接器，其特征在于：上述端子由Ni、Pd、Pt、Ni与Fe的合金或者Ni与Co与Fe的合金构成。4.一种同轴连接器，该同轴连接器连接在同轴电缆上，其特征在于：作为中心导体的端子由Ag或Ag的合金构成。5.一种同轴连接器的制造方法，该同轴连接器连接在同轴电缆上，其特征在于具有：在作为中心导体的端子的表面上形成由In或In合金构成的表面被覆层的工序。6.根据权利要求5所述的同轴连接器的制造方法，其特征在于：在形成上述表面被覆层的工序中，通过把涂敷了焊剂的上述端子浸渍在焊锡液中，在上述端子的表面上形成上述表面被覆层。7.根据权利要求5所述的同轴连接器的制造方法，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：中西辉，赤濑川章彦，山中一典，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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