熔丝、熔断器元件以及保护元件制造技术

本发明专利技术的熔丝设为熔丝(1)，其具有配置于第一端子(20a)与第二端子(20b)之间的没有贯通孔的平板状的熔断部(1e)，熔断部(1e)的宽度(1d)具有第一端子(20a)及第二端子(20b)的与熔断部(1e)的接合部分的宽度(2d)的80％以上的长度。上述熔断部(1e)的宽度(1d)优选为上述接合部分的宽度(2d)的95％以上的长度。接合部分的宽度(2d)的95％以上的长度。接合部分的宽度(2d)的95％以上的长度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】熔丝、熔断器元件以及保护元件


[0001]本专利技术涉及熔丝、熔断器元件以及保护元件。
[0002]本申请主张基于2019年8月23日在日本申请的日本特愿2019－152939号的优先权，并将其内容引用于此。

技术介绍

[0003]作为在电路基板流通超过额定电流的过电流时切断电流路径的电流切断元件，已知熔断器元件。熔断器元件通过熔丝因过电流而发热并熔断来切断电流路径。
[0004]例如，在专利文献1中记载了一种熔断器，其具备在熔断部的两侧具有端子部的熔丝和包围熔断部的外壳，且在熔断部设有缺口或多个小孔。
[0005]另外，在专利文献2中记载了一种位于两个平板状部间的熔断器与两个平板状部形成为一体的片型熔断器。在专利文献2中记载了一种在熔断器主体的两端形成有连结部且连结部的长缘比熔断器主体的宽度尺寸长的片型熔断器。
[0006]另外，作为在电路基板发生了过电流的发生以外的异常时使电流路径切断的电流切断元件，已知使用了发热体(加热器)的保护元件。在保护元件中，通过发热体发出的热使熔丝熔断。发热体设为因在过电流的发生以外的异常时流通电流而发热。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2010－15715号公报
[0010]专利文献2：日本专利第5737664号公报

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的课题
[0012]近年来，在熔断器元件及保护元件中，要求增大额定电流。
[0013]在现有的高额定熔断器元件中，有时使用铜(熔点1085℃)等高熔点金属作为熔丝的材料。在由铜等高熔点金属构成的熔丝中，将局部发热的发热点形成于熔断部。由此，使熔丝的与熔断部结合的端子不会被过度加热，使安装有熔断器元件的电子设备不会超过耐热温度。例如，在使用焊料形成电连接的电子设备中，耐热温度为220℃左右。
[0014]熔丝的发热点通过在熔断部设置多个小孔、或者缩窄熔断部的宽度而形成。例如，在专利文献1中记载了在熔断部设有缺口或多个小孔的熔丝。另外，在专利文献2中记载了连结部的长缘比熔断器主体的宽度尺寸长的片型熔断器。
[0015]另外，在由铜等高熔点金属构成的熔丝中，需要确保发热点与结合于熔断部的端子之间的距离，使端子不会被来自发热点的热过度加热。如以下所示，这成为在额定电流大的熔断器元件中阻碍小型化的主要原因。
[0016]在配置于两个端子间的熔丝中，熔丝的长度(两个端子间的长度)和电阻值成比例关系。因此，如果增长熔丝，增大发热点与端子的距离，使端子不会被过度加热，则熔丝的电
阻变大。因此，不能增大具备熔丝的熔断器元件的额定电流。
[0017]为了增大发热点与结合于熔断部的端子之间的距离且抑制熔丝的电阻的增大，只要增大熔断部的截面积即可。但是，如果增大熔断部的截面积而使熔丝的电阻减小，则发热点的发热量增大。其结果，为了抑制端子的过度加热，必须进一步增大发热点与端子之间的距离。
[0018]由此，在具备由高熔点金属构成的熔丝的熔断器元件中，难以兼顾熔断器元件的小型化和额定电流的大电流化。
[0019]本专利技术鉴于上述的情况而提出，目的在于提供一种能够有助于熔断器元件及保护元件的额定电流的大电流化及小型化的熔丝。
[0020]另外，目的在于提供具备上述熔丝的能够有助于额定电流的大电流化及小型化的熔断器元件及保护元件。
[0021]用于解决课题的方案
[0022]为了解决上述课题，本专利技术提供以下的方案。
[0023](1)一种熔丝，其具有配置于第一端子与第二端子之间的没有贯通孔的平板状的熔断部，上述熔断部的宽度具有上述第一端子及上述第二端子的与上述熔断部的接合部分的宽度的80％以上的长度。
[0024](2)在上述(1)记载的熔丝中，也可以是，上述熔断部的宽度为上述接合部分的宽度的95％以上的长度。
[0025](3)在上述(1)或(2)记载的熔丝中，也可以是，上述熔断部的熔断温度为140℃～400℃。
[0026](4)在上述(1)～(3)中任一项记载的熔丝中，也可以是，低熔点金属层和熔点比上述低熔点金属层高的高熔点金属层沿厚度方向层叠而形成上述熔断部。
[0027](5)在上述(4)记载的熔丝中，也可以是，上述低熔点金属层由Sn或以Sn为主成分的合金构成，上述高熔点金属层由选自Ag、Cu、以Ag为主成分的合金、以Cu为主成分的合金中的任一个构成。
[0028](6)在上述(4)或(5)记载的熔丝中，也可以是，上述熔断部由上述低熔点金属层和层叠于上述低熔点金属层的两面的上述高熔点金属层构成。
[0029](7)在上述(1)～(6)中任一项记载的熔丝中，也可以是，上述熔断部的宽度为上述接合部分的宽度的200％以下的长度。
[0030](8)在上述(1)～(7)中任一项记载的熔丝中，也可以是，上述第一端子及上述第二端子和上述熔断部由导电连接部件接合。
[0031](9)一种熔断器元件，其具备(1)～(8)中任一项记载的熔丝。
[0032](10)在上述(9)记载的熔断器元件中，也可以是，上述第一端子及上述第二端子配置于绝缘基板的表面。
[0033](11)一种保护元件，其具备(1)～(8)中任一项记载的熔丝，且具备将上述熔丝加热使其熔断的发热体，上述第一端子及上述第二端子配置于绝缘基板上，上述熔丝横跨上述第一端子与上述第二端子之间而配置。
[0034]专利技术效果
[0035]本专利技术的熔丝能够有助于具备该熔丝的熔断器元件及保护元件的额定电流的大
电流化及小型化。
[0036]本专利技术的熔断器元件及保护元件具备本专利技术的熔丝，因此能够有助于额定电流的大电流化及小型化。
附图说明
[0037]图1中，图1(a)是表示第一实施方式的熔断器元件的俯视图，图1(b)是将图1(a)所示的熔断器元件沿着A－A
′
线切断的剖视图。
[0038]图2中，图2(a)是表示第二实施方式的熔断器元件的俯视图。图2(b)是从图2(a)的下侧观察图2(a)所示的熔断器元件的侧视图。图2(c)是从图2(a)的右侧观察图2(a)所示的熔断器元件的侧视图。
[0039]图3中，图3(a)是表示第三实施方式的熔断器元件的俯视图。图3(b)是从图3(a)的下侧观察图3(a)所示的熔断器元件的侧视图。图3(c)是从图3(a)的右侧观察图3(a)所示的熔断器元件的侧视图。图3(d)是表示配备于图3(a)所示的熔断器元件的熔丝的立体图。
[0040]图4中，图4(a)是表示第四实施方式的熔断器元件的俯视图。图4(b)是从图4(a)的下侧观察图4(a)所示的熔断器元件的侧视图。图4(c)是从图4(a)的右侧观察图4(a)所示的熔断器元件的侧视图。
[0041]图5中，图5(a)是表示第五实施方式的保护元件的俯视图。图5(b)是将图5(a)所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种熔丝，其特征在于，具有配置于第一端子与第二端子之间的没有贯通孔的平板状的熔断部，上述熔断部的宽度具有上述第一端子及上述第二端子的与上述熔断部的接合部分的宽度的80％以上的长度。2.根据权利要求1所述的熔丝，其特征在于，上述熔断部的宽度为上述接合部分的宽度的95％以上的长度。3.根据权利要求1所述的熔丝，其特征在于，上述熔断部的熔断温度为140℃～400℃。4.根据权利要求1所述的熔丝，其特征在于，低熔点金属层和熔点比上述低熔点金属层高的高熔点金属层沿厚度方向层叠形成上述熔断部。5.根据权利要求4所述的熔丝，其特征在于，上述低熔点金属层由Sn或以Sn为主成分的合金构成，上述高熔点金属层由选自Ag、Cu、以Ag为主成分的合金、以Cu为主成分的合金中的任一个构成。6.根据权利要求4所述的熔丝...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田吉弘，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：