【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于高电流(高安培)电交接件(电绝缘套管,traverséeélectrique)的连接器。
技术介绍
一种用于在超高真空下制备薄层的现有技术被称为分子束外延(MBE)。这种技术能够通过将包含待形成薄层的成分的材料送至金属的或半导体基层提供外延层,材料在该基层被吸收。这种材料的输送在真空室,优选地在超高真空即压力低于10-9mbar的室内进行,以获得免除任何污染的薄膜。当前大部分用于进行这种分子束外延的材料源为来自Knudsen型源的蒸发。然后是通过焦耳效应加热的坩埚,该坩埚可由氮化硼或例如具有圆柱或圆锥外形的高纯石墨制成。该焦耳效应通常通过使用电阻元件例如丝获得。为了使某些材料蒸发,需要超过1000℃的温度,这意味着向电阻元件注入高强度电流。因此需要一系列合适的元件以输送电阻元件需要的电流。因此采用例如至少50A数量级的高电流电交接件1,以在位于真空室内部和放置发电机的室外部的电阻元件之间建立连接(图1)。具有合适的横截面例如10m2电流强度在35至50A之间的电缆2提供这种发电机与电交接件1之间的连接。使用铜接线片电连接器3提供高电流电交接件 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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