【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种,且更具体地涉及一种适合使用于半导体器件的老化测试的。
技术介绍
进行老化测试作为筛选(screening)技术以除去半导体器件中的初始故障。在老化测试中,应用温度和压力都比半导体器件的操作条件高的加速应力(accelerated stress),因此加速了故障的发生,使得缺陷产品能在短期内被除去。例如,很多已封装的半导体器件排列在老化板上,作为加速应力的电源电压和输入信号施加于高温电解槽(bath)中给定时间。此后,这些半导体器件被移到外面,并进行关于它们质量可接受性的鉴别测试(judgmenttest)。在鉴别测试中,进行关于半导体器件的缺陷而导致的漏电流的升高、多层互联中的缺陷导致的缺陷产品、接触失效等鉴别。老化测试也在半导体晶片阶段进行。当进行半导体晶片的老化测试时,例如,测试可以通过半导体晶片表面上由铝制成的电极衬垫来进行。在这种情况下,为了弥补由于在半导体晶片的电极衬垫与测试设备的头电极(head electrode)之间的电极高度变化而导致的接触缺陷,通常在这些电极之间放置仅在膜厚方向上导电的接触片,以完成检测。因为其仅在根据相 ...
【技术保护点】
一种各向异性导电膜,其中由合成树脂制成的电绝缘多孔膜被用作基膜,并通过以从第一表面穿透到第二表面的方式将导电金属粘附到多孔结构的树脂部分而在所述基膜的多个位置独立地形成能够赋予膜厚方向的导电性的导电部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:增田泰人,奥田泰弘,林文弘,羽贺刚,
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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