一种铁皮石斛种植用高效栽培方法技术

本发明专利技术公开了一种铁皮石斛种植用高效栽培方法，环境准备：在种植地点铺设塑料大棚，内部采用地面种植方式，在大棚内部地面开挖长条沟槽，沟槽长度视大棚长度选择；本发明专利技术中在沟槽底部均匀铺设一层直径三到五厘米的砂积石类上水石碎石，接着在碎石间隙内铺设粗砂，粗砂铺设至碎石高度刚刚露出碎石为佳，在碎石和粗砂上方铺设水暖恒温管，接着在恒温管上铺设碎木屑，直至铺设至地面距离十厘米处，最后在碎木屑上方铺设松树皮，直至铺设至于地面齐平，上水石碎石能够起到良好的透气透水效果，接着通过粗砂填补缝隙不仅保持透气，同时能够起到一定保水效果，水暖恒温管在温度较低时能够保持整体温度，最关键保持石斛根部温度，使其保持生长活性。其保持生长活性。

【技术实现步骤摘要】
一种铁皮石斛种植用高效栽培方法


[0001]本专利技术涉及农业种植
，具体是一种铁皮石斛种植用高效栽培方法。

技术介绍

[0002]铁皮石斛,也称铁皮兰、铁吊兰、里树草，云南俗称黑节草.我国分布在秦岭、淮南以南的皖、浙、云、贵、川等地的山区。主要生长于上述地区的高山峻岭悬崖峭壁和岩石缝隙中。由于铁皮石斛生长条件的特殊性和分布的局限性，又经长期采挖，自然资源濒临枯竭，国内市场供应紧缺，所以对其种植环境有着更苛刻的要求。
[0003]但是现有的栽培方法不能有效提升石斛的生长活性，特别在温度较低时，易导致石斛死亡。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种铁皮石斛种植用高效栽培方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种铁皮石斛种植用高效栽培方法，包括以下步骤：
[0007]环境准备：在种植地点铺设塑料大棚，内部采用地面种植方式，在大棚内部地面开挖长条沟槽，沟槽长度视大棚长度选择，沟槽宽度控制在三十厘米左右，沟槽之间间距保持在二十厘米左右，沟槽深度为二十五厘米；
[0008]基质铺设：首先在沟槽底部均匀铺设一层直径三到五厘米碎石，接着在碎石间隙内铺设粗砂，粗砂铺设至碎石高度刚刚露出碎石为佳，在碎石和粗砂上方铺设水暖恒温管，接着在恒温管上铺设碎木屑，直至铺设至地面距离十厘米处，最后在碎木屑上方铺设松树皮，直至铺设至于地面齐平；
[0009]幼苗种植：选取健康石斛幼苗，进行种植，选取五到六株单株幼苗，间隔二到三厘米左右进行种植以此为一丛，再间隔十厘米左右距离进行下一丛种植，前后左右间隔均保持在水厘米左右，种植直至沟槽边界；
[0010]设备安装：安装水暖设备，连接水暖恒温管，在大棚上方安装风冷设备，在沟槽上方安装喷淋设备，在种植基质内每隔一米距离插入温度检测装置，插入深度控制在十厘米左右；
[0011]设备控制：在温度较低时启动水暖设备，通过温度检测装置，严格控制温度检测控制基质温度维持在十三至十八摄氏度区间内，在大棚内温度过高时启动风冷设备，对棚内进行降温，控制棚内温度在三十摄氏度以下，当需要浇水时，在夏季时，首先通过风冷设备进行降温，控制温度降低至二十摄氏度以下时，接着通过喷淋设备喷淋浇水，浇水时间尽量选择在早晚时段，当在温度较低时，首先通过水暖设备控制基质温度在十摄氏度以上，十五度以下，接着再启动喷淋设备进行补水，浇水时间尽量选择在中午时段。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：所述塑料大棚在铺设时，选择白色不透明材质进行铺
设。
[0013]作为本专利技术再进一步的方案：所述碎石采用沙积石类上水石。
[0014]作为本专利技术再进一步的方案：所述水暖恒温管铺设时可根据实际情况调整铺设数量。
[0015]作为本专利技术再进一步的方案：所述温度检测装置电性连接所述水暖设备，进行实时检测控制。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0017]1、本专利技术中在沟槽底部均匀铺设一层直径三到五厘米的砂积石类上水石碎石，接着在碎石间隙内铺设粗砂，粗砂铺设至碎石高度刚刚露出碎石为佳，在碎石和粗砂上方铺设水暖恒温管，接着在恒温管上铺设碎木屑，直至铺设至地面距离十厘米处，最后在碎木屑上方铺设松树皮，直至铺设至于地面齐平，上水石碎石能够起到良好的透气透水效果，接着通过粗砂填补缝隙不仅保持透气，同时能够起到一定保水效果，水暖恒温管在温度较低时能够保持整体温度，最关键保持石斛根部温度，使其保持生长活性。
[0018]2、本专利技术中之间电性连接的水暖设备和在种植基质内每隔一米距离插入的温度检测装置，能够起到实时监测控温的效果，严格控制基质温度，这样在温度较低时能够保持石斛的活性同时，不会提升温度太高导致石斛死亡。
[0019]3、本专利技术中当在温度较低时，首先通过水暖设备控制基质温度在十摄氏度以上，十五度以下，接着再启动喷淋设备进行补水，能够防止温度较高时，喷水导致水分过分蒸发，降低保水量，同时造成石斛的萎靡。
具体实施方式
[0020]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]本专利技术实施例中，一种铁皮石斛种植用高效栽培方法，包括以下步骤：
[0022]环境准备：在种植地点铺设塑料大棚，内部采用地面种植方式，在大棚内部地面开挖长条沟槽，沟槽长度视大棚长度选择，沟槽宽度控制在三十厘米左右，沟槽之间间距保持在二十厘米左右，沟槽深度为二十五厘米；
[0023]基质铺设：首先在沟槽底部均匀铺设一层直径三到五厘米碎石，接着在碎石间隙内铺设粗砂，粗砂铺设至碎石高度刚刚露出碎石为佳，在碎石和粗砂上方铺设水暖恒温管，接着在恒温管上铺设碎木屑，直至铺设至地面距离十厘米处，最后在碎木屑上方铺设松树皮，直至铺设至于地面齐平；
[0024]幼苗种植：选取健康石斛幼苗，进行种植，选取五到六株单株幼苗，间隔二到三厘米左右进行种植以此为一丛，再间隔十厘米左右距离进行下一丛种植，前后左右间隔均保持在水厘米左右，种植直至沟槽边界；
[0025]设备安装：安装水暖设备，连接水暖恒温管，在大棚上方安装风冷设备，在沟槽上方安装喷淋设备，在种植基质内每隔一米距离插入温度检测装置，插入深度控制在十厘米左右；
[0026]设备控制：在温度较低时启动水暖设备，通过温度检测装置，严格控制温度检测控制基质温度维持在十三至十八摄氏度区间内，在大棚内温度过高时启动风冷设备，对棚内进行降温，控制棚内温度在三十摄氏度以下，当需要浇水时，在夏季时，首先通过风冷设备进行降温，控制温度降低至二十摄氏度以下时，接着通过喷淋设备喷淋浇水，浇水时间尽量选择在早晚时段，当在温度较低时，首先通过水暖设备控制基质温度在十摄氏度以上，十五度以下，接着再启动喷淋设备进行补水，浇水时间尽量选择在中午时段。
[0027]实施例一
[0028]所述塑料大棚在铺设时，选择白色不透明材质进行铺设。
[0029]实施例二
[0030]所述碎石采用沙积石类上水石。
[0031]实施例三
[0032]所述水暖恒温管铺设时可根据实际情况调整铺设数量。
[0033]实施例四
[0034]所述温度检测装置电性连接所述水暖设备，进行实时检测控制。
[0035]本专利技术的工作原理是：首先在种植地点铺设塑料大棚，内部采用地面种植方式，在大棚内部地面开挖长条沟槽，沟槽长度视大棚长度选择，沟槽宽度控制在三十厘米左右，沟槽之间间距保持在二十厘米左右，沟槽深度为二十五厘米；接着在沟槽底部均匀铺设一层直径三到五厘米碎石，接着在碎石间隙内铺设粗砂，粗砂铺设至碎石高度刚刚露出碎石为佳，在碎石和粗砂上方铺设水暖恒温管，接着在恒温管上铺设碎木屑，直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁皮石斛种植用高效栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：环境准备：在种植地点铺设塑料大棚，内部采用地面种植方式，在大棚内部地面开挖长条沟槽，沟槽长度视大棚长度选择，沟槽宽度控制在三十厘米左右，沟槽之间间距保持在二十厘米左右，沟槽深度为二十五厘米；基质铺设：首先在沟槽底部均匀铺设一层直径三到五厘米碎石，接着在碎石间隙内铺设粗砂，粗砂铺设至碎石高度刚刚露出碎石为佳，在碎石和粗砂上方铺设水暖恒温管，接着在恒温管上铺设碎木屑，直至铺设至地面距离十厘米处，最后在碎木屑上方铺设松树皮，直至铺设至于地面齐平；幼苗种植：选取健康石斛幼苗，进行种植，选取五到六株单株幼苗，间隔二到三厘米左右进行种植以此为一丛，再间隔十厘米左右距离进行下一丛种植，前后左右间隔均保持在水厘米左右，种植直至沟槽边界；设备安装：安装水暖设备，连接水暖恒温管，在大棚上方安装风冷设备，在沟槽上方安装喷淋设备，在种植基质内每隔一米距离插入温度检测装置，插入深度控制在十厘米左右；设备控制：在温度较低时启动水暖...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚云杰，
申请(专利权)人：湖北兴杰农业科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：