一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法。所述闪光干粒釉包括：以质量百分比计，高钙干粒16～35%和低温透明干粒65～84%；所述高钙干粒和低温透明干粒的始融温度差值为40～60℃。相比于其它闪光釉产品，该闪光干粒抛陶瓷板的釉层闪光物相无色、透明，在赋予釉面闪光装饰的同时不会影响釉层自身通彻、透明的特点，还能够消除釉面的杂质感和突兀感。此外，闪光物相和釉层玻璃相有良好的浸润、包裹以及化学键结合，可以减少甚至杜绝气泡、空洞、釉层致密性降低等釉层缺陷。釉层致密性降低等釉层缺陷。釉层致密性降低等釉层缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法


[0001]本专利技术属于陶瓷建材领域，具体涉及一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法。

技术介绍

[0002]干粒抛又称为镜面抛光。运用干粒抛工艺的陶瓷板釉面平整度高，具有很强的镜面效果及良好通透感，是当前建筑陶瓷市场炙手可热的产品类型。经过多年的研究开发，干粒抛陶瓷板的花色和质感已经十分丰富。但是，如何形成特殊光学效果的釉层，提高产品视觉冲击力，改进产品差异化和市场竞争力，是当前亟待解决的技术问题。现有技术形成高温(≥1180℃)瓷质砖闪光釉面的工艺包括：在砖面施加糖果釉并依赖釉面凹凸质感产生闪光效果，但这种方式不能用于抛光类瓷砖；在釉料中加入闪光云母片，可是云母片的片层结构容易受到釉熔体的熔蚀破坏，所以只能用于哑光釉料体系；在釉层表面布撒耐高温的金属合金颗粒(例如镍基合金)，然而上述颗粒与釉层玻璃相的结合性差，会降低产品的物化性能；也可以在釉料中采用锆英砂干粒，比重大的锆英砂干粒在釉浆中易沉淀且具有放射性风险；或者在釉料中引入氧化铈并促使氧化铈析晶，但是析出的晶体不透光或者透光性差，会影响喷墨图案的呈现。
[0003]综上，通过上述手段实现干粒抛陶瓷板的闪光装饰一方面会由于闪光物相没有足够的透光度而影响干粒抛釉层的通彻、透亮效果，另一方面外加闪光物相进入釉料中，闪光物相容易遭受熔体的侵蚀破坏或难以与釉料中Si
‑
O网络结构形成强的化学键连接，故而闪光物相与釉层玻璃相的浸润性和结合性面临严重障碍。

技术实现思路

[0004]针对上述缺陷，本专利技术提出一种闪光干粒釉、闪光干粒抛陶瓷板及其制备方法，相比于其它闪光釉产品，该闪光干粒抛陶瓷板的釉层闪光物相无色、透明，在赋予釉面闪光装饰的同时不会影响釉层自身通彻、透明的特点，还能够消除釉面的杂质感和突兀感。此外，闪光物相和釉层玻璃相有良好的浸润、包裹以及化学键结合，可以减少甚至杜绝气泡、空洞、釉层致密性降低等釉层缺陷。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种闪光干粒釉。所述闪光干粒釉包括：以质量百分比计，高钙干粒16～35％和低温透明干粒65～84％；所述高钙干粒和低温透明干粒的始融温度差值为40～60℃。
[0006]较佳地，所述高钙干粒的始融温度为1060～1080℃；高钙干粒中CaO的质量百分含量为20～25％。
[0007]较佳地，所述高钙干粒的化学组成包括：以质量百分比计，SiO
2 40～48％，Al2O
3 25～32％，CaO 20～25％，MgO 0.08～1.2％，K2O 0.3～0.4％，Na2O 1.5～2.2％，TiO
2 0.02～0.1％。
[0008]较佳地，所述低温透明干粒的始融温度为1000～1020℃；所述低温透明干粒的化
5～8％，MgO 2.5～3.3％，K2O 3.5～4.2％，Na2O 0.2～0.6％，ZrO
2 7～8％。一些实施方式中，所述面釉的化学组成可包括：以质量百分比计，烧失：5.8～7.2％，SiO
2 44～48％，Al2O
3 23～26％，Fe2O
3 0.08～0.15％，TiO
2 0.08～0.12％，CaO 5～8％，MgO 2.5～3.3％，K2O 3.5～4.2％，Na2O 0.2～0.6％，ZnO 1.5～2.4％，ZrO2：7～8％。
[0022]所述面釉的施加方式可为喷釉。所述面釉的比重为1.4～1.6，施釉量为625～700g/m2。将面釉的比重与施釉量控制在上述范围，可以保证喷釉的均匀性和对坯体的充分覆盖，同时，尽可能引入减少水分以避免坯体在釉线走砖过程中开裂。
[0023]在施面釉后的坯体表面喷墨打印设计装饰图案。喷墨打印设计装饰图案的纹理和颜色根据版面设计作出适应性变化。
[0024]制备闪光干粒釉。所述闪光干粒釉包括16～35％的高钙干粒和65～84％的低温透明干粒。
[0025]上述高钙干粒的始融温度为1060～1080℃。经过试验发现，高钙干粒中CaO的质量百分含量为20～25％比较合适。将氧化钙的含量控制在上述范围，可以保证高钙干粒中的组成在高温环境下能够和低温透明干粒配合原位反应生成钙长石晶体，提高析晶效率。但是高钙干粒的氧化钙含量超出25％，会导致硅灰石、钙铝黄长石晶相的出现。
[0026]所述高钙干粒的化学组成包括：以质量百分比计，SiO
2 40～48％，Al2O
3 25～32％，CaO 20～25％，MgO 0.08～1.2％，K2O 0.3～0.4％，Na2O 1.5～2.2％，TiO
2 0.02～0.1％。高钙干粒在高温烧成环境下会发生三步反应生成钙长石晶体。分别为：CaO+SiO2＝CaSiO3；CaSiO3+CaO+Al2O3＝Ca2Al2SiO7；Ca2Al2SiO7+Al2O3+3SiO2＝2(CaAl2Si2O8)。在所述高钙干粒中引入适量TiO2作为晶核剂，可以调节析出晶体颗粒的尺寸。研究发现，晶体颗粒的尺寸控制在50～100mm比较合适。将晶体颗粒的尺寸控制在上述范围的理由是：晶体尺寸太小没有足够大的晶体平滑面，不能产生较强的光线反射效果，但是晶体尺寸太大则影响透明釉层的强度、抗热震性能等。
[0027]在此说明的是，如果成核剂、高钙干粒、低温透明干粒彼此独立的设置，即成核剂并未像本专利技术那样设计高钙干粒中，烧成过程中高钙干粒与低温透明干粒熔为一体，成核剂作为成核位点发挥作用来诱发析晶，该方法的析晶过程较为缓慢，析晶效率低，需要使用大量的成核剂，且容易导致析出的晶体尺寸小，难以产生对光线的反光效果。本专利技术经过特殊设计将成核剂布置于颗粒尺寸大的高钙干粒中，较大尺寸的高钙干粒熔融后即可在相界面以及成核剂的促进下开始析晶，析晶效率高，晶体尺寸大，晶体具有明显的规则几何外形，对光线产生镜面反射，具有闪光效果。
[0028]研究中尝试使用不含二氧化钛的高钙干粒。此时析出的钙长石晶体尺寸过大，影响闪光效果，这进一步说明在本专利技术的高钙干粒中引入TiO2可以提供更多的成核位点，分散析晶位置，细化析晶粒径。
[0029]制备高钙干粒。将高钙干粒的组成混合均匀后于1555～1600℃熔融0.3～0.5h，破碎冷却过筛，得到高钙干粒。所述高钙干粒的粒径为20～60目。使用粗粒径的高钙干粒，以在釉熔体中形成大尺寸的高钙液相，提供更多的析晶质点。这结合高钙液相中合适的钙、硅、铝比例，析晶环境适宜，利于析出大尺寸晶体，析晶效率高。若使用细粒径的高钙干粒，高钙液相尺寸太小，彼此被透明干粒釉熔体隔绝，难以形成合适颗粒尺寸的晶体。
[0030]所述低温透明干粒的始融温度为1000～1020℃。优选地，高钙干粒和低温透明干
粒的始融温度差值为40～60℃。如果两种干粒的始融温度差值超出上述范围，会导致两种干粒难以产生相界面导致互溶，或者高钙干粒形成液相太晚，使析晶过程不能充分进行。一些实施方式中，所述低温透明干粒的化学组成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪光干粒釉，其特征在于，所述闪光干粒釉包括：以质量百分比计，高钙干粒16～35%和低温透明干粒65～84%；所述高钙干粒和低温透明干粒的始融温度差值为40～60℃。2.根据权利要求1所述的闪光干粒釉，其特征在于，所述高钙干粒的始融温度为1060～1080℃；高钙干粒中CaO 的质量百分含量为20～25%。3.根据权利要求2所述的闪光干粒釉，其特征在于，所述高钙干粒的化学组成包括：以质量百分比计，SiO
2 40～48%，Al2O
3 25～32%，CaO 20～25%，MgO 0.08～1.2%，K2O 0.3～0.4%，Na2O 1.5～2.2%，TiO
2 0.02～0.1%。4.根据权利要求1至3中任一项所述的闪光干粒釉，其特征在于，所述低温透明干粒的始融温度为1000～1020℃；所述低温透明干粒的化学组成包括：以质量百分比计，SiO
2 59～61%，Al2O
3 11～16%，CaO 10～11%，MgO 1～1.5%，K2O 5～6.5%，Na2O 1.5～1.7%，ZnO 5～5.5%。5.根据权利要求1至4中任一项所述的闪光干粒釉，其特征在于，所述高钙干粒的粒径为20～60目；所述低温透明干粒的粒径为40～6...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢志军，李春光，何宇奇，李国平，吴亚超，
申请(专利权)人：蒙娜丽莎集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：