一种反激变换器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种反激变换器电路，涉及电路技术领域，包含220V交流市电输入端、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电容Cin、电容C1、电阻R1、二极管D1、MOS管Q1、变压器T、电阻R2、电容C2、二极管D2、二极管D22、电容Cout、电阻Ro、单片机和反馈补偿电路，对MOSFET和变压器副边的二极管实施有效的屏蔽或抑制瞬变电压电流的措施。瞬变电压电流的措施。瞬变电压电流的措施。

【技术实现步骤摘要】
一种反激变换器电路


[0001]本技术涉及采样开关电路
，尤其涉及一种反激变换器电路。

技术介绍

[0002]随着无线充电、电动汽车等新能源技术的快速发展，电源产品逐渐趋向高频化、小型化，随之产生的电磁干扰（EMI）问题正变得日益严重。辐射干扰是以电磁波的形式在自由空间中传播的电磁干扰能量，近年来愈发受到人们重视。辐射干扰问题是制约电源产品高频化"小型化的因素之一。
[0003]依照 GB9254
‑
2008等电磁兼容标准,开关电源产品的辐射干扰指30MHz频段的电磁干扰能量，通常在230MHz以内辐射较为严重。针对开关电源的辐射干扰，传统仿真预测方法普遍基于两个基本假设：（1）输入输出线缆是主要的辐射源；（2）共模电流是造成输入输出线缆辐射的主要原因。而实际上PCB迹线及元器件的立体结构均会形成等效天线结构，其辐射特性同样不可忽视。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是针对
技术介绍
的不足提供一种反激变换器电路，其对MOSFET和变压器副边的二极管实施有效的屏蔽或抑制瞬变电压电流的措施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反激变换器电路，其特征在于：包含220V交流市电输入端、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电容Cin、电容C1、电阻R1、二极管D1、MOS管Q1、变压器T、电阻R2、电容C2、二极管D2、二极管D22、电容Cout、电阻Ro、单片机和反馈补偿电路；其中，220V交流市电输入端的一端分别连接二极管D3的正极和二极管D5的负极，220V交流市电输入端的另一端分别连接二极管D4的正极和二极管D6的负极，二极管D5的正极和二极管D6的正极连接，二极管D3的负极分别连接二极管D4的负极、电容Cin的一端、电容C1的一端、电阻R1的一端、变压器T的接口1，电容Cin的另一端接地，电容C1的另一端分别连接电阻R1的另一端、二极管D1的负极，二极管D1的正极分别连接MOS管Q1的漏极和变压器T的接口2，MOS管Q1的源极接地，OS管Q1的栅极连接单片机，单片机与负反馈补偿电路连接，负反馈补偿电路还分别与...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶清，
申请(专利权)人：叶清，
类型：新型
国别省市：