输出装置制造方法及图纸

在输出装置(11)中，经由半导体开关(20)输出电流。关于半导体开关(20)，被输入电流的电流输入端(20d)与输出电流的电流输出端(20s)之间的电阻值随着控制端(20g)的电压的上升而下降。在从电流输入端(20d)到控制端(20g)的第一路径配置有第一二极管(D1)。电流输入端(20d)的电压经由第一二极管(D1)施加到半导体开关(20)的控制端(20g)。在从电流输入端(20d)到控制端(20g)的第二路径配置有升压电路(21)。升压电路(21)对从电流输入端(20d)输入的电压进行升压，并将升压后的电压施加到控制端(20g)。端(20g)。端(20g)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】输出装置


[0001]本公开涉及输出装置。
[0002]本申请要求基于2019年8月22日提出申请的日本申请第2019
‑
151933号的优先权，并引用所述日本申请所记载的所有记载内容。

技术介绍

[0003]在专利文献1中公开了一种输出装置，具备半导体开关，并经由半导体开关从电池向负载输出电流。半导体开关是N沟道型的FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)。电池向半导体开关的漏极施加电压。电流从电池输入到半导体开关的漏极，并从半导体开关的源极输出到负载。升压电路配置于从漏极到栅极的路径，对从漏极侧输入的电压进行升压，并将升压后的电压施加到半导体开关的栅极。由此，半导体开关的栅极的电压上升，半导体开关的漏极与源极之间的电阻值降低。结果，半导体开关从截止切换为导通，经由半导体开关向负载输出电流。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2017－175808号公报

技术实现思路

[0007]本公开的一个方式所涉及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种输出装置，经由半导体开关输出电流，在所述半导体开关中，被输入电流的电流输入端与输出电流的电流输出端之间的电阻值随着控制端的电压的上升而下降，其中，所述输出装置具备：二极管，配置于从所述电流输入端到所述控制端的第一路径；及升压电路，配置于从所述电流输入端到所述控制端的第二路径，对从所述电流输入端侧输入的电压进行升压，并将升压后的电压施加到所述控制端，所述电流输入端的电压经由所述二极管施加到所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：若园佳佑，藤井滋之，杉泽佑树，
申请(专利权)人：住友电装株式会社住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：