一种正交晶系晶体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种正交结构Mn

【技术实现步骤摘要】
一种正交晶系晶体材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及新材料制备
，特别是涉及一种正交晶系晶体材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，由于金属硅化物具有丰富的晶体结构类型和新奇的物理化学性质，引起了科研人员的广泛研究兴趣。TM(T为过渡金属，M＝Si和Ge)为该体系的一个重要研究方向。常温常压下TM具有正交相(α相)，空间群为Pnma，空间群编号：62。另外TM还存在一个高温相(β相)，空间群为P213，空间群编号：198，为非中心对称结构。这些非中心对称的TM材料需要在高温(＞1200℃)甚至是高温高压的条件下才能制备出来，例如RhGe，制备条件为8万大气压和1700开的高温高压。
[0003]发现外尔费米子之外的新型手性费米子不仅是拓扑半金属领域上的突破，也可以为探索手性费米子相关的物理现象提供更多的途径，具有重要的科学研究意义和潜在的应用价值。近期，理论物理学家预言了多种类型的手性费米子以及相关的材料模型，但一直未能得到实验证实。在众多关于新型手性费米子的理论预言中，具有非中心对称结构的CoSi属于能带结构比本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正交晶系晶体材料，所述晶体的分子通式为Mn
x
Ge
y
，其中，x为1
‑
2，y为8
‑
9；所述晶体的晶胞参数为所述晶体的空间群为Cmmm。2.根据权利要求1所述的正交晶体材料，其特征在于，所述晶体材料在322K以下，呈铁磁态。3.根据权利要求1所述的正交晶体材料，其特征在于，所述晶体材料在0.1～1.0T磁场中，磁化强度为10～30emu/g，优选磁化强度为15～27emu/g。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的正交系晶体材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、将单质锰与单质锗经研磨、压片后，再包裹六方氮化硼保护套制备包裹体；优选的，所述单质锰与单质锗的摩尔比为1:4.5～5.5；S2、将步骤S1中所述包裹体在4～6GPa压力，800～1000℃下反应制备正交晶系晶体材料。5.根据权利要求4所述的正交系晶体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，单质锰与单质锗经研磨、压片后形成圆柱形；优选的，所述圆柱形的直径为2.5～4.5mm，高度为2...

【专利技术属性】
技术研发人员：于振海，栗中杨，郭艳峰，
申请(专利权)人：上海科技大学，
类型：发明
国别省市：